![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Віртуальна довідка ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Тематичний інтернет-навігатор ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Наукова електронна бібліотека ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання
![Mozilla Firefox](../../ico/mf.png) |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Формат представлення знайдених документів: | повний | стислий |
Пошуковий запит: (<.>A=Корбутяк Д$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 32
Представлено документи з 1 до 20
|
| |
| | | | |
1. |
Корбутяк Д. В. Домішково-дефектна структура CdTe:Cl - матеріалу для детекторів іонізуючого випромінювання (Огляд) / Д. В. Корбутяк, С. В. Мельничук, П. М. Ткачук // Укр. фіз. журн. - 1999. - 44, № 6. - С. 730-737. - Бібліогр.: 38 назв. - укp.Проведено аналіз літературних даних стосовно домішково-дефектної структури та огляд пов'язаних з нею фізичних властивостей монокристалів CdTe:Cl, що визначають детекторні характеристики матеріалу для реєстрації іонізуючого випромінювання. Індекс рубрикатора НБУВ: В381.51
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
2. |
Литовченко В. Г. Нерівноважні квантово-розмірні ефекти на поверхні напівпровідників та в тонкоплівкових шаруватих структурах / В. Г. Литовченко, Д. В. Корбутяк, С. Г. Крилюк, Ю. В. Крюченко // Укр. фіз. журн. - 1998. - 43, № 11. - С. 1493-1498. - Бібліогр.: 23 назв. - укp.Наведено результати досліджень переносу електронів і дірок біля поверхні напівпровідників - як ефектів, зумовлених рухом і розсіюванням поверхневих носіїв заряду одного знака, так і ефектів, до яких приводить одночасне існування поблизу поверхні електронів і дірок (нерівноважної електронно-діркової плазми). Розглянуто випадки власної плазми напівпровідників та електричної і світлової інжекції електронів і дірок. Концентрація плазми змінювалась у широких межах - від гранично малої до такої, що забезпечує формування електронно-діркової рідини. Поряд з традиційними для цієї області електрофізичними методами використано оптичні методи (фотолюмінесценцію (ФЛ), оптичне підсилення тощо). Індекс рубрикатора НБУВ: В379.225
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
3. |
Корбутяк Д. В. Детекторы $E bold X - и $E bold gamma -излучений на основе монокристаллов CdTe и CdZnTe (Обзор) / Д. В. Корбутяк, Е. Ф. Венгер, С. Г. Крылюк, Ю. В. Крюченко, Э. И. Кузнецов, А. В. Прохорович // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2001. - Вып. 36. - С. 5-34. - Библиогр.: 72 назв. - рус. Індекс рубрикатора НБУВ: З852
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
4. |
Крюченко Ю. В. Екситонні ефекти в фотолюмінесценції кремнієвих наноструктур (огляд) / Ю. В. Крюченко, А. В. Саченко, Д. В. Корбутяк // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. - 2004. - 2, Вип. 1. - С. 47-111. - Бібліогр.: 53 назв. - укp.В огляді розглянуто питання, пов'язані з теорією випромінювання світла в кремнієвих нанокристалах (НК), а саме - з механізмом випромінювальних екситонних переходів. Проаналізовано випадок, коли під дією лазерного збудження в нанокристалах генеруються електронно-діркові пари, які потім зв'язуються в екситони. Продемонстровано важливу роль ефекту "діелектричного підсилення" в кремнієвих НК, що знаходяться в оболонці з діоксиду кремнію. Показано, що поряд з енергією екситонних переходів залежним від розміру НК є і характеристичний час випромінювальної екситонної рекомбінації, причому ця залежність має немонотонний характер. Одержано співвідношення між нерівноважними концентраціями екситонів та електронно-діркових пар у кремнієвих НК. Розглянуто механізм оже-рекомбінації екситонів у кремнієвих НК з участю поверхневих центрів, що дає змогу пояснити лінійну залежність інтенсивності фотолюмінесценції (ФЛ) в кремнієвих наноструктурах (НС) від інтенсивності збудження. Показано, що особливості, які спостерігаються в експериментально одержаних спектрах ФЛ пористого кремнію та кремнієвих структур з квантовими точками, можна пояснити, враховуючи такі ефекти: ефект квантового обмеження, що призводить до квантування енергетичного спектра НК; ефект, пов'язаний з непрямозонністю вихідного кремнієвого матеріалу, який призводить до виникнення осциляцій на залежності випромінювального часу життя екситонів від розміру НК; квантовий мезоскопічний ефект, який призводить до сильного розширення області оптичних переходів в енергетичному спектрі кремнієвих НК найменших розмірів (~ 1 - 2 нм). Ключ. слова: напівпровідникова наноструктура, квантово-розмірний ефект, екситонні стани, спектри фотолюмінесценції, пористий кремній Індекс рубрикатора НБУВ: В372.314.2 + В371.236
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
5. |
Корбутяк Д. В. Особливості фотолюмінесценції компенсованих монокристалів CdTe:Cl (огляд) / Д. В. Корбутяк, С. Г. Крилюк, Ю. В. Крюченко, Н. Д. Вахняк // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2002. - Вып. 37. - С. 23-40. - Бібліогр.: 51 назв. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В374.98
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
6. |
Купчак І. М. Енергетичні та випромінювальні характеристики електрон-діркових збуджень у напівпровідникових квантових точках, що містяться в діелектричній матриці / І. М. Купчак, Ю. В. Крюченко, Д. В. Корбутяк // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. - 2004. - 2, вип. 3. - С. 765-782. - Бібліогр.: 17 назв. - укp.Розглянуто модель сферичної напівпровідникової квантової точки (КТ) у діелектричному середовищі. Знайдено енергетичний спектр електрон-діркових пар у таких нанокристалітах і характеристичний час їх випромінювальної рекомбінації. Розрахунок проведено в наближенні ефективної маси та параболічних законів дисперсії для носіїв заряду з урахуванням як скінченності висоти оточуючого потенціального бар'єра для носіїв заряду, так і проникнення силових ліній електричного поля кулонівської взаємодії між зарядами в діелектричне середовище. Показано, що поляризація гетеромежі може призвести до значного збільшення (а в деяких випадках зменшення) внеску кулонівської енергії взаємодії в повну енергію електрон-діркового переходу в КТ. Ключ. слова: напівпровідникова наноструктура, квантово-розмірний ефект, екситонні стани, ефект діелектричного підсилення Індекс рубрикатора НБУВ: З852 + В371.3 + В379.271
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
7. |
Саченко А. В. Високотемпературна екситонна рекомбінація в кремнії і кремнієвих наноструктурах / А. В. Саченко, Д. В. Корбутяк, Ю. В. Крюченко, І. М. Купчак // Укр. фіз. журн. (Огляди). - 2006. - 3, № 1. - С. 70-89. - Бібліогр.: 64 назв. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988/огл. Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
8. |
Корбутяк Д. В. Дослідження фотолюмінесценції і електропровідності ZnTe, вирощеного в атмосфері водню / Д. В. Корбутяк, Н. Д. Вахняк, Д. І. Цюцюра, О. М. Пігур, Р. М. Пелещак // Укр. фіз. журн. - 2007. - 52, № 4. - С. 378-381. - Бібліогр.: 9 назв. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
9. |
Зуєв В. О. Прояв екситонів в приповерхневих шарах Шотткі кристалів $E bold beta-ZnPVB2D / В. О. Зуєв, Л. М. Гориня, Г. О. Сукач, Ю. В. Крюченко, Д. В. Корбутяк, В. Г. Литовченко // Фізика і хімія твердого тіла. - 2006. - 7, № 1. - С. 17-20. - Бібліогр.: 4 назв. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.225 + З852.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
10. |
Брикса В. П. Синтеза та оптичні властивості колоїдних розчинів нанокристалів CdTe / В. П. Брикса, С. М. Калитчук, В. В. Стрельчук, С. Г. Крилюк, Д. В. Корбутяк, М. Я. Валах, П. І. Фейчук, Л. П. Щербак // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. - 2006. - 4, вип. 2. - С. 361-378. - Бібліогр.: 52 назв. - укp.Виконано експериментальні та теоретичні дослідження водних колоїдних розчинів нанокристалів CdTe, поверхня яких пасивована тіогліколевою кислотою. Продемонстровано можливість пасивації телюрових граней нанокристала CdTe молекулами води. Побудовано енергетичну діаграму нанокристалів з врахуванням поверхневих станів, що виникають внаслідок пасивації поверхні. Вперше виявлено низькоенергетичний зсув максимуму фотолюмінесценції нанокристалів CdTe в околі фазового переходу рідина - лід, який пояснюється зростанням поверхневого заряду і пов'язаного з ним електричного поля при замерзанні розчину. Запропоновано модель, яка дозволяє якісно пояснити цей ефект. Ключ. слова: нанокристали CdTe, хімічна синтеза, пасивація, оптичні властивості, поверхневі стани Індекс рубрикатора НБУВ: Г122.425
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
11. |
Цюцюра Д. І. Про взаємодію атомів водню із складними дефектами в CdTe і ZnTe / Д. І. Цюцюра, Д. В. Корбутяк, О. М. Пігур, Н. Д. Вахняк, С. М. Калитчук // Укр. фіз. журн. - 2007. - 52, № 12. - С. 1166-1170. - Бібліогр.: 17 назв. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24 + З843.31
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
12. |
Британ В. Б. Вплив обробки монокристалів $E bold {{roman Cd} sub x {roman Zn} sub 1-x roman Te} у атмосфері водню на електрично активні центри / В. Б. Британ, Р. М. Пелещак, Д. І. Цюцюра, Д. В. Корбутяк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2009. - 10, № 1. - С. 41-44. - Бібліогр.: 13 назв. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: К230.21 + В377.1
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
13. |
Литовченко В. Г. Люмінесцентні властивості приповерхневих напівпровідникових шарів та квантових надграток / В. Г. Литовченко, Д. В. Корбутяк // Укр. фіз. журн. - 2011. - 56, № 10. - С. 1072-1079. - Бібліогр.: 19 назв. - укp.Наведено нові результати люмінесцентних досліджень квантових надграток (НГ) GaAs/AlAs I-го та II-го роду, а також меж поділу гетероструктур GaAs/AlAs з використанням імпульсних фемтосекундних джерел збудження. Проаналізовано особливості кінетики фотолюмінесценції НГ GaAs/AlAs з різними ширинами квантових ям (GaAs) і бар'єрів (AlAs). За високих рівнів збудження у квазіпрямозонних НГ формується електронно-діркова плазма (ЕДП), концентрація носіїв заряду в якій більш ніж на порядок перевищує відповідне значення для об'ємних кристалів GaAs. Дослідження спектрів спонтанного та вимушеного випромінювання ЕДП у НГ GaAs/AlAs дозволило розрахувати спектри коефіцієнтів оптичного підсилення залежно від густини оптичної накачки в області нелінійних ефектів. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
14. |
Корбутяк Д. В. Низькорозмірні структури кремнію та германію: екситонні стани, способи формування та фотолюмінесцентні властивості / Д. В. Корбутяк, Ю. В. Крюченко, І. М. Купчак, Е. Б. Каганович, Е. Г. Манойлов, А. В. Саченко, О. М. Среселі // Фізика і хімія твердого тіла. - 2009. - 10, № 3. - С. 547-554. - Бібліогр.: 5 назв. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: Ж619 + В379.24
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
15. |
Корбутяк Д. В. Температурна залежність фотолюмінесценції квантових точок CdTe у полімерній матриці / Д. В. Корбутяк, С. М. Калитчук, Ю. Б. Халавка, Л. П. Щербак // Укр. фіз. журн. - 2010. - 55, № 7. - С. 825-829. - Бібліогр.: 18 назв. - укp.Досліджено температурні залежності спектрів фотолюмінесценції (ФЛ) квантових точок (КТ) CdTe у полімерній матриці, виготовлених шляхом перенесення їх з водного колоїдного розчину. Встановлено бімодальний розподіл за розмірами КТ CdTe у полімерній матриці в результаті їх тривалої витримки. Визначено енергії активації температурного гасіння смуг фотолюмінесценції КТ CdTe, інкорпорованих у полімерну матрицю, що відповідають смугам ФЛ квантових точок різних розмірів. Встановлено екситонний механізм фотолюмінесценції досліджуваних зразків, який підтверджується температурною залежністю положення максимуму ФЛ та залежністю інтегральної інтенсивності ФЛ від інтенсивності оптичного збудження. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.25
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
16. |
Коваленко А. В. Лазерные квантово-размерные структуры на основе соединений ABV2DBBV6D : (обзор) / А. В. Коваленко, Д. В. Корбутяк, С. И. Будзуляк // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2011. - Вып. 46. - С. 7-27. - Библиогр.: 34 назв. - рус. Індекс рубрикатора НБУВ: З86-531.8
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
17. |
Будзуляк С. І. Трансформація екситонно-домішкових комплексів в монокристалах CdTe:Cl під впливом гамма-опромінення та термічного відпалу / С. І. Будзуляк, О. П. Лоцько, Н. Д. Вахняк, С. М. Калитчук, Д. В. Корбутяк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - 13, № 2. - С. 351-356. - Бібліогр.: 19 назв. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В372.314.2 + В379.227
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
18. |
Томашик З. Ф. Вплив механічної та хімічної обробок поверхні на спектри низькотемпературної фотолюмінесценції кристалів ZnSe / З. Ф. Томашик, І. Б. Стратійчук, С. І. Будзуляк, А. С. Кравцова, В. М. Томашик, С. М. Галкін, О. О. Сосницька, С. М. Калитчук, Д. В. Корбутяк, Л. А. Демчина // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - 13, № 3. - С. 728-732. - Бібліогр.: 9 назв. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.34
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
19. |
Томашик З. Ф. Особенности изготовления Cdsub1–x/subZnsubx/subTe-детектора ионизирующего излучения / З. Ф. Томашик, И. Б. Стратийчук, В. Н. Томашик, С. И. Будзуляк, И. И. Гнатив, В. К. Комар, Н. Г. Дубина, А. П. Лоцько, Д. В. Корбутяк, Л. А. Демчина, Н. Д. Вахняк // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2013. - № 1. - С. 42-44. - Библиогр.: 6 назв. - рус. Індекс рубрикатора НБУВ: З854-06
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
20. |
Будзуляк С. И. Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения / С. И. Будзуляк, Д. В. Корбутяк, А. П. Лоцько, Н. Д. Вахняк, С. М. Калитчук, Л. А. Демчина, Р. В. Конакова, В. В. Шинкаренко, А. В. Мельничук // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2014. - № 4. - С. 45-49. - Библиогр.: 10 назв. - рус.Методом низкотемпературной фотолюминесценции исследовано влияние микроволнового излучения на трансформацию примесно-дефектных комплексов в монокристаллах CdTe:Cl. Показано, что активированные микроволновым облучением продолжительностью 10 с донорные центры СlTe и акцепторные центры VCd, имеющиеся в образцах, создают эффективные условия для формирования дефектных центров (VСd-СlTe), на которых связываются экситоны. Детальные исследования формы полосы фотолюминесценции донорно-акцепторных пар монокристаллов СdTe:Cl позволили определить зависимость параметра электрон-фононного взаимодействия (фактор Хуанга-Рис) от времени облучения. Методом низькотемпературної фотолюмінесценції досліджено вплив мікрохвильового випромінювання на трансформацію домішково-дефектних комплексів в монокристалах CdTe:Cl. Показано, що активовані мікрохвильовим опроміненням тривалістю 10 с донорні центри СlTe і акцепторні центри VCd, наявні в зразках, створюють ефективні умови для формування дефектних центрів (VCd-СlTe), на яких зв'язуються екситони. Детальні дослідження форми смуги донорно-акцепторних пар монокристалів СdTe:Cl дозволили визначити параметр електрон-фононної взаємодії (фактор Хуанга-Рис) в залежності від часу опромінення. High-resistance cadmium telluride single crystals are promising material for production of ionizing radiation detectors. To increase crystal resistance, they are doped with chlorine. The detector quality depends on uniformity of chlorine impurity distribution over crystal. It is known that low-dose microwave irradiation can homogenize impurity distribution in a specimen. In the present work, we made an attempt to improve the detector material quality by using such post-technological treatment, as well as to study state variation for impurity-defect complexes. To this end, the effect of microwave irradiation on transformation of impurity-defect complexes in CdTe:Cl single crystals was investigated using low-temperature photoluminescence. It is shown that activation of ClTe donor centers by microwave irradiation for 10 s and presence of VCd acceptor centers in the specimens under investigation effectively facilitate formation of (VCd–ClTe) defect centers at which excitons are bound. Detailed investigations of the band form for donor-acceptor pairs (DAPs) in CdTe:Cl single crystals made it possible to determine the Huang-Rhys factor (that characterizes electron-phonon interaction in CdTe:Cl DAPs) as a function of microwave treatment duration. It is shown for single crystals with NCl = 5?1017 cm–3 and 5?1019 cm–3 that the Huang-Rhys factor grows with microwave irradiation dose. This is related to both homogenization of donor and acceptor centers distribution and increase of donor-acceptor spacing. Itis shown that microwave irradiation of CdTe:Cl single crystals results in concentration reduction for separate cadmium vacancies VCd because of formation of (VCd-ClTe) defect centers at which excitons are bound. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ
| | |
|
|