![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Віртуальна довідка ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Тематичний інтернет-навігатор ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Наукова електронна бібліотека ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання
![Mozilla Firefox](../../ico/mf.png) |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Формат представлення знайдених документів: | повний | стислий |
Пошуковий запит: (<.>U=З85$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 2675
Представлено документи з 1 до 20
|
| |
| | | | |
1. |
Manzhos S. Clinotron: a promising source for THz regions = Клінотрон: перспективне джерело терагерцевого діапазону частот / S. Manzhos, K. Schunemann, S. Sosnitsky, D. Vavriv // Радиофизика и радиоастрономия. - 2000. - 5, № 3. - С. 265-273. - Библиогр.: 7 назв. - англ.Розглянуто перспективи використання лампи зворотної хвилі з нахиленим електронним пучком (клінотрона) як джерела електромагнітного випромінювання терагерцевого діапазону частот. Для вивчення пускових умов та стаціонарних коливань клінотрона розроблено самоузгоджену теорію колективної взаємодії електронів з хвилею. Доведено можливість розробки перспективних ламп для терагерцевого діапазону частот і проведено оптимізацію геометрії клінотронів імпульсної та безперервної дії з частотою генерації 1 ТГц. Індекс рубрикатора НБУВ: З851.125.12
Шифр НБУВ: Ж15835 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
2. |
Keijsers R. J.P. Influence of the shape of the electrodes on the tunnel current / R. J.P. Keijsers, J. Voets, O. I. Shklyarevskii, H. van Kempen // Физика низ. температур. - 1998. - 24, № 10. - С. 970-977. - Библиогр.: 17 назв. - англ.The tunnel resistance of highly stable, mechanically controlled break junctions of Al, Au, Cu, Pb, Ni, Pt, and Pt -Ir, have been recorded as a function of the electrode spacing over 6-7 decades. Clear deviations from the expected exponential behavior have been observed. Comparison with previous experimental and theoretical studies indicate that the discussed deviations in some cases are most probably due to the shape of, rather than to interactions between, the two electrodes. Ключ. слова: Індекс рубрикатора НБУВ: З851-04
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
3. |
Svir' I. B. Modeling оf рrocesses in electrochemiluminescence emitting devices a their application = Моделювання процесів в електрохемілюмінесцентних випромінювальних приладах та їх використання / I. B. Svir', A. I. Bykh // Радиотехника / Харьк. гос. техн. ун-т радиоэлектрон. - 1999. - Вып. 110. - С. 164-169. - Библиогр.: 9 назв. - англ.Явище електрохемілюмінесценції (ЕХЛ) успішно використовується в електрохемілюмінесцентних випромінювальних приладах для фізико-хімічного аналізу в задачах екології, хімії, біології, медицини та імунного аналізу. Кванти ЕХЛ є продуктами утворення електронно-збуджених часток у процесі гомогенних хімічних реакцій переносу електрона. Кінетика та механізми цих реакцій залежать від складу ЕХЛ-композиції, електроліту та розчинників, конфігурації ЕХЛ-комірки (об'ємна або тонкошарова), а також від прикладеного потенціалу (імпульсний або струм/напруга) тощо. Наведено математичне та числове моделювання для розв'язання задачі масоперенесення в тонкошарових безелектролітних комірках. Явление электрохемилюминесценции (ЭХЛ) представляет собой излучение света, которое возникает в процессе электролиза сложных органических соединений и успешно применяется в ЭХЛ-излучательных устройствах. ЭХЛ применяется при физико-химическом анализе в задачах экологии, химии, биологии, медицины, в иммунном анализе. Кванты ЭХЛ являются продуктами образования электронно-возбужденных частиц в результате гомогенных химических реакций переноса электрона. Кинетика и механизм этих реакций зависят не только от состава ЭХЛ-композиции, элекролита и растворителей, но и в значительной степени от конфигурации ЭХЛ-ячейки (объемная или тонкослойная), а также от приложенного потенциала (импульсный или ток/напряжение) и т.п. Представлено математическое и численное моделирование для решения задачи переноса заряда в тонкослойных безэлектролитных ячейках. The electrogenerated chemiluminescence (ECL) is a light-emitting phenomenon that arises during electrolysis of many organic compounds solutions and it has successful utilisation in the ECL emitting devices. On the other hand the ECL has applications in the physical and chemical analysis in ecology, chemistry, biology, medicine, immunoassays. ECL quanta are emitted by electronically excited molecules of pointed compounds products of homogeneous solution chemical electron-transfer reactions. Those reactions kinetic and mechanism depend strongly not only over ECL composition nature, electrolyte and solvents, but in great extent over ECL cell (volumetric or thin-layer) configuration, electrolysis mode (pulsed or direct current/voltage) etc. The mathematical modeling and digital simulation to solve a mass-transfer problems in thin-layer electrolyte-free cells are presented. Індекс рубрикатора НБУВ: З851.13
