![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Віртуальна довідка ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Тематичний інтернет-навігатор ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Наукова електронна бібліотека ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання
![Mozilla Firefox](../../ico/mf.png) |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Формат представлення знайдених документів: | повний | стислий |
Пошуковий запит: (<.>A=Neimash V$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 13
Представлено документи з 1 до 13
|
| | | | |
1. |
Kraitchinskii A. M. Primary Ragiation Defects in Silicon. Creation, Annihilation, Dissociation, Getters = Первинні радіаційні дефекти в кремнії. Утворення, анігіляція, дисоціація, стоки / A. M. Kraitchinskii, V. B. Neimash, I. S. Rogutskii, L. I. Shpinar // Укр. фіз. журн. - 1999. - 44, № 1-2. - С. 259-262. - Библиогр.: 10 назв. - укp.Досліджено процеси утворення, анігіляції, дисоціації первинних радіаційних дефектів в кремнії та можливий вплив неконтрольованих стоків для вакансій міжвузловинних атомів на величину ефективності утворення радіаційних дефектів (ЕУД). Встановлено, що існує єдина порогова енергія для утворення пар Френкеля, яка дорівнює (12,5 +- 0,5) еВ. Показано, що вплив неконтрольованих стоків для первинних дефектів не визначає величину ефективності утворення вторинних радіаційних дефектів. Величина ЕУД контролюється процесами анігіляцїї чи дисоціації первинних дефектів - пар Френкеля. Отримано формулу для залежності ЕУД від температури та концентрації носіїв заряду. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
2. |
Kras'ko M. M. Effect of doping by lead on the formation of thermal defects in silicon with increased carbon concentration = Вплив ізовалентної домішки свинцю на термічне дефектоутворення в кремнії з підвищеним вмістом вуглецю / M. M. Kras'ko, V. V. Voitovych, V. B. Neimash, A. M. Kraitchinskii // Укр. фіз. журн. - 2004. - № 7. - С. 691-694. - Библиогр.: 11 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + В379.25
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
3. |
Povarchuk V. Yu. Effect of ionizing radiation on magnetic properties and structure of FeV80DSiV6DBV14D amorphous alloy = Вплив іонізуючої радіації на магнітні властивості та структуру аморфного сплаву FeV80DSiV6DBV14D / V. Yu. Povarchuk, V. B. Neimash, A. M. Kraitchynskii, V. V. Maslov, V. K. Nosenko, G. M. Zelins'ka // Укр. фіз. журн. - 2004. - 49, № 1. - С. 90-93. - Библиогр.: 15 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224 + В379.227 + К297.091
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
4. |
Neimash V. B. Investigations by capacitance methods of $E bold n-Si irradiated by electrons at 450 $E bold symbol РC = Дослідження ємнісними методами $E n-кремнію, опроміненого електронами при 450 $E symbol РC / V. B. Neimash, M. M. Kras'ko, A. M. Kraitchinskii, A. G. Kolosyuk, V. V. Voitovych, E. Simoen, J. -M. Rafi, C. Claeys, J. Versluys, P. Clauws // Укр. фіз. журн. - 2004. - 49, № 8. - С. 779-784. - Библиогр.: 14 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222в734.5 + В379.227
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
5. |
Kraitchinskii A. M. Study of light scattering processes in silicon single crystals with nonhomogeneous distribution of impurities = Дослідження процесів розсіювання світла в кристалах кремнію з неоднорідним розподілом домішок / A. M. Kraitchinskii, L. I. Shpinar, V. B. Neimash, M. M. Kras'ko, V. V. Tishchenko, V. V. Voytovych // Укр. фіз. журн. - 2004. - 49, № 2. - С. 146-151. - Библиогр.: 8 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + В379.24
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
6. |
Neimash V. B. Influence of doping by the isovalent lead impurity on the parameters of InD-silicon = Вплив легування ізовалентною домішкою свинцю на параметри InD-кремнію / V. B. Neimash, V. V. Voitovych, A. M. Kraitchinskii, L. I. Shpinar, M. M. Kras'ko, V. M. Popov, A. P. Pokanevych, M. I. Gorodys'kyi, Yu. V. Pavlovs'kyi, V. M. Tsmots', O. M. Kabaldin // Укр. фіз. журн. - 2005. - 50, № 5. - С. 492-496. - Библиогр.: 8 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: К345.5
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
7. |
Neimash V. B. Formation of radiation-induced defects in InD-Si with lead and carbon impurities = Радіаційне дефектоутворення в InD-Si з домішками свинцю і вуглецю / V. B. Neimash, V. V. Voitovych, M. M. Kras'ko, A. M. Kraitchinskii, O. M. Kabaldin, Yu. V. Pavlovs'kyi, V. M. Tsmots' // Укр. фіз. журн. - 2005. - 50, № 11. - С. 1273-1277. - Библиогр.: 13 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: Ж68
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
8. |
Neimash V. B. Microfluctuations of oxygen impurity concentration as a reason of an accelerated diffusion of oxygen in silicon / V. B. Neimash, O. O. Puzenko, A. M. Kraitchinskii, M. M. Kras'ko, S. Putselyk, C. Claeys, E. Simoen // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 1. - С. 11-14. - Бібліогр.: 17 назв. - англ.Після попередньої термообробки за 800 °С кристалів кремнію енергія активації відпалу термодонорів зростає від 1,7 до 2,5 еВ. Припускається, що це відбувається внаслідок розчинення кисневих мікрофлуктуацій, які є джерелом внутрішніх пружних напружень. Можливе локальне прискорення дифузії в зоні дії таких напружень розглядається як причина зниження енергії активації дифузійно лімітованих процесів генерації та відпалу термодонорів у кремнієвих кристалах. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
9. |
Neimash V. B. Microstructure of thin Si - Sn composite films / V. B. Neimash, V. M. Poroshin, A. M. Kabaldin, V. O. Yukhymchuk, P. E. Shepelyavyi, V. A. Makara, S. Yu. Larkin // Укр. фіз. журн.. - 2013. - 58, № 9. - С. 865-871. - Бібліогр.: 22 назв. - англ.За допомогою методів оже та раманівської спектроскопії, рентгенівського флуоресцентного аналізу та електронної мікроскопії досліджено особливості мікроструктури тонких плівок сплаву Si - Sn, виготовлених термовакуумним співвипаровуванням Si та Sn. Досліджено властивості плівок із вмістом Sn в інтервалі від 1 до 5 вагових відсотків. Встановлено суттєвий вплив олова на формування мікрорельєфу поверхні плівок і нанокристалів у аморфній матриці. Квазісферичні утворення на поверхні плівок можуть сягати розмірів порядку 100 нм. Частка нанокристалічної кремнієвої фази в плівці може досягати 90 % її об'єму. Проаналізовано роль умов та швидкості росту плівок у розподілі концентрації Sn і технологічних домішок C і O по поверхні та товщині плівок. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.247
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
10. |
Neimash V. B. Tin doping effect on crystallization of amorphous silicon obtained by vapor deposition in vacuum / V. B. Neimash, V. M. Poroshin, P. Ye. Shepeliavyi, V. O. Yukhymchuk, V. V. Melnyk, V. A. Makara, A. G. Kuzmich // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2013. - 16, № 4. - С. 331-335. - Бібліогр.: 16 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В372.4
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
11. |
Neimash V. B. Tin-induced crystallization of amorphous silicon assisted by a pulsed laser irradiation / V. B. Neimash, V. V. Melnyk, L. L. Fedorenko, P. Ye. Shepeliavyi, V. V. Strelchuk, A. S. Nikolayenko, M. V. Isaiev, A. G. Kuzmich // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2017. - 20, № 4. - С. 396-405. - Бібліогр.: 28 назв. - англ.The process of tin-induced crystallization of amorphous silicon under the influence of different types of laser irradiation was investigated using the method of Raman scattering by thin-film Si - Sn - Si structures. The dependences of the size and concentration of Si nanocrystals on the power of laser radiation was experimentally evaluated and analyzed. As sources of excitation pulse laser radiation with the pulses duration equal to 20 ns and 150 mu s and wavelengths equal to 535 and 1070 nm was used. The possibility of efficient tin-induced transformation of silicon from amorphous phase to crystalline one in the 200-nm thick layers of a-Si under the action of laser pulses with duration equal to 20 ns was shown. The spatial and temporal distributions of laser induced temperature rise was calculated to interpret experimental results. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
12. |
Neimash V. B. Formation of nanocrystals and their properties during tin induced and laser light stimulated crystallization of amorphous silicon / V. B. Neimash, A. S. Nikolenko, V. V. Strelchuk, P. Ye. Shepeliavyi, P. M. Litvinchuk, V. V. Melnyk, I. V. Olhovik // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2019. - 22, № 2. - С. 206-214. - Бібліогр.: 30 назв. - англ.The effect of laser light intensity and temperature on the induced tin crystallization of amorphous silicon has been investigated using the methods of Raman scattering and optical microscopy. The existence of non-thermal mechanisms of the laser light influence on formation of silicon nanocrystals and their Raman spectra has been experimentally demonstrated. Photoionization of silicon and electron-phonon interaction are considered as possible reasons for the detected effects. The prospects of their application in new technologies providing production of nano-silicon films for solar cells have been discussed. Індекс рубрикатора НБУВ: В371.212
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
13. |
Nosenko V. V. Enhancement of radiation-induced EPR signal in bioapatites = Підсилення радіаційно-індукованого сигналу ЕПР у біоапатитах / V. V. Nosenko, I. P. Vorona, S. V. Lemishko, I. S. Golovina, V. O. Yukhymchuk, S. M. Okulov, V. B. Neimash, V. Yu. Povarchuk, S. O. Solopan, A. G. Belous // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2022. - 25, № 2. - С. 173-178. - Бібліогр.: 32 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
|
|