Пошуковий запит: (<.>U=З843.33$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 37
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
|
| | | |
|
| 1. |
ІВ203073
Paszkiewicz, Regina.
Selektywna epitaksja azotku galu w technologii przyrządów półprzewodnikowych [Text] / R. Paszkiewicz. - Wrocław : Oficyna wydawnicza Politechniki Wrocławskiej, 2003. - 156 s.: rys. - Бібліогр.: s. 137-153. - ISBN 83-7085-726-4
Рубрики:
Видання зберігається у :
| |
|
| | | |
|
| 2. |
РА382237
Батареєв, Віктор Володимирович.
Підвищення структурної досконалості монокристалів напівізолюючого арсеніду галію, вирощуваних по методу Чохральс[ь]кого з рідинною герметизацією [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 / Батареєв Віктор Володимирович ; Кременчуц. нац. ун-т ім. М. Остроградського. - Кременчук, 2011. - 20 с.
Рубрики:
Видання зберігається у :
Основний фонд
| |
|
| | | |
|
| 3. |
ДС127678
Батареев, Виктор Владимирович.
Повышение структурного совершенства монокристаллов полуизолирующего арсенида галлия, выращиваемых по методу Чохральского с жидкостной герметизацией [Текст] : дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 / Батареев Виктор Владимирович ; Кременчуг. ун-т экономики, информ. технологий и упр. - Кременчуг, 2010. - 136 л. : рис. - Бібліогр.: арк. 120-129.
Рубрики:
Видання зберігається у :
Основний фонд
| |
|
| | | |
|
| 4. |
РА310225
Даниленко, Світлана Григорівна.
Розробка травильних композицій та технологічних процесів формування полірованих поверхонь підкладок арсеніду та антимоніду індію для приладів ІЧ- техніки [Текст] : автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Даниленко Світлана Григорівна ; НАН України, Ін-т фізики напівпровідників. - К., 2000. - 15 с.
Рубрики:
Видання зберігається у :
Основний фонд
| |
|
| | | |
|
| 5. |
ДС66866
Даниленко, Світлана Григорівна.
Розробка травильних композицій та технологічних процесів формування полірованих поверхонь підкладок арсеніду та антимоніду індію для приладів ІЧ-техніки [Текст] : дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Даниленко Світлана Григорівна ; НАН України, Ін-т фізики напівпровідників. - К., 2000. - 198 арк. - арк. 175-186
Рубрики:
Видання зберігається у :
Основний фонд
| |
|
| | | |
|
| 6. |
РА296884
Дмитрієва, Любов Борисівна.
Дослідження поверхнево- контактних явищ та перехідних процесів у мікроелектронних композиціях на основі GaAs [Текст] : автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.03 / Дмитрієва Любов Борисівна ; Херсонський держ. технічний ун-т. - Херсон, 1997. - 21 с.
Рубрики:
Видання зберігається у :
Основний фонд
| |
|
| | | |
|
| 7. |
ДС55016
Дмитриева, Л. Б..
Исследование поверхностно- контактных явлений и переходных процессов в микроэлектронных композициях на основе арсенида галлия [Текст] : дис... канд. техн. наук: 05.27.03 / Дмитриева Л. Б. ; Запорожская гос. инженерная академия. - Запорожье, 1997. - 99 с.
Рубрики:
Видання зберігається у :
Основний фонд
| |
|
| | | |
|
| 8. |
РА340947
Доросинец, Владимир Адамович.
Нелинейная проводимость сильно легированного компенсированного арсенида галлия [Текст] : автореф. дис... канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Доросинец Владимир Адамович ; Белорусский гос. ун-т им. В.И.Ленина. - Минск, 1992. - 17 с.
Рубрики:
Видання зберігається у :
Основний фонд
| |
|
| | | |
|
| 9. |
РА343400
Драпак, Степан Іванович.
Особливості фізичних властивостей гетероконтактів на основі шаруватих моноселенідів галію та індію [Текст] : автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Драпак Степан Іванович ; Чернівецький національний ун-т ім. Ю.Федьковича. - Чернівці, 2004. - 20 с.: рис.
На 3 арк. обкладинки рецензія.
Рубрики:
Видання зберігається у :
Основний фонд
| |
|
| | | |
|
| 10. |
РА342132
Журавлев, Константин Сергеевич.
Примесная люминесценция в арсениде галлия и низкоразмерных структурах на его основе [Текст] : автореф. дис... д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / Журавлев Константин Сергеевич. - Новосибирск, 2006. - 35 с.
Рубрики:
Видання зберігається у :
Основний фонд
| |
|
| | | |
|
| 11. |
ДС122609
Ластівка, Галина Іванівна.
