Комплексний інформаційно-бібліографічний сервіс Національної бібілотеки України імені В. І. Вернадського

Простий пошук

Розширений пошук

Алфавітні покажчики

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Віртуальна довідка

Тематичний інтернет-навігатор

Наукова електронна бібліотека

Автореферати дисертацій

Реферативна база даних

Книжкові видання та компакт-диски

Журнали та продовжувані видання

	Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox"

Вид пошуку

у знайденому

Сортувати знайдені документи за:
автором	назвою	роком видання

Формат представлення знайдених документів:
повний	стислий

Знайдено в інших БД:

Наукова електронна бібліотека (1)

Автореферати дисертацій (49)

Книжкові видання та компакт-диски (257)

Журнали та продовжувані видання (3)

Пошуковий запит: (<.>U=В379.226$<.>)

Загальна кількість знайдених документів : 784
Представлено документи з 1 до 20

...

Категорія:

Мекекечко А. Ю.
Синтез и исследование оптических характеристик эпитаксиальных пленочных структур на основе сульфида и селенида цинка : Дис...канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / А. Ю. Мекекечко; ДГУ имени300-летия воссоединения Украины с Россией. - Днепропетровск, 1992. - 131 с. - Библиогр:с.113-131 - рус.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + З843.395

Рубрики:
Тонкі шари напівпровідників
Тонкі плівки

Шифр НБУВ: ДС40473 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + з843.395

Рубрики:
Тонкі шари напівпровідників
Тонкі плівки

Шифр НБУВ: ДС40473 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Игнатенко В. М.
Исследование фазового перехода металл-полупроводник в тонких пленках двуокиси ванадия : Дис...канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / В. М. Игнатенко; Сумский физико- технологический институт. - Сумы, 1993. - 125 с. - Библиогр.:с.120-125 - рус.

Індекс рубрикатора НБУВ: В375.1 в641.0,022 + В379.226 в641.0,022

Рубрики:
Фазові рівноваги. Фазові перетворення
Тонкі шари напівпровідників

Шифр НБУВ: ДС41123 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Прима Н. А.
Енергетичний спектр та кінетичні властивості електронів у тонких напівпровідникових приповерхневих шарах і плівках : Дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Н. А. Прима; Національна академія наук України, Інститут фізики напівпровідників. - К., 1994. - 243 c. - укp.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226

Рубрики:
Тонкі шари напівпровідників

Шифр НБУВ: ДС47525 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

10.

Логвинов Г. Н.
Термоэлектрические явления и электропроводность в полупроводниковых субмикронных слоях : Дис... д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / Г. Н. Логвинов; Черновицкий университет имени Ю. Федьковича. - Черновцы, 1994. - 275 c. - рус.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271 + В379.226

Рубрики:
Електричні властивості
Тонкі шари напівпровідників

Шифр НБУВ: ДС47528 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

11.

Категорія:

12.

Категорія:

13.

Категорія:

14.

Головань Н. В.
Исследование адсорбционно-десорбционного взаимодействия SO2, О2 с поверхностью пленок CdS, CdSe и влияния на это взаимодействие электронных процессов в объеме слоя : Дис... канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Н. В. Головань; Одесский гос. университет имени И. И. Мечникова. - О., 1995. - 146 c. - рус.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + З843.395

Рубрики:
Тонкі шари напівпровідників
Тонкі плівки

Шифр НБУВ: ДС50146 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

15.

Бунда С. О.
Фізичні властивості напівпровідникових та надпровідних оксогалогенідів : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.10 / С. О. Бунда; Ужгород. держ. ун-т. - Ужгород, 1998. - 19 c. - укp. - рус.

Розроблені технологічні основи одержання керамічних галогенвмісних високотемпературних надпровідників (ВТНП) і гібридних контактних структур типу "ВТНП - кисневовмісний напівпровідник". Проведено комплексні дослідження фізичних властивостей галогенвмісних надпровідникових оксокупратів ітрієвої та бісмутової систем і споріднених їм напівпровідникових кристалів оксогалогенідів бісмуту. Встановлено, що введення певних концентрацій фтору в матрицю бісмутових надпровідних оксокупратів приводить до покращення деяких критичних параметрів. Вивчено вплив іонізуючого опромінення на критичні та мікроскопічні параметри ВТНП ітрієвої системи. Розроблений новий тип гібридних контактних структур "високотемпературний надпровідник - кисневовмісний напівпровідник".

Скачати повний текст

Індекс рубрикатора НБУВ: В368.31,022 + В379.226,022

Рубрики:

Надпровідність. Надпровідники

Тонкі шари напівпровідників

Шифр НБУВ: РА302582 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

16.

Свечников С. В.
Электролюминесценция Si нанокомпозитных пленок / С. В. Свечников, Э. Б. Каганович, Э. Г. Манойлов, В. С. Двирняк // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 1998. - № 33. - С. 3-14. - Библиогр.: 48 назв. - рус.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226

Рубрики:
Тонкі шари напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

17.

Novikov V. O.
Specific features of structure transformations in high-disperse SnOsub2/sub thin films / V. O. Novikov // Functional Materials. - 1998. - 5, № 4. - С. 546-550. - Бібліогр.: 10 назв. - англ.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226

Рубрики:
Тонкі шари напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

18.

Манойлов Э. Г.
Гистерезис вольт-амперных характеристик кремниевых нанокомпозитных пленок / Э. Г. Манойлов // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 1998. - № 33. - С. 142-146. - Библиогр.: 6 назв. - рус.

Категорія:

19.

Galiy P.
Auger electron spectroscopy analysis of adsorbed gas condensated on the clevage crystal surfaces of indium and gallium chalcogenides = Оже-електронна спектроскопія адсорбованих газових конденсатів на поверхнях сколювання кристалів халькогенідів індію та галію / P. Galiy // Фіз. зб. - Л., 1998. - Т. 3. - С. 104-112. - Библиогр.: 13 назв. - англ.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + К294.040.138.4

Рубрики:
Тонкі шари напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж68777 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

20.

Мельничук О. В.
Дослiдження тонких плiвок ZnO на поверхнi SiC 6H методом ІЧ спектроскопiї / О. В. Мельничук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 1998. - № 33. - С. 146-154. - Бібліогр.: 9 назв. - укp.

Методом IЧ спектроскопії відбивання в області залишкових променів досліджені текстуровані шари ZnO на SiC 6H, одержані плазмохімічним осадженням із газової фази. Комп'ютерний дисперсійний аналіз IЧ спектрів дозволив визначити концентрацію, рухливість та питому провідність електронів у плівках ZnO та підкладинках SiC 6H при орієнтації Е перпендикулярно С. Теоретичні розрахунки задовільно узгоджуються з експериментальними результатами.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ

...