![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Віртуальна довідка ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Тематичний інтернет-навігатор ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Наукова електронна бібліотека ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання
![Mozilla Firefox](../../ico/mf.png) |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Формат представлення знайдених документів: | повний | стислий |
Пошуковий запит: (<.>A=Kraitchinskii A$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 7
Представлено документи з 1 до 7
|
| | | | |
1. |
Kraitchinskii A. M. Primary Ragiation Defects in Silicon. Creation, Annihilation, Dissociation, Getters = Первинні радіаційні дефекти в кремнії. Утворення, анігіляція, дисоціація, стоки / A. M. Kraitchinskii, V. B. Neimash, I. S. Rogutskii, L. I. Shpinar // Укр. фіз. журн. - 1999. - 44, № 1-2. - С. 259-262. - Библиогр.: 10 назв. - укp.Досліджено процеси утворення, анігіляції, дисоціації первинних радіаційних дефектів в кремнії та можливий вплив неконтрольованих стоків для вакансій міжвузловинних атомів на величину ефективності утворення радіаційних дефектів (ЕУД). Встановлено, що існує єдина порогова енергія для утворення пар Френкеля, яка дорівнює (12,5 +- 0,5) еВ. Показано, що вплив неконтрольованих стоків для первинних дефектів не визначає величину ефективності утворення вторинних радіаційних дефектів. Величина ЕУД контролюється процесами анігіляцїї чи дисоціації первинних дефектів - пар Френкеля. Отримано формулу для залежності ЕУД від температури та концентрації носіїв заряду. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
2. |
Kras'ko M. M. Effect of doping by lead on the formation of thermal defects in silicon with increased carbon concentration = Вплив ізовалентної домішки свинцю на термічне дефектоутворення в кремнії з підвищеним вмістом вуглецю / M. M. Kras'ko, V. V. Voitovych, V. B. Neimash, A. M. Kraitchinskii // Укр. фіз. журн. - 2004. - № 7. - С. 691-694. - Библиогр.: 11 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + В379.25
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
3. |
Neimash V. B. Investigations by capacitance methods of $E bold n-Si irradiated by electrons at 450 $E bold symbol РC = Дослідження ємнісними методами $E n-кремнію, опроміненого електронами при 450 $E symbol РC / V. B. Neimash, M. M. Kras'ko, A. M. Kraitchinskii, A. G. Kolosyuk, V. V. Voitovych, E. Simoen, J. -M. Rafi, C. Claeys, J. Versluys, P. Clauws // Укр. фіз. журн. - 2004. - 49, № 8. - С. 779-784. - Библиогр.: 14 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222в734.5 + В379.227
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
4. |
Kraitchinskii A. M. Study of light scattering processes in silicon single crystals with nonhomogeneous distribution of impurities = Дослідження процесів розсіювання світла в кристалах кремнію з неоднорідним розподілом домішок / A. M. Kraitchinskii, L. I. Shpinar, V. B. Neimash, M. M. Kras'ko, V. V. Tishchenko, V. V. Voytovych // Укр. фіз. журн. - 2004. - 49, № 2. - С. 146-151. - Библиогр.: 8 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + В379.24
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
5. |
Neimash V. B. Influence of doping by the isovalent lead impurity on the parameters of InD-silicon = Вплив легування ізовалентною домішкою свинцю на параметри InD-кремнію / V. B. Neimash, V. V. Voitovych, A. M. Kraitchinskii, L. I. Shpinar, M. M. Kras'ko, V. M. Popov, A. P. Pokanevych, M. I. Gorodys'kyi, Yu. V. Pavlovs'kyi, V. M. Tsmots', O. M. Kabaldin // Укр. фіз. журн. - 2005. - 50, № 5. - С. 492-496. - Библиогр.: 8 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: К345.5
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
6. |
Neimash V. B. Formation of radiation-induced defects in InD-Si with lead and carbon impurities = Радіаційне дефектоутворення в InD-Si з домішками свинцю і вуглецю / V. B. Neimash, V. V. Voitovych, M. M. Kras'ko, A. M. Kraitchinskii, O. M. Kabaldin, Yu. V. Pavlovs'kyi, V. M. Tsmots' // Укр. фіз. журн. - 2005. - 50, № 11. - С. 1273-1277. - Библиогр.: 13 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: Ж68
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
7. |
Neimash V. B. Microfluctuations of oxygen impurity concentration as a reason of an accelerated diffusion of oxygen in silicon / V. B. Neimash, O. O. Puzenko, A. M. Kraitchinskii, M. M. Kras'ko, S. Putselyk, C. Claeys, E. Simoen // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 1. - С. 11-14. - Бібліогр.: 17 назв. - англ.Після попередньої термообробки за 800 °С кристалів кремнію енергія активації відпалу термодонорів зростає від 1,7 до 2,5 еВ. Припускається, що це відбувається внаслідок розчинення кисневих мікрофлуктуацій, які є джерелом внутрішніх пружних напружень. Можливе локальне прискорення дифузії в зоні дії таких напружень розглядається як причина зниження енергії активації дифузійно лімітованих процесів генерації та відпалу термодонорів у кремнієвих кристалах. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
|
|