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж29221 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
4. |
Stets M. The activation analysis of electronic scrap samples elemental composition = Активаційний аналіз елементного складу зразків електронного брухту / M. Stets, M. Hoshovsky, O. Parlag, V. Buzash, V. Okogrib // Наук. вісн. Ужгород. ун-ту. Сер. Фізика. - 2000. - Вип. 8, ч. 2. - С. 336-340. - англ.Розглянуто питання, пов'язані з проблемами утилізації електронного брухту (лампової та напівпровідникової електроніки, НВЧ-техніки тощо.) зокрема, з оцінкою елементного складу зразків в режимі "чорного ящика" (відсутністю апріорної інформації про склад досліджуваних об'єктів); оцінкою рентабельності та доцільності вилучення різних металів, у першу чергу, золота та срібла; вибором і місцем методів аналізу та вилучення цих металів у послідовності етапів утилізації. Розгляд проблематики виконано на базі експериментальних даних активаційного аналізу зразків електронного брухту на мікротроні М-30 ІЕФ НАНУ. Індекс рубрикатора НБУВ: З850.09
Шифр НБУВ: Ж68850/фіз. Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
5. |
Злобин Г. Г. Автоматизированный измеритель параметров математических моделей полупроводниковых элементов / Г. Г. Злобин, В. Т. Креминь // Электрон. моделирование. - 1999. - 21, № 2. - С. 55-59. - Библиогр.: 7 назв. - рус.Описано автоматизований вимірювач параметрів напівпровідникових приладів, виконаний на основі персонального комп'ютера типу ІВМ РС/АТ. Результати вимірювань використовуються при формуванні бібліотек математичних моделей напівпровідникових виробів (біполярних та польових транзисторів, діодів, стабілітронів) для програм схемотехнічного моделювання типу PSpice. Числові значення параметрів моделей визначаються за допомогою оригінального програмного забезпечення. Ключ. слова: PSpice, идентификация параметров, вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики Індекс рубрикатора НБУВ: З852-01
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14163 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
6. |
Алексеев Г. А. Анализ двухкомпонентного ионного облака в неэквипотенциальном канале / Г. А. Алексеев // Радиофизика и электроника. - 1998. - 3, № 2. - С. 66-68. - Библиогр.: 4 назв. - рус.На основі чисельного розрахунку самоузгодженої системи рівнянь безперервності амбіполярних струмів та рівняння Пуассона проведено аналіз впливу двохкомпонентного іонізованого газу на розподіл статичного потенціалу в нееквіпотенціальному каналі. Аналіз показав, що нееквіпотенціальність простору може бути додатковою причиною розсмоктування природної іонної пастки у мікрохвильових електронних приладах О-типу. Індекс рубрикатора НБУВ: З851.1
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж69398 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
7. |
Аверина Л. И. Анализ нелинейных характеристик усилителя на полевом транзисторе с учетом паразитных сопротивлений / Л. И. Аверина, А. М. Бобрешов // Изв. вузов. Радиоэлектроника. - 2000. - 43, № 9-10, [ч. 1]. - С. 78-80. - Библиогр.: 2 назв. - рус. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.395-046
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж27665/рад.эл. Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
8. |
Каневский В. И. Анализ частотных и тепловых свойств диода Ганна с многокольцевым катодом / В. И. Каневский, В. Е. Чайка // Изв. вузов. Радиоэлектроника. - 1999. - 42, № 1. - С. 38-45. - Библиогр.: 11 назв. - рус.Проведен анализ тепловых и частотных свойств диода Ганна с многокольцевым катодом. Показано, что расширение частотного диапазона диода Ганна, увеличение эффективности и входной непрерывной мощности, подводимой по питанию, возможно в случае выполнения области катода в виде концентрических колец, инжектирующих ток в активную область прибора, разделенных областями, ограничивающими инжекцию тока. Исследованы тепловые свойства диода. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж27665/рад.эл. Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
9. |
Никонова З. А. Аналогия между системами живых организмов и закономерностями работы технических устройств СВЧ диапазона / З. А. Никонова, О. Ю. Небеснюк, Е. В. Друзева // Радіоелектроніка. Інформатика. Управління. - 1999. - № 2. - С. 31-33. - Библиогр.: 3 назв. - рус.Наведено принципи побудови багатостійкої логічної схеми на НВЧ мікроелектронних структурах, яка моделює КХЧ керуючу систему живої клітини. Індекс рубрикатора НБУВ: ЕО*550*718.1,025 + З852.5
