Проаналізовано процеси неадіабатичної взаємодії лазерного випромінювання як імпульсного, так і неперервного з антимонідом та арсенідом індію. Виявлено вплив режимів опромінення (спектрального складу та часу опромінення) на процеси незворотних змін в опромінюваних матеріалах. Акцентовано увагу на фотоіндукованій металізації напівпровідника, яка призводить до виникнення когерентних станів і структур, які важко або й неможливо отримати іншими методами. Сюди належать фазони, обірвані зв'язки, фулерени та інші кластери. Визначено час існування цих структур.

Processes of the nonadiabatic interaction laser irradiation (impulse and continuous) with InSb and InAs are analized. The influence of regimes of irradiation (spectral and time characteristics) on the processes irreversible changes in radiated materials are shown. The cause of the creation the coherent states and structures is the photoinduced metallization of semiconductor. These states may be phazons, dangling bonds, fulerens and other clasters and one can't be received other methods. The life timeof these structures is discussed too.