Рассмотрен диффузионный рост двумерной полости (поры) в монослое адсорбированных атомов (адатомов) на поверхности кристалла. Проанализирована устойчивость роста полости относительно малых возмущений ее формы.

Розглянуто композитну систему: електронний невироджений напівпровідник, що містить як включення малі частинки нормального металу. Описано ефекти переходу електронів з напівпровідника на поверхню металевих частинок і перерозподілу зарядів між металевими наночастинками з урахуванням напівпровідникових властивостей середовища та величини об'ємної частки частинок.

Розглянуто дифузійний ріст двовимірної порожнини (пори) в моношарі адсорбованих атомів (адатомів) на поверхні кристала. Проаналізовано стійкість росту порожнини відносно малих збурень її форми з урахуванням граничної кінетики вакансій на межі порожнини. Знайдено порогові радіуси порожнини, вище яких наростають амплітуда спотворення форми і відносна деформація порожнини.

Рассмотрен диффузионный рост двумерного островка новой фазы на поверхности кристалла. Проанализирована устойчивость роста островка относительно малых возмущений его формы с учетом граничной кинетики адатомов на границе островка. Найдены пороговые радиусы островка, выше которых нарастают амплитуда искажения формы и относительная деформация формы островка.

Рассмотрен диффузионный рост двумерного выделения новой фазы, расположенного на межзеренной границе конечной толщины, с учетом диффузионных потоков атомов примеси из глубины зерна к межзеренной границе. Проанализирована устойчивость растущего выделения достаточно малого радиуса относительно произвольных малых возмущений его формы с учетом поверхностной кинетики атомов примеси на поверхности межзеренная граница - выделение. Найдены пороговые радиусы выделения, выше которых нарастает амплитуда искажения формы и амплитуда относительной деформации формы выделения.