Наведено експериментальні результати досліджень напружених надграток (НГ) ZnS - ZnSe з недосконалими гетеромежами. Показано, що на енергетичний спектр екситонів таких НГ впливають недосконалість гетеромеж та внутрішні деформації, які виникають через різні значення сталих граток напівпровідників, що утворюють НГ.

Викладено основні віхи розвитку Інституту фізики НАН України з часу його заснування у 1929 р. до наших днів. Історична довідка містить відомості про формування та розвиток основних наукових напрямів, про структуру Інституту у різні часи його існування. Подано стислий огляд основних наукових досягнень Інституту та наукового доробку крупних українських вчених-фізиків, які працювали в Інституті.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.13

Рубрики:

Квантова теорія

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.2

Рубрики:

Електронна теорія

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.371.7

Рубрики:

П'єзоелектричні і сегнетоелектричні явища. Фізика п'єзоелектриків і сегнетоелектриків (фероелектриків)

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Проаналізовано наукову діяльність академіка НАН України М.Бродина - видатного українського вченого-фізика світового рівня, його внесок у розвиток освіти і культури. Наведено результати досліджень молекулярних екситонів, теоретичних досліджень спектрів молекулярних кристалів. Розглянуто особливості загасання і рефракції світла в області екситонних переходів, явища просторової дисперсії та неаналітичності екситонних зон.

Проанализирована научная деятельность академика НАН Украины М.Бродина - известного украинского ученого-физика мирового масштаба, его вклад в развитие образования и культуры. Приведены результаты исследований молекулярных экситонов, теоретических исследований спектров молекулярных кристаллов. Описаны особенности угасания и рефракции света в области экситонных переходов, явления пространственной дисперсии и неаналитичности экситонных зон.

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.236 + В374.9

Рубрики:

Люмінесценція твердих тіл. Люмінесценція кристалів (кристалолюмінесценція)

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: анатаз, нанокристаллиты, кубическая нелинейность, дефектный уровень, фотокаталитическая активность
Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3-06

Рубрики:

Напівпровідникові матеріали та вироби

Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: напівпровідникові нанокластери, q-точка, q-дріт, люмінесценція, молекулярне сито
Індекс рубрикатора НБУВ: Ж620 + В379.2

Рубрики:

Нанотехнології

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В333.1

Рубрики:

Експериментальні методи і апаратура фізики плазми

Шифр НБУВ: Ж26988/огл. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В315.7

Рубрики:

Квантова електродинаміка

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Наведено результати досліджень зразків боросилікатного скла з квантовими точками (КТ) CdS, розміри яких є меншими за борівський радіус екситонів. У наближенні методу ефективної маси розраховано середній розмір КТ для даної концентрації CdS, який добре узгоджується з рентгенографічними даними, а також енергією зв'язку екситонів з та без урахування діелектричного непогодження напівпровідника та матриці. Показано, що в таких КТ існують 2 канали випромінювальної рекомбінації, пов'язані з анігіляцією екситонів у квантових і поверхневих (локалізованих) станах. Ефективність релаксації екситонів між каналами залежить від розміру КТ. Під час збудження в довгохвильову ділянку спектра поглинання зразків вперше виявлено смугу фотолюмінесценції, сформовану рекомбінацією екситонів виключно в локалізованих станах, характерні властивості якої є притаманними іншим структурам із непорядком. Зроблено висновок про універсальний характер процесу енергетичної релаксації та форми смуги фотолюмінесценції локалізованих екситонів у КТ та ямах із непорядком на гетеромежах, аморфних напівпровідниках і твердих розчинах.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.4

Рубрики:

Фотоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.8 + В371.236

Рубрики:

Кластери в твердих тілах

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Предложена математическая модель измерительного тракта лазерной установки для исследования свойств новых нелинейно-оптических материалов. Модель представляет собой интегральное уравнение Фредгольма первого рода. Ядро уравнения построено на основе экспериментальных данных и представлено в аналитическом виде. Достоверность модели подтверждена дополнительными исследованиями с использованием высокоточного оборудования.

Досліджено індикатриси розсіяння в чистих кристалах KDP і в KDP з інкорпорованими наночастинками діоксиду титану. Показано, що оптична якість кристалів знижується несуттєво для досліджуваних концентрацій наночастинок. Розроблено й розглянуто математичну модель експериментальної установки для вимірювання розсіяння світла у слаборозсіювальних середовищах. Апаратну функцію проходження експериментальної установки надано в аналітичній формі. Відповідність моделі перевірено з використанням експериментальних даних із розсіяння.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.314.2

Рубрики:

Екситони. Екситонні рівні

Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розглянуто приклад розв'язання за допомогою методів обчислювальної фізики задачі математичної інтерпретації експериментальних досліджень оптичних властивостей тонких шарів (наноплівок) пористих матеріалів. Для опису вимірювального тракту експериментальної лазерної установки побудовано математичну модель у вигляді інтегрального рівняння Фредгольма першого роду з ядром у вигляді функції "шапочка". Розроблено сплайн-ітераційну модифікацію методу Ландвебера розв'язку істотно некоректної задачі. Наведено результати обчислювального експерименту. Зокрема, один з основних результатів полягає в тому, що амплітудні значення істинного розподілу інтенсивності світлового потоку вдвічі перевищують амплітудні значення спостережуваного розподілу.

Analysis of the major types of ionizing radiation detectors, their advantages and disadvantages are presented. Application of ZnSe-based semiconductor detector in high temperature environment is substantiated. Different forms of ZnSe-based detector samples and double-crystal scheme for registration of X- and gamma rays in a broad energy range were used. Based on the manufactured simulator device, the study sustains the feasibility of the gamma quanta recording by a high-resistance ZnSe-based detector operating in a perpulse mode.