![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Віртуальна довідка ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Тематичний інтернет-навігатор ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Наукова електронна бібліотека ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання
![Mozilla Firefox](../../ico/mf.png) |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Формат представлення знайдених документів: | повний | стислий |
Пошуковий запит: (<.>U=З852$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1269
Представлено документи з 1 до 20
|
| |
| | | | |
1. |
Злобин Г. Г. Автоматизированный измеритель параметров математических моделей полупроводниковых элементов / Г. Г. Злобин, В. Т. