Пошуковий запит: (<.>U=З843.33$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 37
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. | ІВ203073 Paszkiewicz R. Selektywna epitaksja azotku galu w technologii przyrządów półprzewodnikowych [Текст] / R. Paszkiewicz. - Wrocław : Oficyna wydawnicza Politechniki Wrocławskiej, 2003. - 156 s.: rys.
|
| 2. | РА347090 Чернюк О. С. Взаємодія GaSb та GaAs з водними розчинами HNO3-HHal-органічна кислота [Текст] : Автореф. дис... канд. хім. наук: 02.00.01 / Чернюк Олександр Сергійович ; Львівський національний ун-т ім. Івана Франка. - Л., 2006. - 20 с.
|
| 3. | ДС99615 Чернюк О. С. Взаємодія GaSb та GaAs з водними розчинами HNO3-HHal-органічна кислота [Текст] : дис... канд. хім. наук: 02.00.01 / Чернюк Олександр Сергійович ; Житомирський держ. ун-т ім. Івана Франка. - Житомир, 2006. - 193 арк.: рис., табл.
|
| 4. | ДС69492 Селиверстова С. Р. Влияние технологии выращивания на микромеханические свойства эпитаксиальных структур на основе GaAs [Текст] : Дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Селиверстова Светлана Ростиславовна ; Херсонский гос. технический ун-т. - Херсон, 2000. - 140 л.: рис.
|
| 5. | РА361945 Штанько О. Д. Вплив дефектів на зміну властивостей кристалів напівізолюючого нелегованого арсеніду галію в термічних процесів [Текст] : автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / Штанько Олександр Дмитрович ; Чернівецький національний ун-т ім. Юрія Федьковича. - Чернівці, 2009. - 20 с.
|
| 6. | ДС110900 Штанько О. Д. Вплив дефектів на зміну властивостей кристалів напівізолюючого нелегованого арсеніду галію в термічних процесах [Текст] : дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07 / Штанько Олександр Дмитрович ; Херсон. нац. техн. ун-т. - Херсон, 2009. - 140 арк. : рис.
|
| 7. | РА313246 Сєліверстова С. Р. Вплив технології вирощування на мікромеханічні властивості епітаксійних структур на основі GaAs [Текст] : Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Сєліверстова Світлана Ростиславівна ; Херсонський держ. технічний ун-т. - Херсон, 2000. - 17 с.
|
| 8. | РА296884 Дмитрієва Л. Б. Дослідження поверхнево- контактних явищ та перехідних процесів у мікроелектронних композиціях на основі GaAs [Текст] : Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.03 / Дмитрієва Любов Борисівна ; Херсонський держ. технічний ун-т. - Херсон, 1997. - 21 с.
|
| 9. | РА332436 Янчук О. І. Електричні та фотоелектричні властивості діодних структур на основі моноселенідів індію та галію [Текст] : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.01 / Янчук Олександр Іванович ; НАН України, М-во освіти і науки України, Ін-т термоелектрики. - Чернівці, 2004. - 20 с.: рис.
|
| 10. | ДС87568 Янчук О. І. Електричні та фотоелектричні властивості діодних структур на основі моноселенідів індію та галію [Текст] : Дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.01 / Янчук Олександр Іванович ; Чернів. від-ня Ін-ту пробл. матеріалознавства НАН України. - Чернівці, 2004. - 141 арк.: рис.
|
| 11. | РА281406сл Чабаненко Е. И. Закономерности разряда-ионизации индия и его электрохимическое рафинирование до высокой чистоты [Текст] : Автореф.дис.канд.хим.наук:02.00.05 / Чабаненко Елена Ивановна ; АН Украины, Ин-т общ. и неорган. химии. - К., 1993. - 20 с.
|
| 12. | РА291375сл Фидря Н. А. Исследование диссипации энергии поверхностных электромагнитных волн в полупроводниковых структурах на основе арсенида галлия [Текст] : Автореф. дис... канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Фидря Николай Александрович ; АН УССР, Ин-т полупроводников. - К., 1990. - 16 с.
|
| 13. | ДС55016 Дмитриева Л. Б. Исследование поверхностно- контактных явлений и переходных процессов в микроэлектронных композициях на основе арсенида галлия [Текст] : Дис... канд. техн. наук: 05.27.03 / Дмитриева Л. Б. ; Запорожская гос. инженерная академия. - Запорожье, 1997. - 99 с.
|
| 14. | РА340947 Доросинец В. А. Нелинейная проводимость сильно легированного компенсированного арсенида галлия [Текст] : Автореф. дис... канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Доросинец Владимир Адамович ; Белорусский гос. ун-т им. В.И.Ленина. - Минск, 1992. - 17 с.
|
| 15. | ДС122609 Ластівка Г. І. Оптимізація фотоелектричних характеристик гетероструктур на основі моноселенідів індію та галію методом ЯКР [Текст] : дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 / Ластівка Галина Іванівна ; Чернів. нац. ун-т ім. Ю. Федьковича, Чернів. від-ня Ін-ту пробл. матеріалознавства [ім. І. М. Францевича]. - Чернівці, 2010. - 156 арк. : рис.
|
| 16. | РА374896 Ластівка Г. І. Оптимізація фотоелектричних характеристик гетероструктур на основі моноселенідів індію та галію методом ЯКР [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 / Ластівка Галина Іванівна ; Чернів. нац. ун-т ім. Ю. Федьковича. - Чернівці, 2010. - 20 с.
|
| 17. | РА343400 Драпак С. І. Особливості фізичних властивостей гетероконтактів на основі шаруватих моноселенідів галію та індію [Текст] : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Драпак Степан Іванович ; Чернівецький національний ун-т ім. Ю.Федьковича. - Чернівці, 2004. - 20 с.: рис.
|
| 18. | РА382237 Батареєв В. В. Підвищення структурної досконалості монокристалів напівізолюючого арсеніду галію, вирощуваних по методу Чохральс[ь]кого з рідинною герметизацією [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 / Батареєв Віктор Володимирович ; Кременчуц. нац. ун-т ім. М. Остроградського. - Кременчук, 2011. - 20 с.
|
| 19. | ДС127678 Батареев В. В. Повышение структурного совершенства монокристаллов полуизолирующего арсенида галлия, выращиваемых по методу Чохральского с жидкостной герметизацией [Текст] : дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 / Батареев Виктор Владимирович ; Кременчуг. ун-т экономики, информ. технологий и упр. - Кременчуг, 2010. - 136 л. : рис.
|
| 20. | ДС40409сл Шутов С. В. Получение монокристаллических слоев арсенида галлия на дешевых инородных подложках [Текст] : Дис...канд.техн.наук:05.27.06 / Шутов Станислав Викторович ; Херсонский индустриальный ин-т. - Херсон, 1993. - 136 с.
|
| | |
Простий пошук
Віртуальна довідка
