Пошуковий запит: (<.>U=В379.271.2$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 277
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. | Ж26988 Ткач М. В. Властивості фононних, електронних та діркових спектрів деяких циліндричних наногетеросистем [Текст] 46: 7 // Укр. фіз. журн.-С.727-734
|
| 2. | Ж26988 Абрамов А. А. Вольт-амперні та ампер-барні залежності для діркового германію для схрещених напрямків одновісного тиску і електричного поля [Текст] 44: 3 // Укр. фіз. журн.-С.399-401
|
| 3. | Ж26988 Горлей П. М. Еволюція станів нерівноважної системи з двома типами носіїв [Текст] 44: 3 // Укр. фіз. журн.-С.357-365
|
| 4. | Ж26988 Стріха М. В. Зміна квантового виходу випромінювання у вузькозонних напівпровідниках під дією одновісного стиску [Текст] 45: 11 // Укр. фіз. журн.-С.1345-1347
|
| 5. | Ж26988 Шатерник В. Є. Надпровідні тунельні переходи з бар'єрами високої прозорості [Текст] 46: 8 // Укр. фіз. журн.-С.885-888
|
| 6. | Ж26988 Панфілов М. І. Переходи між потенціальними ямами в аморфних напівпровідниках, стимульовані вільними електронами провідності [Текст] 46: 8 // Укр. фіз. журн.-С.856-858
|
| 7. | Ж14063 Жернов А. П. Постоянная решетки и линейный коэффициент теплового расширения кристалла кремния. Влияние композиции изотопов [Текст] 26: 12 // Физика низ. температур.-С.1226-1235
|
| 8. | Ж14164 Вербовой А. П. Расчет величины активного сопротивления массивного проводника при разбиении его на параллельные ветви [Текст]: 5 // Техн. електродинаміка.-С.51-54
|
| 9. | ВА594806 Чернів. держ. ун-т ім. Ю.Федьковича. Твердотільна електроніка: Електронні процеси в p - n-переходах [Текст] : Навч. посіб.
|
| 10. | Ж14063 Naidyuk Yu. G. Break-junction experiments on the Kondo semiconductor CeNiSn: tunnelling versus direct conductance [Текст] 26: 7 // Физика низ. температур.-С.687-693
|
| 11. | Ж26988 Шека Д. І. Залежне від напрямку спіну тунелювання електронів крізь магнітні бар'єри [Текст] 45: 7 // Укр. фіз. журн.-С.860-863
|
| 12. | Ж14388 Надточий В. А. Исследование электрических свойств Ge и Si, деформированных при низких температурах [Текст] 11: 1 // Физика и техника высоких давлений.-С.104-110
|
| 13. | Ж60673 Гуга К. Ю. Переходные процессы в p+ - p-структурах Ge с анизотропной проводимостью в условиях фотовозбуждения [Текст]: Вып. 35 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.62-67
|
| 14. | Ж14063 Андриевский В. В. Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах [Текст] 26: 12 // Физика низ. температур.-С.1202-1206
|
| 15. | Ж26988 Гаврилюк В. І. Холлівська рухливість вільних носіїв заряду у висококомпенсованому p-германії [Текст] 45: 7 // Укр. фіз. журн.-С.883-885
|
| 16. | Ж14063 Красовицкий Вит. Б. Эффекты квантовой интерференции в дельта-слоях бора в кремнии [Текст] 26: 8 // Физика низ. температур.-С.815-820
|
| 17. | РА306824 Тулупенко В. М.Київ. ун-т ім. Т.Шевченка. Інвертовані стани носіїв струму у напівпровідниках для середньої (lambda approx 10...50 мкм) і далекої інфрачервоної (lambda approx 50...200 мкм) областей спектра [Текст]
|
| 18. | ВА614016 Третяк О. В.Київ. нац. ун-т ім. Т.Шевченка. Спін електрона та електронно-діркова рекомбінація в напівпровідниках [Текст]
|
| 19. | Ж69398 Белецкий Н. Н. Магнитосопротивление и спиновая поляризация электронного тока магнитного туннельного перехода [Текст] 11: 1 // Радиофизика и электроника.-С.87-95
|
| 20. | Ж69231 Плаксий В. Т. Вольтваттная чувствительность контактов металл - полуметалл BiSb с учетом смещения по постоянному току [Текст]: 5-6 // Вісн. Сум. держ. ун-ту. Сер. Фізика, математика, механіка.-С.29-33
|
| | |
Простий пошук
Віртуальна довідка