Пошуковий запит: (<.>U=з843.332$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 14
Представлено документи з 1 до 14
|
| 1. | ДС40409сл Шутов С. В. Получение монокристаллических слоев арсенида галлия на дешевых инородных подложках [Текст] : Дис...канд.техн.наук:05.27.06 / Шутов Станислав Викторович ; Херсонский индустриальный ин-т. - Херсон, 1993. - 136 с.
|
| 2. | ДС69492 Селиверстова С. Р. Влияние технологии выращивания на микромеханические свойства эпитаксиальных структур на основе GaAs [Текст] : Дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Селиверстова Светлана Ростиславовна ; Херсонский гос. технический ун-т. - Херсон, 2000. - 140 л.: рис.
|
| 3. | ДС99615 Чернюк О. С. Взаємодія GaSb та GaAs з водними розчинами HNO3-HHal-органічна кислота [Текст] : дис... канд. хім. наук: 02.00.01 / Чернюк Олександр Сергійович ; Житомирський держ. ун-т ім. Івана Франка. - Житомир, 2006. - 193 арк.: рис., табл.
|
| 4. | РА340947 Доросинец В. А. Нелинейная проводимость сильно легированного компенсированного арсенида галлия [Текст] : Автореф. дис... канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Доросинец Владимир Адамович ; Белорусский гос. ун-т им. В.И.Ленина. - Минск, 1992. - 17 с.
|
| 5. | РА347090 Чернюк О. С. Взаємодія GaSb та GaAs з водними розчинами HNO3-HHal-органічна кислота [Текст] : Автореф. дис... канд. хім. наук: 02.00.01 / Чернюк Олександр Сергійович ; Львівський національний ун-т ім. Івана Франка. - Л., 2006. - 20 с.
|
| 6. | РА363778 Хозя П. О. Розробка теплового вузла для вирощування монокристалів GaAs за LEC технологією зі зниженим вмістом структурних дефектів [Текст] : автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Хозя Павло Олександрович ; Кременчуцький ун-т економіки, інформаційних технологій і управління. - Кременчук, 2009. - 20 с.
|
| 7. | РА280777сл Шутов С. В. Получение монокристаллических слоев арсенида галлия на дешевых инородных подложках [Текст] : Автореф.дис...канд.техн.наук:05.27.06 / Шутов Станислав Викторович ; Херсонский индустриальный ин-т. - Херсон, 1993. - 22 с.
|
| 8. | РА313246 Сєліверстова С. Р. Вплив технології вирощування на мікромеханічні властивості епітаксійних структур на основі GaAs [Текст] : Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Сєліверстова Світлана Ростиславівна ; Херсонський держ. технічний ун-т. - Херсон, 2000. - 17 с.
|
| 9. | РА396148 Лозінський В. Б. Розробка технологій покращення властивостей оптичних елементів на основі GaAs, діелектричних плівок та сонячних елементів з їх використанням [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 / Лозінський Володимир Борисович ; Кременчуц. нац. ун-т ім. Михайла Остроградського. - Кременчук, 2013. - 19 с. : рис.
|
| 10. | РА399149 Фомовський Ф. В. Технології покращення деградаційної стійкості кристалів GaAs, Si та структур і приладів на їх основі [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 / Фомовський Фелікс Володимирович ; Кременчуц. нац. ун-т ім. Михайла Остроградського. - Кременчук, 2013. - 20 с. : рис., табл.
|
| 11. | РА421863 Притчин С. Е. Розробка технології виробництва підкладок арсеніду галію для виробів мікроелектроніки [Текст] : автореф. дис. ... д-ра техн. наук : 05.27.06 / Притчин Сергій Емільович ; Харків. нац. ун-т радіоелектроніки. - Харків, 2016. - 40 с. : рис.
|
| 12. | ДС144005 Фомовський Ф. В. Технології покращення деградаційної стійкості кристалів GaAs, Si та структур і приладів на їх основі [Текст] : дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 / Фомовський Фелікс Володимирович ; Кременчуц. нац. ун-т ім. Михайла Остроградського. - Кременчук, 2013. - 131 арк. : рис., табл.
|
| 13. | ДС145894 Хозя П. А. Разработка теплового узла для выращивания монокристаллов GaAs по LEC технологии с пониженным содержанием структурных дефектов [Текст] : дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 / Хозя Павел Александрович ; Кременчуг. ун-т экономики, информ. технологий и упр. - Кременчуг, 2008. - 135 л. : рис., табл.
|
| 14. | ДС152191 Лозінський В. Б. Розробка технологій покращення властивостей оптичних елементів на основі GaAs, діелектричних плівок та сонячних елементів з їх використанням [Текст] : дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 / Лозінський Володимир Борисович ; НАН України, Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова. - Київ, 2013. - 146 арк. : рис., табл.
|
Простий пошук
Віртуальна довідка