Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
Пошуковий запит: (<.>A=Kondrik A$<.>) | |||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 6 Представлено документи з 1 до 6 |
|||||
| 1. | Datsenko O. A. Electrophysical properties forecasting for CdTe semiconductor materials depending on the impurity composition / O. A. Datsenko, A. I. Kondrik // Functional Materials. - 2001. - 8, № 3. - С. 516-521. - Бібліогр.: 5 назв. - англ. У ході комп'ютерного моделювання електрофізичних властивостей CdTe залежно від домішкового складу використано багаторівневу модель електричної компенсації напівпровідникових монокристалів. Одержано тривимірні залежності питомого опору та рухливості електронів для однакового складу досліджуваних матеріалів, проведено їх порівняльний аналіз. Пояснено характер зміни залежно від домішкового складу. Знайдено оптимальні домішкові склади для отримання напівізолювального CdTe детекторної якості, що має високу рухливість електронів. Моделювання проведено за температури 300 К. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + В379.27 + К232.602 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 2. | Davydov L. N. Numerical simulation of CdZnTe semiconductor resistivity as a function of the impurity composition / L. N. Davydov, O. A. Datsenko, G. P. Kovtun, A. I. Kondrik, V. E. Kutny, A. V. Rybka // Functional Materials. - 2001. - 8, № 2. - С. 255-261. - Бібліогр.: 6 назв. - англ. Для прогнозування електрофізичних властивостей CdZnTe залежно від складу в ньому домішок і дефектів використано багаторівневу модель електричної компенсації напівпровідникових монокристалів з урахуванням довільної кількості дрібних, одно- дво- та тризарядових глибоких донорів та акцепторів, а також амфотерних домішок. Модель покладено до основи прикладної програми для розрахунку властивостей напівпровідникових матеріалів, визначених зовнішніми діями або умовами експлуатації. Одержано тривимірні залежності питомого опору й енергії глибокого донора для різного домішкового складу CdZnTe. Кількісно досліджено оптимальні діапазони концентрацій домішок для одержання напівізолювального CdZnTe. Наведено порівняльний аналіз модельних залежностей зміни питомого опору CdTe і CdZnTe для аналогічних домішкових складів, визначено переваги матеріалу телуриду кадмію з цинком. Індекс рубрикатора НБУВ: К230.63 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 3. | Kovtun G. P. Quantitative model for forecasting changes in electric properties of direct gap semiconductors / G. P. Kovtun, A. I. Kondrik, A. A. Yatsenko // Functional Materials. - 2000. - 7, № 2. - С. 228-234. - Бібліогр.: 16 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 4. | Kondrik A. I. Effect of irradiation on properties of CdTe detectors / A. I. Kondrik // East Europ. J. of Physics. - 2014. - 1, № 1. - С. 47-52. - Бібліогр.: 22 назв. - англ. A comparative analysis of published experimental data about the concentration, capture cross section and type of traps in CdTe:Cl has been carried out. Based on the performed analysis an identification of registered levels on acceptor and donor type was realized. The numerical simulations have been performed to study the effect of radiation defects arising under the influence of hard X-ray irradiation on the electrical and detector properties of cadmium telluride. The role of radiation-induced and background defects has been determined for the processes of degradation of the spectroscopic characteristics of CdTe:Cl detectors operated under conditions of ionizing radiation. Індекс рубрикатора НБУВ: В381.592 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж43925 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 5. | Kondrik A. I. Degradation under influence of radiation defects of detector properties of CdVB0,9DZnVB0,1DTe irradiated by neutrons = Деградація під впливом радіаційних дефектів детекторних властивостей CdV0,9DZnV0,1DTe, опроміненого нейтронами / A. I. Kondrik, G. P. Kovtun // East Europ. J. of Physics. - 2020. - № 3. - С. 85-92. - Бібліогр.: 18 назв. - англ.
| ||||
| 6. | Kondrik A. I. Mechanisms of degradation of the detecting properties of CdTe and CdZnTe under gamma radiation exposure = Механізми деградації детекторних властивостей CdTe та CdZnTe під впливом гамма-опромінення / A. I. Kondrik // East Europ. J. of Physics. - 2021. - № 3. - С. 116-123. - Бібліогр.: 30 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж43925 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського