Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
| Знайдено в інших БД: | Автореферати дисертацій (2) | Книжкові видання та компакт-диски (5) |
Пошуковий запит: (<.>A=Іващук А$<.>) | ||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 10 Представлено документи з 1 до 10 |
||||
| 1. | Іващук А. В. Вплив морфології омічних контактів на надвисокочастотні параметри польових транзисторів / А. В. Іващук, В. І. Тимофєєв // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2000. - Вып. 35. - С. 157-161. - Бібліогр.: 10 назв. - укp. Наведено результати теоретичних і експериментальних досліджень впливу морфології омічних контактів (ОК) на надвисокочастотні (НВЧ) параметри GaAs польових транзисторів з бар'єром Шотткі (ПТШ). Доведено, що основні НВЧ параметри ПТШ залежать від морфології ОК. Показано, що запропонована секційна модель ПТШ для врахування неоднорідностей дає можливість із високим ступенем достовірності в широкому температурному діапазоні вирахувати коефіцієнт підсилення за потужністю і шумовою температурою ПТШ, що підтверджено експериментальними результатами. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.395-01 Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 2. | Кривень В. А. Моделювання пластичних зон під час зсувного деформування півшару з тріщиною / В. А. Кривень, А. Д. Іващук // Фіз.-хім. механіка матеріалів. - 2003. - 39, № 6. - С. 31-36. - Бібліогр.: 8 назв. - укp. Исследовано развитие пластических зон в идеально упругопластическом полуслое с трещиной в срединной плоскости в условиях антиплоской деформации, вызванной перемещением жестких граней полуслоя. Найдены уравнения границы континуальной пластической зоны и ее длины в плоскости трещины как функции нагрузки. Выполнен приближенный анализ коэффициента интенсивности напряжений упругого решения зон, так называемой линейной модели пластической зоны. Індекс рубрикатора НБУВ: В251.2 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж29109 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 3. | Іващук А. В. Вплив технології металізації на параметри омічних контактів до GaAs / А. В. Іващук // Фізика і хімія твердого тіла. - 2004. - 5, № 2. - С. 382-386. - Бібліогр.: 12 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 4. | Іващук А. В. Формування омічних контактів до напівпровідників $Eroman bold {A sub 3 B sub 5 } для НВЧ польових транзисторів із наднизьким рівнем шуму : Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.01 / А. В. Іващук; Нац. техн. ун-т України "Київ. політехн. ін-т". - К., 2003. - 24 c. - укp.
Шифр НБУВ: РА324529 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 5. | Іващук А. А. Варіативність та взаємоперехід інформаційних жанрів у сучасній українській пресі : автореф. дис... канд. наук із соц. комунікацій : 27.00.04 / А. А. Іващук; Київ. нац. ун-т ім. Т.Шевченка. Ін-т журналістики. - К., 2009. - 17 c. - укp. Проаналізовано нові тенденції розвитку окремих видів жанрів: від традиційної інформаційної замітки до порівняного нового для української журналістики явища, як репортаж-розслідування з елементами аналітики. Акцентовано увагу на проблемах творчої взаємодії окремих журналістських колективів і журналістів-стрінгерів, які проводять журналістське розслідування самостійно. Сформульовано дефініцію процесів жанроутворення та запропоновано нові визначення традиційних жанрів. Доведено, що розвиток жанрів відбувається в тісному зв'язку з канонами професійної журналістської етики. Зазначено, що процес підготовки працівників редакції, дотримання молодших колег, елементи творчого суперництва сприяють розвиткові жанрової теорії й практики.  Скачати повний текстІндекс рубрикатора НБУВ: Ч612.162/163 Шифр НБУВ: РА367082 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 6. | Баран М. М. Автоматизований вимірювально-обчислювальний комплекс для дослідження зон кріодеструкції апарату "Кріо-пульс" / М. М. Баран, А. В. Іващук, О. П. Шуляк // Электроника и связь. - 2010. - № 5. - С. 159-163. - Бібліогр.: 6 назв. - укp.
| |||
| 7. | Іващук А. В. Радіаційна стійкість омічних контактів до IBnD-GaAs / А. В. Іващук // Электроника и связь. - 2010. - № 3. - С. 46-48. - Бібліогр.: 10 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж69367 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 8. | Коваль В. М. Тонкоплiвковi сонячнi елементи на основi нанокристалiчного кремнiю / В. М. Коваль, О. В. Богдан, А. В. Іващук, Ю. І. Якименко // Наук. вісті НТУУ "КПІ". - 2012. - № 5. - С. 19-26. - Бібліогр.: 30 назв. - укp.
| |||
| 9. | Гетьман А. В. Радіаційна стійкість кремнієвого фотоперетворювача / А. В. Гетьман, В. А. Гетьман, А. В. Іващук, М. С. Фадєєв, Ю. І. Якименко // Электроника и связь. - 2015. - 20, № 2. - С. 23-26. - Бібліогр.: 5 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж69367 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 10. | Сухов В. В. Сучасний стан та перспективи розвитку літаків на сонячній енергії в Україні / В. В. Сухов, А. В. Іващук, Я. С. Козей // Вісн. Нац. техн. ун-ту України "КПІ". Сер. Машинобудування. - 2016. - Вип. 2. - С. 5-14. - Бібліогр.: 19 назв. - укp. Проведено аналіз сучасного стану досліджень за темою літальних апаратів на сонячній енергії. Описано проблеми які виникають при створенні літального апарату даного типу та рекомендації по їх вирішенню. Сформовано рівняння існування літака на сонячній енергії на основі синтезу законів аеродинаміки літака та умов його енергетичного балансу. Визначено технологічні, конструкційні, проектні та експлуатаційні обмеження на літаки даного типу. Зазначено перспективи створення, можливості експлуатації літальних апаратів на сонячній енергії в Україні, тенденції розвитку досліджень даного та суміжних з ним напрямків. Індекс рубрикатора НБУВ: О533 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж29126/маш. Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського