Ключ. слова: dosimetry, semiconductor detectors, epithermal neutrons, silicon, converter
Індекс рубрикатора НБУВ: В381.592

Рубрики:

Напівпровідникові детектори і спектрометри

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: детекторы, ионизирующие излучения, моделирование, полупроводники.
Індекс рубрикатора НБУВ: В377.12в641.8 + В381.592

Рубрики:

Напівпровідникові детектори і спектрометри

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Среди полупроводников, которые используются в спектрометрах и дозиметрах, ведущие позиции принадлежат широкозонным соединениям Cd1-xZnxTe, CdTe, HgI2. Возникает вопрос, является ли этот выбор окончательным и оптимальным. В попытке ответить на него отобраны физические параметры, критичные для детектирующей способности детектора. Они включают, прежде всего, подвижность, время жизни, атомный номер и удельное сопротивление. На основе выбранных параметров проведен анализ бинарных соединений с тетраэдрической структурой.

Among the semiconductor crystals employed in spectrometers and dosimeters the leading positions belongs to the wide-gap compounds Cd1-xZnxTe, CdTe, HgI2. The question arises whether it is the final and optimal choice. In an attempt to answer it, physical parameters, crucial for detector performance were selected. They include, first of all, mobility, lifetime, mean atomic number, and resistivity. An analysis of binary compounds with tetrahedral structure was done on the basis of the selected parameters

Індекс рубрикатора НБУВ: В381.592

Рубрики:

Напівпровідникові детектори і спектрометри

Шифр НБУВ: Ж23042 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В381.592

Рубрики:

Напівпровідникові детектори і спектрометри

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З854.2 + В381.592

Рубрики:

Напівпровідникові фотоелектричні прилади

Напівпровідникові детектори і спектрометри

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: радиационные повреждения, полупроводникове детекторы, gamma-излучение, корпускулярное излучение, кремний, CdTe, CdZnTe
Індекс рубрикатора НБУВ: В381.592

Рубрики:

Напівпровідникові детектори і спектрометри

Шифр НБУВ: Ж29137 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В381.592

Рубрики:

Напівпровідникові детектори і спектрометри

Шифр НБУВ: Ж29137 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: фотообразование изомеров, индий-115, индий-113, тормозное излучение, кривые выхода, интегральные сечения, активационная методика, германий-литиевый гамма детектор, электростатический ускоритель
Індекс рубрикатора НБУВ: В383.282.72 + В381.592

Рубрики:

Напівпровідникові детектори і спектрометри

Шифр НБУВ: Ж29137 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В383.33 + В381.592

Рубрики:

Бета-розпад і електронний захват. Бета-випромінювання

Напівпровідникові детектори і спектрометри

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В381.592

Рубрики:

Напівпровідникові детектори і спектрометри

Шифр НБУВ: Ж25640 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Представлено результати дослідження спектрометричних характеристик CdTe (CdZnTe) детекторів у процесі реєстрації гамма-випромінювання в діапазоні 15 - 500 кеВ та альфа-випромінювання в діапазоні 4 - 8 МеВ. Показано, що такі детектори можна використовувати для вирішення аналітичних задач з визначення елементів від лантану до плутонію з реєстрацією характеристичного рентгенівського випромінювання К-серії та спектрометрії частинок у методі ядерних реакцій і у процесі ідентифікації ізотопів.

Індекс рубрикатора НБУВ: В381.592 + В381.91 + З852

Рубрики:

Напівпровідникові детектори і спектрометри

Електроні прилади для вимірювання, відбору і реєстрації даних ядерно-фізичного експерименту

Напівпровідникові прилади

Шифр НБУВ: Ж25640 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розглянуто застосування математичної моделі діодного детектора, яку побудовано на базі нейромережевих технологій. Модель забезпечує високий ступінь квадратичності вихідного сигналу детектора та вимірювання значення комплексного коефіцієнта відбиття за допомогою тризондового хвилеводного датчика. Оптимальна модель нейронної мережі має структуру 1-10-1 нейронів. Працездатність методу підтверджено даними реального експерименту.

Розглянуто можливість використання кремнієвого стріп-детектора з поліетиленовою плівкою для визначення координат швидких нейтронів. Точність визначення координат швидких нейтронів залежить від особливостей взаємодії нейтронів із поліетиленом, а також від точності реєстрації в стріп-детекторі протонів віддачі, що утворюються внаслідок пружного розсіяння нейтронів у поліетилені. Таким чином, точність визначається енергіями та кутовим розподілом протонів віддачі та характеристиками треків, що утворюються в детекторі. Розраховано залежність середнього заряду, зібраного на смужці, від координати нейтрона. Показано, що найбільш важливим для точності визначення координат є вибір віддалі між смужками. Розглянуто вплив на точність визначення координат інших факторів, таких як розподіл електричного поля в детекторі та відношення довжини треку до відстані між смужками.

Теоретично й експериментально обгрунтовано можливості створення високоефективного болометричного високотемпературного надпровідника (ВТНП) багатоелементного перетворювача інфрачервоного (ІЧ) зображення з безелектродним поелементним виділенням інформації. Запропоновано й обгрунтовано організацію поелементного зчитування інформації у широкоформатній ВТНП болометричній структурі, яка б дозволила уникнути формування великої кількості електричних з'єднань з комутатором, з цією метою досліджено можливості формування та переміщення на її приймальній площині локальних областей, чутливих до зовнішнього випромінювання, за допомогою лазерного зонда. Теоретично оцінено межову чутливість та просторове розрізнення ВТНП багатоелементного перетворювача ІЧ зображення з формуванням окремих елементів за допомогою лазерного зонда та досліджено фактори, які обмежують ці параметри, а також оптимізовано енергетичні та часові параметри лазерного зонда. Досліджено надпровідні властивості та шумові характеристики найбільш придатних ВТНП матеріалів з точки зору болометричних використань та оптимізовано технологію формування приймальних структур на їх базі з метою створення діючих зразків перетворювача ІЧ зображення. Наведено методики, вимірювальні установки та проведено експериментальне дослідження детектувальних властивостей такого перетворювача ІЧ зображення.

  Скачати повний текст

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271,022 + В381.592,022

Рубрики:

Електричні властивості

Напівпровідникові детектори і спектрометри

Шифр НБУВ: РА333267 Пошук видання у каталогах НБУВ 

  Скачати повний текст

Досліджено характеристики двосторонніх мікростріпових кремнієвих детекторів та створено на їх основі модулі для стриптового шару внутрішньої трекової системи детектора ALICE на великому адронному колайдері у ЦЕРНі (Женева, Швейцарія). На підставі даних, одержаних від чотирьох прототипів модулів, що у складі телескопа були використані для реєстрації пучка піонів з імпульсами 7 Гев/с, удосконалено алгоритми обробки сигналу зі стріпного детектора та розроблено новий швидкий метод визначення прсторової роздільної здатності детекторів. Вивчено вплив елементів конструкції двостороннього мікростріпового кремнієвого сенсора та створеного модуля на просторову роздільну здатність, ефективність і відношення сигнал / шум. Розроблено фізико-технічні основи складання модулів двосторонніх мікростріпових детекторів з використанням технології автоматизованого одноточкового ультразвукового зварювання на плівковому носії та розробленої методики контролю комунікаційних мікрокабелів шляхом оптичного сканування й аналізу зображень, які забезпечили високий рівень виходу модулів, що відповідають вимогам експерименту ALICE.