Оптимізація фотоелектричних характеристик гетероструктур на основі моноселенідів індію та галію методом ЯКР [Текст] : дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 / Ластівка Галина Іванівна ; Чернів. нац. ун-т ім. Ю. Федьковича, Чернів. від-ня Ін-ту пробл. матеріалознавства [ім. І. М. Францевича]. - Чернівці, 2010. - 156 арк. : рис. - Бібліогр.: арк. 140-156.
Рубрики:
Видання зберігається у :
Основний фонд
| |
|
| | | |
|
| 12. |
РА374896
Ластівка, Галина Іванівна.
Оптимізація фотоелектричних характеристик гетероструктур на основі моноселенідів індію та галію методом ЯКР [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 / Ластівка Галина Іванівна ; Чернів. нац. ун-т ім. Ю. Федьковича. - Чернівці, 2010. - 20 с.
Рубрики:
Видання зберігається у :
Основний фонд
| |
|
| | | |
|
| 13. |
ДС152191
Лозінський, Володимир Борисович.
Розробка технологій покращення властивостей оптичних елементів на основі GaAs, діелектричних плівок та сонячних елементів з їх використанням [Текст] : дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 / Лозінський Володимир Борисович ; НАН України, Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова. - Київ, 2013. - 146 арк. : рис., табл. - Бібліогр.: арк. 125-140.
Рубрики:
Видання зберігається у :
Основний фонд
| |
|
| | | |
|
| 14. |
РА396148
Лозінський, Володимир Борисович.
Розробка технологій покращення властивостей оптичних елементів на основі GaAs, діелектричних плівок та сонячних елементів з їх використанням [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 / Лозінський Володимир Борисович ; Кременчуц. нац. ун-т ім. Михайла Остроградського. - Кременчук, 2013. - 19 с. : рис.
Рубрики:
Видання зберігається у :
Основний фонд
| |
|
| | | |
|
| 15. |
ДС106514
Мазницкая, Оксана Викторовна.
Усовершенствование технологии получения металлического мышьяка с пониженным содержанием кислорода для производства монокристаллов GaAs [Текст] : дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Мазницкая Оксана Викторовна ; Кременчугский ун-т экономики, информационных технологий и управления. - Кременчуг, 2008. - 137 л.: рис., табл. - Библиогр.: л. 118-124
Рубрики:
Видання зберігається у :
Основний фонд
| |
|
| | | |
|
| 16. |
РА356046
Мазницька, Оксана Вікторівна.
Удосконалення технології отримання металічного арсену зі зниженим вмістом кисню для виробництва монокристалів GaAs [Текст] : автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Мазницька Оксана Вікторівна ; Кременчуцький ун-т економіки, інформаційних технологій і управління. - Кременчук, 2008. - 20 с.
Рубрики:
Видання зберігається у :
Основний фонд
| |
|
| | | |
|
| 17. |
РА421863
Притчин, Сергій Емільович.
Розробка технології виробництва підкладок арсеніду галію для виробів мікроелектроніки [Текст] : автореф. дис. ... д-ра техн. наук : 05.27.06 / Притчин Сергій Емільович ; Харків. нац. ун-т радіоелектроніки. - Харків, 2016. - 40 с. : рис.
Рубрики:
Видання зберігається у :
Основний фонд
| |
|
| | | |
|
| 18. |
РА313246
Сєліверстова, Світлана Ростиславівна.
Вплив технології вирощування на мікромеханічні властивості епітаксійних структур на основі GaAs [Текст] : автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Сєліверстова Світлана Ростиславівна ; Херсонський держ. технічний ун-т. - Херсон, 2000. - 17 с.
Рубрики:
Видання зберігається у :
Основний фонд
| |
|
| | | |
|
| 19. |
ДС69492
Селиверстова, Светлана Ростиславовна.
Влияние технологии выращивания на микромеханические свойства эпитаксиальных структур на основе GaAs [Текст] : дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Селиверстова Светлана Ростиславовна ; Херсонский гос. технический ун-т. - Херсон, 2000. - 140 л.: рис. - Библиогр.: л. 131-140
Рубрики:
Видання зберігається у :
Основний фонд
| |
|
| | | |
|
| 20. |
ВА735056
Сычикова, Яна Александровна.
Формирование пористой структуры фосфида индия с заданными свойствами [Текст] : монография / Я. А. Сычикова, В. В. Кидалов, Г. А. Сукач. - Донецк : Юго-Восток, 2010. - 230 с. : рис. - Бібліогр.: с. 218-229. - 300 прим. - ISBN 978-966-374-583-1
Рубрики:
Видання зберігається у :
Основний фонд
| |
| | |
Простий пошук
Віртуальна довідка
