Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3

Рубрики:

Напівпровідникові тріоди (кристалічні тріоди, транзистори)

Шифр НБУВ: ДС42289 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3

Рубрики:

Напівпровідникові тріоди (кристалічні тріоди, транзистори)

Шифр НБУВ: ДС42289 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: з852.3

Рубрики:

Напівпровідникові тріоди (кристалічні тріоди, транзистори)

Шифр НБУВ: ДС42289 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: з852.3

Рубрики:

Напівпровідникові тріоди (кристалічні тріоди, транзистори)

Шифр НБУВ: ДС42289 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Стаття не стільки про історію, скільки про теперішній час і майбутнє напівпровідникової техніки. Наводиться Програма розвитку національної напівпровідникової промисловості США до 2012 р., яка свідчить про намагання досягти гегемонії у цій галузі.

Ключ. слова: Silicon-on-insulator, high-temperature, MOS-devices
Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3

Рубрики:

Напівпровідникові тріоди (кристалічні тріоди, транзистори)

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

На основі аналізу зв'язку дефектів матеріалу напівпровідникових приладів з рівнем їх низькочастотного струмового шуму запропоновано експериментальну методику оцінювання надійності біполярних транзисторів за результатами вимірювань шуму струму бази. Методику обгрунтовано результатами вимірювань низькочастотного шуму транзисторів КТ3102.

В статье приводится вывод аналитического выражения для величины разности потенциалов между затвором и истоком GaAs-ПТШ в условиях освещения, которое учитывает как характеристики оптического излучения и конструктивные параметры транзистора, так и активное сопротивление цепи затвора и фотоэмиссию электронов из металла в полупроводник. Проводится машинный эксперимент для изучения того, как влияет мощность излучения, активное сопротивление цепи затвора и величина внешней э.д.с. на значение этой разности потенциалов.

Исследовано поведение токов утечки в МОП-транзисторах на основе кремния на изоляторе (КНИ) в диапазоне температур (20 - 300 °С). На основании полученных экспериментальных данных и численного моделирования показано, что при температурах выше 200 °С поведение токов утечки закрытого КНИ МОП-транзистора может быть объяснено с помощью диффузионной модели, учитывающей распределение потенциала и концентрации свободных носителей в пленке КНИ при соответствующих условиях.

Разработана математическая модель оценки эффективности управляющих элементов на базе обобщенных преобразователей иммитанса, позволяющая в отличие от известных производить сравнительную оценку эффективности управляющих элементов, использующих обобщенные преобразователи иммитанса любой физической природы в режимах как абсолютной, так и потенциальной устойчивости. Проведен сравнительный анализ эффективности управляющих элементов в качестве обобщенных преобразователей иммитанса биполярных и униполярных транзисторов в различных схемах их включения и определены наиболее эффективные.

Ключ. слова: switching waves, thyristor-like structure, transient processes, controlling gate current, injection level
Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3

Рубрики:

Напівпровідникові тріоди (кристалічні тріоди, транзистори)

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Предложена математическая модель полевого транзистора (ПТ), которая дает возможность оценки уровня гармоник и комбинационных составляющих любого порядка в выходном токе ПТ. С использованием программного пакета MatLAB исследован спектр комбинационных продуктов в выходном токе смесителя на ПТ при изменении характера нелинейности его проходной ВАХ. Полученные результаты и сделанные выводы подтверждают целесообразность применения ПТ с нормированным участком квадратичности проходной ВАХ в преобразователях частоты и соответствующих функциональных устройствах для высококачественной радиоприемной и точной радиоизмерительной аппаратуры.

Описано нелінійну модель транзисторного негатрону. Модель враховує відсічку колекторного струму та струмів нелінійності. У моделі більш точно визначені момент відпирання та запирання емітерного переходу. Результати розрахунків перевірено експериментально.

Досліджено вплив динамічних втрат у транзисторах на ККД та оптимальне навантаження транзисторного інвертора з індуктивно-ємнісним перетворювачем і визначено ступінь цього впливу.

Предложена модель негатрона на полевом транзисторе для нелинейного режима, в которой учитывается влияние объемного заряда на реактивные сопротивления пролетного пространства полевого транзистора. Выполнен расчет активного и реактивного сопротивлений транзистора и приведены зависимости, полученные на его основе.

Запропоновано числовий алгоритм для розрахунку вольт-фарадних характеристик (ВФХ) МОП-конденсаторів з довільним розподілом домішок у підкладинці. Проведено аналіз одержуваних результатів для оцінки параметрів відповідного МОП-транзистора.

Розглянуто питання розрахунку оптимальних параметрів конструкції транзистора за заданою сукупністю електричних параметрів та характеристик,дляи цього застосовано нову методику на основі емпіричних виражень, отриманих у результаті експериментальних досліджень. Висвітлено питання точного та повторюваного виготовлення оптимальної конструкції транзистора зі зменшеним розкидом електричних параметрів транзисторів на різних пластинках.

У дисертації розв'язано проблему схемотехнічного проектування інтегральних схем НВЧ і КВЧ діапазону на гетероструктурних транзисторах. Запропоновані апроксимаційні нелінійні моделі гетероструктурних транзисторів і методики ідентифікації схемних параметрів. Чисельні експерименти з математичними моделями субмікронних транзисторів дозволили визначити критерії стійкості чисельних методів і основні механізми виникнення похибок. Запропоновано чисельний метод дискретизації математичних моделей мікроелектронних пристроїв, адаптований до спектра власних коливань схеми. Проведено схемотехнічне проектування базових елементів надширокосмугових перетворювальних пристроїв НВЧ і КВЧ діапозону.

Наведено результати досліджень індуктивних та ємнісних властивостей транзисторів і транзисторних схем у широкому діапазоні частот. Досліджено залежності параметрів реактивних елементів від режиму експлуатації. Розглянуто схемотехнічні методи реалізації функцій індуктивності та ємності на основі гіраторних схем. Зроблено розрахунки основних параметрів пристроїв мікроелектроніки на підставі реактивних властивостей напівпровідникових приладів.

Проведено моделювання ключового режиму динамічного транзисторного негатрона. Застосовано теорему Теледжена, яку записано через хвильові параметри, що дає хороше узгодження результатів теоретичного аналізу та експерименту. Наведено приклади використання результатів для розрахунку різних типів перемикаючих пристроїв.