Пошуковий запит: (<.>A=Ёдгорова Д$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 18
Представлено документи з 1 до 18
|
| 1. | Ж14479 Ёдгорова Д. М. Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi [Текст]: 4 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.39-42
|
| 2. | Ж14479 Каримов А. В. Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки - Мотта [Текст] / А. В. Каримов, Д. М. Ёдгорова, Р. А. Саидова, Ф. А. Гиясова: 1 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.27-30
|
| 3. | Ж14479 Ёдгорова Д. М. Исследование примесного фотоэффекта в двухбарьерных p - n - m-структурах [Текст]: 3 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.40-47
|
| 4. | Ж14479 Ёдгорова Д. М. Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений <$Eroman bold {А sup 3 В sup 5 }> [Текст]: 3 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.56-58
|
| 5. | Ж14479 Ёдгорова Д. М. Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р-n-переходом [Текст]: 5 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.58-60
|
| 6. | Ж14479 Ёдгорова Д. М. Механизм управления фоточувствительностью полевого фототранзистора [Текст]: 6 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.43-47
|
| 7. | Ж14479 Ёдгорова Д. М. Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами [Текст]: 5 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.27-30
|
| 8. | Ж14479 Каримов А. В. Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев [Текст]: 6 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.57-61
|
| 9. | Ж14479 Каримов А. В. Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур [Текст]: 4 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.23-28
|
| 10. | Ж14479 Каримов А. В. Оценка перераспределения потенциала в трехбарьерной структуре [Текст]: 4 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.30-35
|
| 11. | Ж14479 Каримов А. В. Физико-технологические основы получения резкого p - n-перехода [Текст]: 4 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.59-60
|
| 12. | Ж14479 Каримов А. В. Арсенид-галлиевые <$Ebold {p sup + ~-~n~-~p sup + }>-структуры с обедняемой базовой областью [Текст]: 3 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.28-31
|
| 13. | Ж14479 Каримов А. В. Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs-nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами [Текст]: 4 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.52-58
|
| 14. | Ж27665/рад. эл. Ёдгорова Д. М. Особенности фоточувствительности полевого фототранзистора с p - n-переходом, канал которого легирован оловом [Текст] 51: 5/6, [ч. 1] // Изв. вузов. Радиоэлектроника.-С.65-71
|
| 15. | Ж14479 Каримов А. В. Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания [Текст]: 5 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.38-41
|
| 16. | Ж14479 Каримов А. В. Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения [Текст]: 3 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.26-30
|
| 17. | Ж14479 Каримов А. В. Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры [] / А. В. Каримов, Д. М. Ёдгорова [et al.] // Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011,N № 6.-С.43—45
|
| 18. | Ж14479 Каримов А. В. Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами [] / А. В. Каримов, Д. М. Ёдгорова [и др.] // Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2013,N № 1.-С.9-12
|
Простий пошук
Віртуальна довідка