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16683 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
10. |
Олексенко П. Ф. Виртуальный измерительный комплекс параметров оптронов / П. Ф. Олексенко, Г. А. Сукач, В. С. Кретулис, В. Ю. Горонескуль, И. Е. Минакова, В. П. Боюн, Ю. А. Брайко, А. В. Матвиенко, И. Ф. Малкуш // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 1998. - № 33. - С. 51-58. - Библиогр.: 7 назв. - рус.Разработан и изготовлен виртуальный измерительный комплекс параметров оптронов, в котором часть функций и операций осуществляется не аппаратно, а программно с помощью персонального компьютера. При этом компьютер выполняет функции, связанные с взаимодействием пользователя и измерительной системы. Описанный вариант комплекса позволяет определять (с выдачей соответствующего сертификата качества) статические и дифференциальные параметры различного типа оптронов (с погрешностью не более 1 ), а также динамические переходные параметры (с погрешностью не более 5 ). Комплекс многофункциональный и модульно-программно перестраиваемый. Індекс рубрикатора НБУВ: З854.3
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
11. |
Томашевский А. В. Влияние параметров МОП-структуры на крутизну высокочастотной вольт-фарадной характеристики / А. В. Томашевский, Г. В. Снежной, К. А. Чернявский // Радіоелектроніка. Інформатика. Управління. - 1999. - № 2. - С. 45-47. - Библиогр.: 2 назв. - рус.Запропоновано модель, що описує вплив параметрів МОН-структури на крутизну вольт-фарадної характеристики. Результати роботи використано у проектуванні напівпровідникових приладів. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3-01
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16683 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
12. |
Конакова Р. В. Влияние радиации на вольт-амперные характеристики арсенид-галлиевых полевых транзисторов с барьером Шоттки / Р. В. Конакова, В. В. Миленин, Е. А. Соловьев, В. А. Статов, М. А. Стовповой, А. Е. Ренгевич, Г. Т. Тариелашвили // Изв. вузов. Радиоэлектроника. - 1999. - 42, № 4. - С. 73-76. - Библиогр.: 6 назв. - рус. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.39
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж27665/рад.эл. Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
13. |
Камалов А. Б. Влияние СВЧ излучения на характеристики GaAs полевых транзисторов с затвором Шоттки / А. Б. Камалов, Р. В. Конакова, В. В. Миленин, А. Е. Ренгевич, Е. А. Соловьев // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2000. - Вып. 35. - С. 145-149. - Библиогр.: 10 назв. - рус.Представлены результаты экспериментального исследования влияния СВЧ излучения на деградационные процессы в арсенидгаллиевых полевых транзисторах с затвором Шоттки (ПТШ). Показано, что арсенидгаллиевые ПТШ изменяют свои параметры после кратковременного СВЧ облучения частотой 2,45 Гц в свободном пространстве при фиксированной выходной мощности. При этом основные изменения происходят в затворе транзистора. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.395
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
14. |
Нікітенко О. М. Вплив додаткових конструкційних параметрів на характеристики резонаторної системи приладів НВЧ / О. М. Нікітенко // Радиотехника / Харьк. гос. техн. ун-т радиоэлектрон. - 1999. - Вып. 112. - С. 75-76. - Бібліогр.: 13 назв. - укp.Наведено результати теоретичних досліджень впливу додаткових конструкційних параметрів на важливі характеристики резонаторної системи: зсув частот коливань, розділення між модами коливань, вплив на вищі смуги пропускання. Базуючись на графічному матеріалі, можна визначати вищезгадані характеристики та за їх допомогою отримувати резонаторну систему таких приладів. Представлены результаты теоретических исследований влияния дополнительных конструкционных параметров на важные характеристики резонаторной системы: сдвиг колебаний, разделение между видами колебаний, влияние на высшие полосы пропускания. Основываясь на графическом материале, можно определить вышеупомянутые характеристики и с их помощью оптимизировать резонаторную систему таких приборов. Influence of complementary design parameters on microwave devices resonant system performances often arise. Results of theoretical research into the influence of the complementary desing parameters on such important resonant system performances as frequency shift, mode separation are presented. Based on a graphical material one can define the above mentioned characteristics and optimize such device resonant system using the characteristics. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.5
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж29221 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
15. |
Іващук А. В. Вплив морфології омічних контактів на надвисокочастотні параметри польових транзисторів / А. В. Іващук, В. І. Тимофєєв // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2000. - Вып. 35. - С. 157-161. - Бібліогр.: 10 назв. - укp.Наведено результати теоретичних і експериментальних досліджень впливу морфології омічних контактів (ОК) на надвисокочастотні (НВЧ) параметри GaAs польових транзисторів з бар'єром Шотткі (ПТШ). Доведено, що основні НВЧ параметри ПТШ залежать від морфології ОК. Показано, що запропонована секційна модель ПТШ для врахування неоднорідностей дає можливість із високим ступенем достовірності в широкому температурному діапазоні вирахувати коефіцієнт підсилення за потужністю і шумовою температурою ПТШ, що підтверджено експериментальними результатами. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.395-01
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
16. |
Николаенко В. М. Гипермоделирование нелинейных электронных объектов с учетом старения / В. М. Николаенко // Электрон. моделирование. - 2001. - 23, № 3. - С. 107-115. - Библиогр.: 11 назв. - рус.Запропоновано підхід до опису функціональних властивостей нелінійних електронних об'єктів з урахуванням впливу часу старіння - гіпермоделювання, на базі якого можна оцінити та підвищити часовий запас їх працездатності. Ключ. слова: гипермоделирование, работоспособность электронных устройств, времякомпенсация Індекс рубрикатора НБУВ: З85-01
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14163 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
17. |
Графоаналітичний аналіз каскадів підсилення на біполярних транзисторах : Метод. вказівки / уклад.: І. А. Бучковський; Чернів. держ. ун-т ім. Ю.Федьковича. - Чернівці, 2001. - 56 c. - Бібліогр.: 14 назв. - укp.Наведено результати графоаналітичного аналізу типових каскадів підсилення на біполярних транзисторах. Запропоновано приклади застосування графоаналітичного методу під час аналізу однотранзисторних каскадів підсилення. Висвітлено особливості графоаналітичного аналізу двотранзисторних каскадів підсилення. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3 я73
Рубрики:
Шифр НБУВ: ВА605929 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
18. |
Тутык В. А. Деионизация в электронных газоразрядных пушках после прохождения импульсного высоковольтного тлеющего разряда / В. А. Тутык // Систем. технології. - 2000. - Вип. 3. - С. 103-108. - Библиогр.: 3 назв. - рус.Розглянуто результати експериментального дослідження часу деіонізації в електронних газорозрядних гарматах із порожнистим анодом після проходження імпульсного високовольтного жевріючого розряду в гелії для діапазону тиску 13,3 symbol Ш 1330 Па, прискорюючої напруги 20 кВ, тривалості імпульсу напруги 10 мкс. Час деіонізації знаходився в діапазоні 34000 symbol Ш 340 мкс відповідно до тиску. Для зниження цього часу запропоновано додавати до гелію 5 % водню. Завдяки запропонованому методу був знижений час деіонізації в електронній гарматі майже на один порядок. Індекс рубрикатора НБУВ: В333.321 + З851.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж69472 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
19. |
Електроніка / ред.: Д. Заячук. - Л., 1998. - 128 с. - (Вісн. Держ. ун-ту "Львів. політехніка"; N 357). - укp. - рус.Пропонується модель деформаційного формування поверхневого бар'єра у напівпровіднику, розглядається його вплив на властивості контакту "метал - напівпровідник". Висвітлюються питання електропровідності системи квазідвовимірних електронів, наведені термодинамічні величини електронного газу у шаруватих кристалах. Здійснено розрахунок концентрації радіаційних дефектів у багатоатомних сполуках під час каскадоутворюючого опромінення, а також синтез подільника частоти з дробовим коефіцієнтом ділення тощо. Індекс рубрикатора НБУВ: З85 я54
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
20. |
Електроніка / ред.: Д. Заячук. - Л., 2000. - 150 с. - (Вісн. Держ. ун-ту "Львів. політехніка"; N 397). - укp. - рус.Наведено результати досліджень у галузі матеріалів електронної техніки, зокрема, розглянуто особливості вирощування мікрокристалів GaAs під впливом домішки гадолінію. Проаналізовано питання фізики, технології та виробництва елементів, приладів і систем електронної техніки, у т.ч. стабільність інтегрального низьковольтного джерела опорної напруги, товстоплівкові конденсатори на ізоляційних пастах, методи підвищення якості зображень у радіолокаційних системах із синтезованою апертурою. Окрему увагу приділено експериментальним і теоретичним дослідженням електронних процесів. Індекс рубрикатора НБУВ: З85 я54(4Укр)3
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ
| | |
|
|