Простий пошук
Розширений пошук
Алфавітні покажчики

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Віртуальна довідка
Тематичний інтернет-навігатор
Наукова електронна бібліотека
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повнийстислий
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (2)
Пошуковий запит: (<.>A=Андронова Е$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 4
Представлено документи з 1 до 4
      
Категорія:    
1.

Андронова Е. В. 
Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb / Е. В. Андронова, Е. А. Баганов, А. Ю. Далечин, А. Ю. Карманный // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2003. - № 1. - С. 46-48. - Библиогр.: 9 назв. - рус.

Исследовано влияние поглощения излучения в квантовых точках (КТ) InSb на эффективность термофотовольтаических (ТФВ) элементов на основе GaSb. Показано, что введение КТ позволяет значительно расширить спектральный диапазон фоточувствительности и повысить эффективность ТФВ-элементов. Рассмотрены анализ оптических переходов в КТ InSb, а также зависимости термодинамической эффективности ТФВ-элемента от размеров КТ позволил определить оптимальный тип проводимости, уровень легирования материала матрицы, а также выбрать оптимальный диаметр КТ.

The investigation results of influence of InSb quantum dots photon absorbtion on GaSb termophotovoltaic cells efficiency are presented. It is shown, that quantum dots introduction allows to expand a spectral range of photosensivity considerably and, thus, to increase efficency of thermophotovoltaic cells. The analysis of optical transitions in InSb quantum dots and dependences of thermophotovoltaic cells efficiency on the quantum dots sizes had allowed to determine optimum type of conductivity and doping level of a matrix material and also to determine optimum quantum dots diameter.


Індекс рубрикатора НБУВ: З843.33

Рубрики:
 Індій, галій та їхні сполуки 

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 
      
Категорія:    
2.

Андронова Е. В. 
Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев / Е. В. Андронова, В. В. Курак // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2008. - № 6. - С. 41-43. - Библиогр.: 12 назв. - рус.


Ключ. слова: подложка GaSb, предэпитаксиальная обработка, химическое травление, жидкофазная эпитаксия.
Індекс рубрикатора НБУВ: З843.33

Рубрики:
 Індій, галій та їхні сполуки 

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
3.

Андронова Е. В. 
Моделирование процессов тепломассопереноса при жидкофазной эпитаксии соединений $E bold roman {A sup 3 B sup 5} методом импульсного охлаждения насыщенного раствора-расплава / Е. В. Андронова, Е. А. Баганов, В. В. Курак // Пром. теплотехника. - 2007. - 29, № 4. - С. 38-44. - Библиогр.: 8 назв. - рус.

Рассмотрены процессы тепломассопереноса, происходящие при эпитаксии структур методом импульсного охлаждения насыщенного раствора-расплава с учетом слоя технологического газа между подложкой и теплопоглотителем. Получены зависимости времени появления и величины максимума переохлаждения на фронте кристаллизации от технологических параметров процесса. Показано, что область оптимального применения данного метода - субмикронные слои толщиной менее 100 - 200 нм.


Індекс рубрикатора НБУВ: В365.551.3

Рубрики:
 Теплопровідність рідин 

Шифр НБУВ: Ж14162 Пошук видання у каталогах НБУВ 
      
Категорія:    
4.

Марончук И. Е. 
Использование метода импульсного охлаждения насыщенного раствора-расплава для формирования наноразмерных структур InSb в матрице GaSb / И. Е. Марончук, Е. В. Андронова, Е. А. Баганов, В. В. Курак // Автоматика. Автоматизация. Электротехн. комплексы и системы. - 2003. - № 1. - С. 91-95. - Библиогр.: 11 назв. - рус.

Исследована возможность получения квантовых точек второго типа InSb в матрице GaSb с помощью метода импульсного охлаждения насыщенного раствора-расплава. На основании модели тепломассопереноса разработаны технологические режимы процессов выращивания. Исследование спектров фотолюминесценции позволило предположить форму и размеры квантовых точек.


Індекс рубрикатора НБУВ: К391.91

Рубрики:
 Виробництво композитних металокерамічних матеріалів і виробів 

Шифр НБУВ: Ж16145 Пошук видання у каталогах НБУВ 
 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського