Пошуковий запит: (<.>U=З852.2-01$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 11
Представлено документи з 1 до 11
|
| 1. | ДС51909 Стариков А. И. Влияние электрофизических свойств и геометрии контактов на основные характеристики диодов с горячими носителями зарядов [Текст] : Дис... канд. физ.- мат. наук: 01.04.04 / Стариков Александр Иванович ; Харьковский гос. ун-т. - Х., 1996. - 149 с.
|
| 2. | ДС89524 Склярчук О. Ф. Особливості механізмів переносу заряду, фотоелектричних і люмінесцентних процесів у діодах Шотткі на основі SiC і CdTe [Текст] : Дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Склярчук Олена Федорівна ; Чернівецький національний ун-т ім. Юрія Федьковича. - Чернівці, 2004. - 131 арк.: рис.
|
| 3. | ДС75651 Челюбеев В. Н. Влияние контактных неоднородностей на электрические характеристики диодов Ганна [Текст] : Дис... канд. техн. наук: 05.27.01 / Челюбеев Виктор Николаевич ; Национальный технический ун-т Украины "Киевский политехнический ин-т", ОАО "Научно-технический центр "Сузір'я". - К., 2002. - 148 л.
|
| 4. | ДС101105 Подъячий В. И. Высокоэффективное преобразование частоты на диодах с барьером Шоттки и малошумящие приемники миллиметрового диапазона [Текст] : дис... канд. физ.-мат. наук: 01.04.01 / Подъячий Валерий Иванович ; Нац. акад. наук Украины, Радиоастроном. ин-т. - Х., 2006. - 162 л.: рис.
|
| 5. | РА293148 Стариков А. И. Влияние электрофизических свойств и геометрии контактов на основные характеристики диодов с горячими носителями заряда [Текст] : Автореф. дис... канд. физ.-мат. наук: 01.04.04 / Стариков Александр Иванович ; Харьковский гос. ун-т. - Х., 1996. - 16 с.
|
| 6. | РА350461 Піддячий В. І. Високоефективне перетворення частоти на діодах з бар'єром Шотткі та малошумливі приймачі міліметрового діапазону [Текст] : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.01 / Піддячий Валерій Іванович ; Харківський національний ун-т ім. В.Н.Каразіна. - Х., 2007. - 19 с.
|
| 7. | РА321743 Челюбеєв В. М. Вплив контактних неоднорідностей на електричні характеристики діодів Ганна [Текст] : Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.01 / Челюбеєв Віктор Миколайович ; Національний технічний ун-т України "Київський політехнічний ін-т". - К., 2002. - 18 с.: рис.
|
| 8. | РА373298 Наумов А. В. Особливості латерального та вертикального транспорту електронів в квантових гетероструктурах на основі нітридів III групи [Текст] : автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07 / Наумов Андрій Вадимович ; НАН України, Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова. - К., 2010. - 17 с. : рис.
|
| 9. | ІР8193 Dąbrowski W. Excess generation-recombination noise in reverse biased Schottky-barrier diodes [Текст] / Władysław Dąbrowski, Kazimierz Korbel. - Kraków : [s. n.], 1988. - 21 p. : fig. - (Raport / Inst. fizyki i techniki jądrowej AGH, ISSN 0302-9034 ; INT 220/E)
|
| 10. | ДС119256 Наумов А. В. Особливості латерального та вертикального транспорту електронів в квантових гетероструктурах на основі нітридів III групи [Текст] : дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07 / Наумов Андрій Вадимович ; НАН України, Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова. - К., 2010. - 130 арк. : рис.
|
| 11. | MFI5633/1-2 Buess M. Pulsed precessional notion [Текст] : Diss. / M. Buess ; Swiss Federal institute of technology Zürich. - Zürich : [б.в.], 2005. - 111 p. - (ETH-Diss ; 116067)
|
Простий пошук
Віртуальна довідка