Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
| Знайдено в інших БД: | Книжкові видання та компакт-диски (2) |
Пошуковий запит: (<.>A=Драпак С$<.>) | ||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 6 Представлено документи з 1 до 6 |
||||
| 1. | Драпак С. І. Вплив водню на електричні властивості контакту Sn-p-InSe / С. І. Драпак, В. М. Камінський, З. Д. Ковалюк, В. В. Нетяга, В. Б. Орлецький // Фізика і хімія твердого тіла. - 2003. - 4, № 4. - С. 656-658. - Бібліогр.: 9 назв. - укp. Досліджено вплив інтеркаляції воднем моноселеніду індію на електричні властивості фоточутливих структур на його основі типу метал-діелектрик-напівпровідник (МДН) та діода Мота (ДМ). Установлено, що інтеркаляція воднем базового напівпровідника приводить до покращення діодних властивостей МДН-структури, і погіршення - для ДМ. Проведено аналіз механізмів струмопереносу для обох типів структур на основі їх зонних діаграм. The influence of hydrogen intercalation on indium monoselenide is investigated measuring electrical properties of based on it photosensitive structures to metal-insulator-semiconductor (MIS) and Mott diode (MD). It is established that intercalation ofthe basic semiconductor with hydrogen leads to the improvement of diodic properties of the MIS structures whereas those for the DM structure becomes worse. For the both structures current transport mechanisms are analyzed on the basis of their band diagrams Ключ. слова: контакт метал-напівпровідник, інтеркаляція, водень, зонна діаграма Індекс рубрикатора НБУВ: Г121.1-2 + В379.5 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 2. | Драпак С. І. Особливості електричних властивостей ізотипних гетеропереходів IpD-GaSe-IpD-InSe / С. І. Драпак, З. Д. Ковалюк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2004. - 5, № 2. - С. 292-297. - Бібліогр.: 23 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 3. | Драпак С. І. Електричні та фотоелектричні властивості гетеросистем напівпровідник - мумійо / С. І. Драпак, З. Д. Ковалюк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2006. - 7, № 4. - С. 681-686. - Бібліогр.: 24 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 4. | Драпак С. І. Самоорганізація границі розділу гетеропереходів IpD-GaSe - InD-InSe, виготовлених методом посадки на оптичний контакт, в процесі довготривалого зберігання / С. І. Драпак, З. Д. Ковалюк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2005. - 6, № 2. - С. 230-234. - Бібліогр.: 17 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 5. | Драпак С. І. Особливості фізичних властивостей гетероконтактів на основі шаруватих моноселенідів галію та індію : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / С. І. Драпак; Чернів. нац. ун-т ім. Ю.Федьковича. - Чернівці, 2004. - 20 c. - укp.
Шифр НБУВ: РА343400 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 6. | Драпак С. І. Mеханізм струмоперенесення в ізотипних гетероконтактах IBnD-InVB2DSeVB3D - IBnD-InSe / С. І. Драпак, А. В. Заслонкін, З. Д. Ковалюк // Наук. вісн. Чернів. ун-ту. Сер. Фізика, електроніка. - 2006. - Вип. 303. - С. 65-70. - Бібліогр.: 24 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж69219 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського