![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Віртуальна довідка ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Тематичний інтернет-навігатор ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Наукова електронна бібліотека ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання
![Mozilla Firefox](../../ico/mf.png) |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Формат представлення знайдених документів: | повний | стислий |
Пошуковий запит: (<.>U=В379.224$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 182
Представлено документи з 1 до 20
|
| |
| | | | |
1. |
Романова Д. В. Вплив електромагнітних променів на структуру напівпровідникових стекол / Д. В. Романова // Фіз.-хім. механіка матеріалів. - 1999. - № 6. - С. 115-116. - Бібліогр.: 5 назв. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224 + В379.271
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж29109 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
2. |
Голокоз П. П. Гидрогенизация аморфного кремния методом низкоэнергетичной имплантации изотопов водорода / П. П. Голокоз, А. В. Коваленко, Н. Ф. Коломиец, В. В. Скурский // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 1998. - № 33. - С. 154-156. - Библиогр.: 7 назв. - рус.Исследована возможность гидрогенизации пленок аморфного кремния методом низкоэнергетичной ионной имплантации. Получены температурные зависимости удельного сопротивления аморфного кремния, выращенного методом газофазного осаждения при разложении силана, дегидрогенизированного аморфного кремния и постгидрогенизированного методом ионной имплантации с последующим отжигом. Подтверждена возможность гидрогенизации плоскостных аморфных кремниевых структур имплантируемыми низкоэнергетичными ионами изотопов водорода, что расширяет технологические возможности создания высокоэффективных тритиевых батарей - атомных элементов питания. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
3. |
Панфілов М. І. Переходи між потенціальними ямами в аморфних напівпровідниках, стимульовані вільними електронами провідності / М. І. Панфілов, В. Г. Ляпін, Г. Є. Чайка, А. Ю. Кобринський // Укр. фіз. журн. - 2001. - 46, № 8. - С. 856-858. - Бібліогр.: 7 назв. - укp.We consider atomic transitions in the Anderson lattice in amorphous semiconductors accompanied by сhanging an atomic charge state. The conditions are calculated under which these transitions will depend not only on temperature but also on the excitation degree of the electron subsystem of a crystal. In this case, one could exert control over the Anderson lattice in amorphous semiconductors by using external actions (heating, irradiation, etc.). Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224 + В379.271.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
4. |
Stronski A. V. Optical elements for IR spectral region on the base of СhVS layers = Оптичні елементи для ІЧ-області спектра на основі шарів халькогенідних склоподібних напівпровідників / A. V. Stronski, M. Vlcek, P. F. Oleksenko // Укр. фіз. журн. - 2001. - 46, № 9. - С. 995-998. - Библиогр.: 7 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
5. |
Одарич В. А. Еліпсометричні дослідження шарів HfOsub2/sub, SiOsub2/sub та Alsub2/subOsub3/sub на кварцовому склі / В. А. Одарич // Укр. фіз. журн. - 2000. - 45, № 1. - С. 44-49. - Бібліогр.: 12 назв. - укp.Проведено багатокутові еліпсометричні вимірювання у видимій області спектра на діелектричних плівках, одержаних на кварцовому склі розпиленням матеріалу електронним пучком. Показано, що виміряна еліпсометрична функція описується двошаровою системою, яка містить покриття і прошарок між покриттям і підкладкою. Знайдено показники заломлення та товщини шарів. Визначено параметри полірованого шару, який завжди утворюється внаслідок механічної обробки оптичного скла. Висловлено припущення, що прошарок утворюється під час нанесення покриття внаслідок проникнення матеріалу покриття у полірований шар. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
6. |
Шпотюк О. Й. Радіаційно-індуковані зміни оптичного пропускання склоподібних напівпровідників системи Gesub; ix/i; /subSbsub40 - ix/i; /subSsub60/sub / О. Й. Шпотюк, Т. С. Кавецький, А. П. Ковальський, Р. В. Луців, В. Памукчієва // Укр. фіз. журн. - 2001. - 46, № 4. - С. 495-498. - Бібліогр.: 27 назв. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224 + В379.34
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
7. |
Миколайчук О. Г. Структура і фізичні властивості аморфних плівок (GeS)sub1 - ix/i; /subBisub; ix/i; /sub / О. Г. Миколайчук, І. С. Дуцяк, Р. Р. Романюк // Укр. фіз. журн. - 2000. - 45, № 3. - С. 306-310. - Бібліогр.: 14 назв. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
8. |
Гапоченко С. Д. Фотоиндуцированные процессы в трехслойных структурах Ag - PbIsub2/sub - Ge - As - Se / С. Д. Гапоченко, Е. Т. Лемешевская, В. В. Муссил, А. П. Овчаренко // Реєстрація, зберігання і оброб. даних. - 1999. - 1, № 2. - С. 10-12. - Библиогр.: 6 назв. - рус. Ключ. слова: халькогенідний склоподібний напівпровідник, бар'єрний шар, тришарова структура, лазерне опромінення, фотоіндуковані зміни Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
9. |
Божко В. В. Дослідження деяких оптичних та електричних властивостей стекол систем CdSe - $Eroman bold {ASe sub 2 ~-~Ga sub 2 Se sub 3 }(A - Ge,Sn) / В. В. Божко, М. І. Роспопа // Фізика і хімія твердого тіла. - 2003. - 4, № 2. - С. 280-287. - Бібліогр.: 11 назв. - укp. Ключ. слова: скло, невпорядкованість, заборонена зона, питома провідність, енергія активації, фотолюмінісценція Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
10. |
Сороков С. І. Релаксація та термодинамічні властивості моделі протонного скла з суттєвими короткосяжними конкуруючими взаємодіями / С. І. Сороков, Р. Р. Левицький, А. С. Вдович. - Л. : ІФКС НАН України, 2007. - 21 c. - (Препр. / НАН України. Ін-т фізики конденс. систем; ІСМР-07-25U). - Бібліогр.: с. 19-21. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224,0 + В372.8,0
Рубрики:
Шифр НБУВ: Р111800 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
11. |
Сороков С. І. Термодинаміка та діелектричні властивості змішаних сполук типу $Ebold {{ roman Rb} sub {1~-~x } ( roman NH sub 4 ) sub x roman {H sub 2 PO sub 4 }} / С. І. Сороков, Р. Р. Левицький, А. С. Вдович; Ін-т фізики конденс. систем НАН України. - Л. : ІФКС НАН України, 2007. - 37 c. - (Препр. ІСМР-07-26U). - Бібліогр.: с. 34-37. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224,0 + В379.25,0
Рубрики:
Шифр НБУВ: Р111799 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
12. |
Венгер Е. Ф. Фотостимулированные процессы в халькогенидных стеклообразных полупроводниках и их практическое применение : моногр. / Е. Ф. Венгер, А. В. Мельничук, А. В. Стронский; Ин-т физики полупроводников им. В.Е.Лашкарева НАН Украины. - К. : Академпериодика, 2007. - 284 c. - Библиогр.: с. 242-280 - рус.Рассмотрены оптические свойства, спектры комбинированного рассеяния, фотоструктурные преобразования и селективное травление в слоях As - S - Se. На основе односциллярной модели и модели Пена проанализированы композиционные зависимости оптических свойств в области прозрачности края поглощения и их эволюции под действием внешних причин. Описаны особенности механизма необратимых фотоструктурных преобразований. Раскрыты основы использования регистрирующих сред на основе слоев As - S - Se в голографии и технологиях получения голограммных оптических элементов с использованием данных регистрирующих сред. Показано, что значения дифракционной эффективности и отражающих рельефно-фазовых решеток, полученных на основе слоев As - S - Se, близки к теоретической границе. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224,021 + В379.24,021 + З843.32,021
Рубрики:
Шифр НБУВ: ВС44298 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
13. |
Цалий В. Характеристичні температури Дебая аморфних телуридів Ga та In / В. Цалий // Вісн. Львів. ун-ту. Сер. фіз. - 2005. - Вип. 38, ч. 1. - С. 191-193. - Бібліогр.: 5 назв. - укp.За даними дилатометрії розраховано значення коефіцієнтів термічного розширення, характеристичних температур Дебая, середньоквадратичних динамічних зміщень атомів та оцінено енергетику структури ближнього порядку. З'ясовано, що в аморфному стані сплави Ga - Te більше наближені до рідкого стану, ніж до кристалічного. Перехід у аморфний стан призводить до компактнішого розташування атомів і збільшення сил зчеплення. Коливний спектр атомів аморфних телуридів In більше наближений до кристалічного стану. На жорсткість системи впливає і наявність "кристалоподібних" фрагментів структури. Using dilatometry data, the coefficients of thermal expansion, characteristic Debye temperatures, root-mean-square dynamic displacements of atoms and is appreciated energetics of structure of the short-range order are determined. Set, that in an amorphous state the alloys Ga-Te are closer to a liquid state than to crystalline. The transition in an amorphous state gives in more unobstructive distribution of atoms and magnification of cohesive forces. The oscillatory spectrum of atoms amorphous tellurides of In is more similar to a crystalline state. The stiffness of system is influenced also by presence "crystal -like" fragments of structure. Ключ. слова: аморфні телуриди, характеристична температура Дебая, середньоквадратичні динамічні зміщення атомів Індекс рубрикатора НБУВ: К297.04 + В379.224
