Наведено результати розробки пакету програм LaserCAD III для моделювання напівпровідникових лазерів з квантоворозмірними активними шарами. Описано структуру пакету й основні математичні моделі. Висвітлено результати моделювання спектра посилення та модуляційних характеристик.

Теоретически исследован баллистический перенос электронов в полупроводниковой сверхрешетке без разрывов зон при наличии внешнего электростатического поля. Совместное влияние периодически изменяющейся в пространстве эффективной массы и внешнего электростатического поля на перенос электронов приводит к новым, ранее неисследованным эффектам. Рассмотрен перенос в центре зоны Бриллюэна, так же как и перенос вне центра. Полученные результаты открывают возможность управления электронным переносом в полупроводниковых сверхрешетках.

Предложен новый метод перестройки спектральных характеристик усиления квантово-каскадных структур. Перестройка осуществлена с использованием оптической накачки в непрерывном режиме и основана на эффекте заполнения фазового пространства. Согласно результатам математического моделирования оптических свойств квантово-каскадных структур, предложенный метод позволяет реализовать перестройку спектральной характеристики усиления в пределах до 1,1 мэВ без значительного изменения величины коэффициента усиления в максимуме. Полученные результаты представляют интерес для спектроскопического обнаружения взрывчатых веществ.

Приведено описание интенсификации формирования двухслойной смазки путем обработки рабочей жидкости электростатическим полем.