Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З854.225

Рубрики:

Кремнієві фотоелементи

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.83

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З252.83

Рубрики:

Фотоелектричні сонячні батареї

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Висвітлено життєвий шлях, наукову, науково-організаційну, громадську діяльність відомого вченого у галузі фізики напівпровідників академіка АН УРСР О.В.Снітка (1928 - 1990). Наведено хронологічний покажчик праць ученого за період 1954 - 1990 рр.

Освещены жизненный путь, научная, научно-организационная и общественная деятельность известного ученого в области физики полупроводников академика АН УССР О.В.Снитко (1928 - 1990). Приведен хронологический указатель трудов ученого за период 1954 - 1990 гг.

Індекс рубрикатора НБУВ: З854.225

Рубрики:

Кремнієві фотоелементи

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Теоретично досліджено вплив радіаційного опромінення на основні фотоелектричні параметри кремнієвих сонячних елементів: струм короткого замикання та напругу розімкненого кола. Аналіз проведено для випадку довільного співвідношення між глибиною порушеного шару, довжиною дифузії неосновних носіїв заряду до опромінення та товщиною базової області. Запропоновано тришарову модель неоднорідної за глибиною рекомбінації, яка враховує збільшення кількості дефектів, створюваних низькоенергетичними протонами в кінці пробігу, а також особливості розподілу дефектів, створюваних електронами та протонами різних енергій.

В огляді розглянуто питання, пов'язані з теорією випромінювання світла в кремнієвих нанокристалах (НК), а саме - з механізмом випромінювальних екситонних переходів. Проаналізовано випадок, коли під дією лазерного збудження в нанокристалах генеруються електронно-діркові пари, які потім зв'язуються в екситони. Продемонстровано важливу роль ефекту "діелектричного підсилення" в кремнієвих НК, що знаходяться в оболонці з діоксиду кремнію. Показано, що поряд з енергією екситонних переходів залежним від розміру НК є і характеристичний час випромінювальної екситонної рекомбінації, причому ця залежність має немонотонний характер. Одержано співвідношення між нерівноважними концентраціями екситонів та електронно-діркових пар у кремнієвих НК. Розглянуто механізм оже-рекомбінації екситонів у кремнієвих НК з участю поверхневих центрів, що дає змогу пояснити лінійну залежність інтенсивності фотолюмінесценції (ФЛ) в кремнієвих наноструктурах (НС) від інтенсивності збудження. Показано, що особливості, які спостерігаються в експериментально одержаних спектрах ФЛ пористого кремнію та кремнієвих структур з квантовими точками, можна пояснити, враховуючи такі ефекти: ефект квантового обмеження, що призводить до квантування енергетичного спектра НК; ефект, пов'язаний з непрямозонністю вихідного кремнієвого матеріалу, який призводить до виникнення осциляцій на залежності випромінювального часу життя екситонів від розміру НК; квантовий мезоскопічний ефект, який призводить до сильного розширення області оптичних переходів в енергетичному спектрі кремнієвих НК найменших розмірів (~ 1 - 2 нм).

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.312

Рубрики:

Кремній та його сполуки

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розкрито перспективи організації комп'ютерних мереж на підставі безпровідних оптичних каналів зв'язку, досліджено вплив метеорологічних факторів на роботу відкритого оптичного каналу зв'язку.

Запропоновано тривимірну модель фотоперетворення в полікристалічному кремнії, яка враховує рекомбінацію в об'ємі зерна та на його межах. Розгляд проведено для зерен у формі паралелепіпеда та циліндра. Одержано узгодження між теоретичними й експериментальними залежностями струму короткого замикання, напруги розімкненого кола та коефіцієнта корисної дії фотоперетворення в полікристалічному кремнії від розміру зерен. Проаналізовано особливості фотоперетворення в мульти- та мікрокристалічному кремнії.

Індекс рубрикатора НБУВ: З252.8

Рубрики:

Сонячні батареї

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Запропоновано тривимірну модель фотоперетворення в полікристалічному кремнії, що враховує рекомбінацію в об'ємі зерна та на його межах. Розгляд проведено для зерна у формі паралелепіпеда. Для випадку монохроматичного освітлення отримано спектральні залежності струму короткого замикання та напруги розімкненого кола, усереднені по площі зерна. Показано, що основний вплив рекомбінації на межах зерна можна описати через ефективну довжину дифузії, яка має фізичний зміст характерної довжини затухання надлишкової концентрації електронно-діркових пар у напрямку, паралельному освітленню. Отримано й обговорено її залежності від об'ємної довжини дифузії, розмірів зерна та від величини ефективної швидкості рекомбінації на межах зерна. Одержано теоретичні співвідношення для струму короткого замикання за умов АМО, усереднені по площі полікристалічного сонячного елемента (СЕ). Встановлено критерії, за яких струм короткого замикання в полікристалічному СЕ практично дорівнює струмові короткого замикання в монокристалічному кремнії.

Ключ. слова: структура МДН, фотосенсор, нерівноважне виснаження, порогова фоточутливість
Індекс рубрикатора НБУВ: З854

Рубрики:

Фотоелектричні прилади.Фотоелементи

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.312 + З851.122.2

Рубрики:

Кремній та його сполуки

Діоди та кенотрони. Випрямні лампи

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22

Рубрики:

Структура напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988/огл. Пошук видання у каталогах НБУВ 

У досить реальних наближеннях щодо співвідношення між товщиною кремнієвих сонячних елементів (СЕ) та довжиною дифузії в них розвинуто теорію фотоперетворення у разі концентрованого освітлення для тильної та стандартної геометрій струмозбірних контактів. Проведено порівняльний аналіз одержаних результатів для двох указаних геометрій. Показано, що кремнієві СЕ з тильною металізацією, в принципі, можуть мати більшу ефективність фотоперетворювання. Одержано задовільне узгодження розвинутої теорії з експериментом.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24 + В379.13

Рубрики:

Оптичні властивості напівпровідників

Квантова теорія

Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рассчитано распределение потенциала вдоль прозрачной составляющей гетероперехода при пороговой освещенности. Определена эффективная длина собирания в поверхностно-барьерной структуре при низких уровнях облучения. Получены теоретические выражения для зависимостей тока фотодетектора от расстояния между токособирающими электродами, толщины верхнего сильно легированного слоя и коэффициента поглощения света. Проведено сравнение теории и эксперимента, из которого определены ключевые параметры фотодетектора.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.4

Рубрики:

Фотоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