Комплексний інформаційно-бібліографічний сервіс Національної бібілотеки України імені В. І. Вернадського

Простий пошук

Розширений пошук

Алфавітні покажчики

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Віртуальна довідка

Тематичний інтернет-навігатор

Наукова електронна бібліотека

Автореферати дисертацій

Реферативна база даних

Книжкові видання та компакт-диски

Журнали та продовжувані видання

	Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox"

Вид пошуку

у знайденому

Сортувати знайдені документи за:
автором	назвою	роком видання

Формат представлення знайдених документів:
повний	стислий

Знайдено в інших БД:

Автореферати дисертацій (29)

Книжкові видання та компакт-диски (118)

Журнали та продовжувані видання (5)

Пошуковий запит: (<.>U=В379.227$<.>)

Загальна кількість знайдених документів : 245
Представлено документи з 1 до 20

...

Категорія:

Тартачник В. П.
Радиационные дефекты в полупроводниковых фосфидах А3В5 и А2В52 : Дис...д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / В. П. Тартачник; Академия наук Украины, Институт ядерных исследований. - К., 1992. - 418 с. - рус.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227

Рубрики:
Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Шифр НБУВ: ДС41764 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Блажевич С. В.
Угловая структура тормозного - излучения и рассеяния релятивистских электронов при взаимодействии с монокристаллами : Дис...канд.физ.-мат.наук:01.04.16 / С. В. Блажевич; "Харьковский физико-технический институт", национальный научный центр. - Х., 1993. - 143 c. - Библиогр.:л.128 - рус.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227

Рубрики:
Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Шифр НБУВ: ДС40929 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Воробкало Ф. М.
Аномалии коэффициента Холла в нейтроннооблученном германии / Ф. М. Воробкало, Н. И. Карась // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 1998. - № 33. - С. 94-102. - Библиогр.: 18 назв. - рус.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227

Рубрики:
Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

10.

Горбик П. П.
Исследование поверхностно-барьерных структур на основе поликристаллического CdS при облучении моноэнергетическими потоками электронов / П. П. Горбик, А. В. Комащенко, В. М. Огенко, С. Ю. Павелец, В. Д. Фурсенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 1998. - № 33. - С. 108-111. - Библиогр.: 7 назв. - рус.

На основании экспериментальных результатов, полученных при облучении моноэнергетическими потоками электронов с энергией до 30 кэВ, сделан вывод о том, что поверхностно-барьерные структуры на основе поликристаллического CdS перспективны для разработки эффективных детекторов бета-излучения "мягких" энергий. Преимуществами таких структур являются высокие токовая и вольтовая чувствительности, а также линейная в широком динамическом диапазоне дозиметрическая характеристика.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227 + В383.33

Рубрики:

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Бета-розпад і електронний захват. Бета-випромінювання

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

11.

Kraitchinskii A. M.
Primary Ragiation Defects in Silicon. Creation, Annihilation, Dissociation, Getters = Первинні радіаційні дефекти в кремнії. Утворення, анігіляція, дисоціація, стоки / A. M. Kraitchinskii, V. B. Neimash, I. S. Rogutskii, L. I. Shpinar // Укр. фіз. журн. - 1999. - 44, № 1-2. - С. 259-262. - Библиогр.: 10 назв. - укp.

Досліджено процеси утворення, анігіляції, дисоціації первинних радіаційних дефектів в кремнії та можливий вплив неконтрольованих стоків для вакансій міжвузловинних атомів на величину ефективності утворення радіаційних дефектів (ЕУД). Встановлено, що існує єдина порогова енергія для утворення пар Френкеля, яка дорівнює (12,5 +- 0,5) еВ. Показано, що вплив неконтрольованих стоків для первинних дефектів не визначає величину ефективності утворення вторинних радіаційних дефектів. Величина ЕУД контролюється процесами анігіляцїї чи дисоціації первинних дефектів - пар Френкеля. Отримано формулу для залежності ЕУД від температури та концентрації носіїв заряду.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227

Рубрики:

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

12.

Мармус П. Є.
Рентгенодифракційні дослідження структурних змін в кристалах Si, після високоенергетичного електронного опромінення : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / П. Є. Мармус; Чернів. держ. ун-т ім. Ю.Федьковича. - Чернівці, 1999. - 19 c. - укp. - рус.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221,022 + В379.227,022

Рубрики:
Структурний аналіз напівпровідників
Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Шифр НБУВ: РА306296 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

13.

Федосов С. А.
Вплив структурних дефектів радіаційного походження на фотоелектричні властивості антимоніду і сульфіду кадмію : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.10 / С. А. Федосов; Волин. держ. ун-т ім. Л.Українки. - Луцьк, 1999. - 19 c. - укp. - рус.

Скачати повний текст

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227,022 + В379.271.26,022

Рубрики:

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Вплив дефектів на електропровідність

Шифр НБУВ: РА304891 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

14.

Павлик Б. В.
Радіаційно- і термостимульовані процеси агрегатизації дефектів та виділення компонент діелектричних та напівпровідникових кристалів : Автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Б. В. Павлик; Львів. держ. ун-т ім. І.Франка. - Л., 1999. - 32 c. - укp. - рус.

Дисертацію присвячено питанням взаємодії іонізуючого випромінювання з діелектричними та напівпровідниковими кристалами (на прикладі NaCl, CrJ та CdS і CdS і CdTe) в широкому діапазоні температур (80 К-770 К). Встановлено, що домішка водню стимулює ефективність процесу радіолізу лужногалоїдних кристалів. Запропоновано модель процесу агрегатизації дефектів та виділення компонент діелектричних водневомісних кристалів, яка базується на високій ефективності утворення електронних та діркових центрів завдяки високій рухливості водневих дефектів. Показано, що низькодозне опромінення кристалів CdS та CdTe стимулює впорядкування структури в їх приповерхневих шарах. Обгрунтовано механізм термо- і механостимульованого виділення надстехіометричного кадмію з високодозно опромінених напівпровідникових кристалів.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227,022 + В379.327,022

Рубрики:

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Радіаційні ефекти в діелектриках

Шифр НБУВ: РА304401 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

15.

Dotsenko Yu. P.
Electro-physical properties of gamma-exposed crystals of silicon and germanium = Електрофізичні властивості gamma-опромінених кристалів кремнію та германію / Yu. P. Dotsenko // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 1. - С. 47-55. - Библиогр.: 63 назв. - англ.

Ключ. слова: радiацiйнi дефекти, gamma-випромiнювання, електронний кремнiй, електронний германiй, радiацiйна стiйкiсть
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227

Рубрики:
Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

16.

Antroshchenko L. V.
Crystals Cdsub1-x/subZnsubx/subTe - a promising material for non-cryogenic semiconductor detectors: preparation, structure defectness and electrophysical properties / L. V. Antroshchenko, S. N. Galkin, L. P. Gal'chinetskii, A. I. Lalayants, I. A. Rybalka, V. D. Ryzhikov, V. I. Silin, N. G. Starzhinskii // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 4. - С. 81-85. - Бібліогр.: 5 назв. - англ.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.2 + В379.227

Рубрики:
Електропровідність
Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

17.

Virt І. S.
Effect of thermal neutron irradiation effect on the electrophysical and photoelectrical properties of Hgsub0,8/subCdsub0,2/subTe crystals / І. S. Virt, V. V. Gorbunov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 1. - С. 35-38. - Бібліогр.: 13 назв. - англ.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227 + В379.271

Рубрики:
Радіаційні ефекти в напівпровідниках
Електричні властивості

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

18.

Romanjuk B.
Ultrasound effect on radiation damages in boron implanted silicon / B. Romanjuk, Z. Kruger, V. Melnik, V. Popov, Ya. Olikh, V. Soroka, O. Oberemok // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 1. - С. 15-18. - Бібліогр.: 9 назв. - англ.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227 + В379.26

Рубрики:
Радіаційні ефекти в напівпровідниках
Механічні властивості монокристалів напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

19.

Карась М. І.
Дослідження впливу радіаційних дефектів на електричні властивості нейтронно трансмутаційно легованого германію : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07 / М. І. Карась; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників. - К., 2000. - 16 c. - укp.

Скачати повний текст

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227,022

Рубрики:

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Шифр НБУВ: РА308500 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

20.

Мельник В. М.
Рентгенодифрактометричні дослідження змін структурної досконалості бездислокаційних монокристалів кремнію під дією іонного опромінення, відпалу та гідростатичного тиску : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07 / В. М. Мельник; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників. - К., 2000. - 18 c. - укp.

Скачати повний текст

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221,022 + В379.227,022

Рубрики:

Структурний аналіз напівпровідників

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Шифр НБУВ: РА309490 Пошук видання у каталогах НБУВ

...