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж28852/Фіз Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
14. |
Gorecki Cz. Surface and volume crystallization of metallic glass $Eroman bold {Fe sub 90 Zr sub 7 B sub 3 } as investigated by exoelectron emission (EEE) and differential thermal analysis (DTA) = Поверхнева та об'ємна кристалізація металічних стекол $Eroman bold {Fe sub 90 Zr sub 7 B sub 3 }: дослідження за допомогою диференційного термічного аналізу та вивчення екзоелектронної емісії / Cz. Gorecki, T. Gorecki, Z. Michno, S. Szymura // Вісн. Львів. ун-ту. Сер. фіз. - 2005. - Вип. 38, ч. 2. - С. 404-408. - Библиогр.: 14 назв. - англ. Ключ. слова: metallic glasses, crystallization, DTA, exoelectron emission, activation energy Індекс рубрикатора НБУВ: К297.03 + В379.224
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж28852/Фіз Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
15. |
Абдукадырова И. Х. Зависимость параметров стеклообразного кремнезема от дозы облучения быстрыми нейтронами / И. Х. Абдукадырова // Укр. фіз. журн. - 2003. - 48, № 6. - С. 580-584. - Библиогр.: 14 назв. - рус.За допомогою методів оптичної, діелектричної та рентгенівської спектроскопій досліджено вплив опромінення нейтронами на деякі параметри скловидного кремнезему (СК). Визначено закономірності радіаційних змін деяких спектральних характеристик (поляризованості, показника заломлення), параметрів структури СК за широкого інтервалу доз швидких нейтронів. Припущено, що виявлені особливості дозових залежностей ряду характеристик зумовлені радіаційно стимульованими змінами структури речовини. Розглянуто ефект великих доз. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224 + В372.7
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
16. |
Мікла В. В. Край поглинання некристалічних напівпровідників $E bold {{roman As} sub x {roman Se} sub 1-x} / В. В. Мікла, В. Ю. Сливка // Укр. фіз. журн. - 2002. - 47, № 8. - С. 773-778. - Бібліогр.: 18 назв. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
17. |
Романенко П. Ф. Особенности копий дифракционных решеток, полученных с использованием халькогенидных стеклообразных полупроводников / П. Ф. Романенко, В. И. Минько, А. В. Стронский // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2003. - Вып. 38. - С. 114-117. - Библиогр.: 14 назв. - рус.Исследованы особенности копий дифракционных решеток, полученных с использованием решеток-оригиналов на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников. Голограммные решетки-оригиналы на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников обеспечивают получение высококачественных полимерных решеток-копий с характеристиками, близкими к исходным у решеток-оригиналов, и высоким качеством поверхности полученных микрорельефов. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
18. |
Povarchuk V. Yu. Effect of ionizing radiation on magnetic properties and structure of FeV80DSiV6DBV14D amorphous alloy = Вплив іонізуючої радіації на магнітні властивості та структуру аморфного сплаву FeV80DSiV6DBV14D / V. Yu. Povarchuk, V. B. Neimash, A. M. Kraitchynskii, V. V. Maslov, V. K. Nosenko, G. M. Zelins'ka // Укр. фіз. журн. - 2004. - 49, № 1. - С. 90-93. - Библиогр.: 15 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224 + В379.227 + К297.091
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
19. |
Ильинский А. Г. Структурные преобразования в аморфных лентах FeV80DSiV6DBV14D при длительной выдержке на воздухе / А. Г. Ильинский, Г. М. Зелинская, В. В. Маслов, В. К. Носенко, Ю. В. Лепеева // Металлофизика и новейшие технологии. - 2004. - 26, № 11. - С. 1501-1507. - Библиогр.: 4 назв. - рус. Ключ. слова: аморфные ленты, температура кристаллизации, нанокристаллы Індекс рубрикатора НБУВ: К297.043 + В371.236 + В379.224
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
20. |
Рубіш В. В. Особливості структури і структурних перетворень в халькогенідних склоподібних напівпровідниках / В. В. Рубіш, В. М. Рубіш, Д. С. Леонов, А. А. Тарнай, В. К. Кириленко // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. - 2004. - 2, Вип. 2. - С. 417-440. - Бібліогр.: 72 назв. - укp.Викладено результати узагальнення відомостей про структуру та структурні перетворення в халькогенідних склоподібних напівпровідниках (ХСН) (та плівках на їх основі) під дією зовнішніх факторів - температури, світлового випромінювання, високоенергетичної проникної радіації. Обговорено механізми фото-, термо- та радіаційностимульованих перетворень у ХСН і деякі аспекти їх практичного застосування. Ключ. слова: структура, халькогенідні склоподібні напівпровідники, заряджені дефекти, фотоструктурні перетворення, фотокристалізація Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ
| | |
|
|