Пошуковий запит: (<.>U=з852.3$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 402
Представлено документи з 1 до 20
|
| |
1. | Ж27665/рад.эл. Аверина Л. И. Анализ нелинейных характеристик усилителя на полевом транзисторе с учетом паразитных сопротивлений [Текст] 43: 9-10, [ч. 1] // Изв. вузов. Радиоэлектроника.-С.78-80
|
2. | Ж16683 Томашевский А. В. Влияние параметров МОП-структуры на крутизну высокочастотной вольт-фарадной характеристики [Текст]: 2 // Радіоелектроніка. Інформатика. Управління.-С.45-47
|
3. | Ж27665/рад.эл. Конакова Р. В. Влияние радиации на вольт-амперные характеристики арсенид-галлиевых полевых транзисторов с барьером Шоттки [Текст] 42: 4 // Изв. вузов. Радиоэлектроника.-С.73-76
|
4. | Ж60673 Камалов А. Б. Влияние СВЧ излучения на характеристики GaAs полевых транзисторов с затвором Шоттки [Текст]: Вып. 35 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.145-149
|
5. | Ж60673 Іващук А. В. Вплив морфології омічних контактів на надвисокочастотні параметри польових транзисторів [Текст]: Вып. 35 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.157-161
|
6. | ВА605929 Чернів. держ. ун-т ім. Ю.Федьковича. Графоаналітичний аналіз каскадів підсилення на біполярних транзисторах [Текст] : Метод. вказівки
|
7. | Ж14164 Матвеев С. А. Исследование влияния динамических потерь в транзисторах на КПД и оптимальную нагрузку инвертора с индуктивно-емкостным преобразователем [Текст]: 5 // Техн. електродинаміка.-С.24-28
|
8. | Ж14163 Молчанов П. А. Моделирование нелинейных искажений цепей с негатронами [Текст] 22: 6 // Электрон. моделирование.-С.27-33
|
9. | Ж26990 Петерчук С. А. Моделирование процессов в транзисторном инверторе с широтно-импульсной модуляцией [Текст]: 6 // Пробл. упр. и информатики.-С.117-122
|
10. | ВА604738 Осадчук О. В.Вінниц. держ. техн. ун-т. Мікроелектронні частотні перетворювачі на основі транзисторних структур з від'ємним опором [Текст]
|
11. | Молчанов П. А. Нелинейная модель транзисторного негатрона [Текст] 20: 4 // Электрон. моделирование.-С.117-121
|
12. | Жук В. А. Об одном численном способе определения вольт-фарадных характеристик МОП-конденсатора [Текст] 20: 5 // Электрон. моделирование.-С.86-92
|
13. | Ж29221 Коломоєць Г. П. Оцінювання надійності напівпровідникових приладів за допомогою аналізу їх струмового шуму [Текст]: Вып. 106 // Радиотехника:Харьк. гос. техн. ун-т радиоэлектрон.-С.169-173
|
14. | ВА595984 Осадчук В. С.Вінниц. держ. техн. ун-т. Реактивні властивості транзисторів і транзисторних схем [Текст]
|
15. | Ж27665/рад.эл. Шатерник В. Е. Сверхпроводниковый транзистор на базе квазичастичного криотрона [Текст] 44: 7-8, [ч. 2] // Изв. вузов. Радиоэлектроника.-С.45-49
|
16. | Ж27665/рад. эл. Гельман Л. М. Спектральный анализ нестационарного узкополосного случайного воздействия [Текст] 43: 7-8, [ч. 2] // Изв. вузов. Радиоэлектроника.-С.35-40
|
17. | Ж14388 Крыжановский В. Г. Сравнение моделей биполярных транзисторов, применимых для моделирования транзисторных СВЧ-усилителей мощности [Текст] 9: 2 // Физика и техника высоких давлений.-С.117-120
|
18. | Ж14388 Крыжановский В. Г. Сравнительная характеристика моделей полевых транзисторов, применимых для проектирования усилителей мощности СВЧ [Текст] 9: 4 // Физика и техника высоких давлений.-С.119-121
|
19. | В343087 Кожем'яко В. П.Вінниц. держ. техн. ун-т. Схемотехніка сучасного приладобудування. Ч. 2 [Текст]
|
20. | Ж14534 Транзисторові - 50 років! [Текст]: 6 // Радіоаматор.-С.42
|
| |