Індекс рубрикатора НБУВ: В378.26 + К233.502.6

Рубрики:

Тонкі шари металів

Шифр НБУВ: Ж68777 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: сверхпроводящее состояние, атомный и спиновый порядки, электроны проводимости, цезий-рубидиевая фуллереновая соль
Індекс рубрикатора НБУВ: В368.31 + К233.502

Рубрики:

Надпровідність. Надпровідники

Кристалічна будова лужних металів та їх сплавів

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Наведено режими вирощування сильнолегованих монокристалів арсеніду галію методом Чохральського без дрібнодисперсних включень другої фази. У ході експериментів з вирощування монокристалів, легованих оловом, відзначено, що для підвищення межі легування рекомендовано використовувати режим вирощування, який забезпечує високий градієнт температури поблизу фронту кристалізації та низьку швидкість витягування. У цьому разі необхідно використовувати зневоднений борний ангідрид для рідинної герметизації розплаву.

Ключ. слова: quasi-forbidden reflection, Friedel intensity ratio, resonant frequences, reflectivity
Індекс рубрикатора НБУВ: К233.502

Рубрики:

Кристалічна будова лужних металів та їх сплавів

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

За допомогою методу контактної різниці потенціалів досліджено кінетику поверхневої дифузії в субмоношарових плівках літію на грані (112) вольфраму. Одержані експериментальні дані свідчать про колективний характер поверхневої дифузії, який спричиняє сильні зміни дифузійної кінетики у разі зміни концентрації адсорбованих атомів на поверхні та динамічну самоорганізацію дифузійної зони. Проведено порівняння концентраційних залежностей параметрів дифузії різних електропозитивних адсорбатів і розглянуто їх загальні риси та відмінності. Досліджено вплив електричного поля на кінетику поверхневої дифузії.

Фeномен мікрохвильової іонізації для неводнеподібних атомних систем у рідбергівських станах на прикладі атома рубідію вивчено на підставі нової версії методу квазістаціонарних квазіенергетичних станів та методу модельного потенціалу.

Експериментально вивчено морфологію та геометричний рельєф реальних поверхонь (100) монокристалів GaAs, вирощених способом Чохральського. Поверхні отримано різними способами: механічним і хіміко-механічним поліруванням, механічним різанням, анізотропним хімічним травленням. Як взаємодоповнювальні методи використано ковзне відбиття рентгенівських променів, оптичне дзеркальне відбиття, профілометрію, скануючі тунельну мікроскопію та мікроскопію атомних сил. Проведено порівняння результатів вимірювань геометричної структури поверхні, отриманих різними методами, і з'ясовано, що реальну поверхню GaAs можна описати як суперпозицію мікро- та макрошорсткостей, які проявляються у випадку розсіяння електромагнітних хвиль з відповідною довжиною хвилі.

Экспериментально изучено морфологию и геометрический рельеф реальных поверхностей (100) монокристаллов GaAs, выращенных способом Чохральского. Поверхности получены способами механической и химико-механической полировки, механической резки, анизотропного химического травления. Как взаимодополняющие использованы методы скользящего отражения рентгеновских лучей, оптического зеркального отражения, профилометрии, сканирующих туннельной и атомных сил микроскопии. Результаты измерений сравнены различными методами и установлено, что реальную поверхность GaAs можно представить суперпозицией микро- и макрошероховатостей, которые проявляются при рассеивании электромагнитных волн с соответствующей длиной волны.

The paper presents the study of morphology and roughness of (100) surfaces of GaAs single crystals grown by the Czochralski method. The surfaces were prepared in a different way: mechanical polishing, chemomechanical polishing, mechanical grinding, wet polishing etching, anisotropic etching. The X-ray grazing incidence reflectivity, atomic force microscopy, scanning tunneling microscopy, optical specular reflection, and profilometric methods were complementary used. The application of these methods allowed to reveal the details of differences in the surface morphology varied with the way of its preparation.

В модели Андерсона рассмотрены электронные состояния упорядоченных слоев щелочных и редкоземельных металлов, адсорбированных на поверхности графена. Проанализировано поведение плотности состояний такой системы. Рассмотрен случай адсорбированного металлического нанослоя с дискретным энергетическим спектром носителей. Предложена система, электронными состояниями которой можно управлять с помощью приложенного электрического поля, что представляет большой практический интерес. Качественное отличие подхода в существующих теоретических работах по данной проблеме в том, что в отличие от настоящей работы в них все же используется "одноадатомный" формализм, не затрагивающий зонную структуру металлического адслоя. Также рассмотрен возможный способ описания электронных состояний адсорбированного слоя атомов Gd и других металлических слоев, образующих на поверхности графена фрактальную структуру.

Розглянуто прикладні аспекти обробки лужногалоїдних кристалів методом різання направленим розчиненням. Показано, що при нарізанні вологою ниткою величина напружень у кристалі зменшується, що є важливим фактором при різанні великогабаритних зливків, в яких залишкові напруження можуть досягати високого рівня. Наведено приклади розроблених технічних рішень для безпечного різання великогабаритних кристалів та пресовок NaI(Tl).

Досліджено кореляцію залежностей параметрів акустичної емісії й амплітуди комбінаційної сумарної гармоніки двох зустрічних ультразвукових хвиль великої амплітуди у монокристалах LiF. Дана кореляція пов'язується з релаксацією структури дефектів у полі ультразвукової хвилі.

Індекс рубрикатора НБУВ: В374.9 + К233.502.1

Рубрики:

Люмінесценція твердих тіл. Люмінесценція кристалів (кристалолюмінесценція)

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: К233.502 + К233.504

Рубрики:

Кристалічна будова лужних металів та їх сплавів

Стани та структура лужних металів та їх сплавів

Шифр НБУВ: Ж28852/х. Пошук видання у каталогах НБУВ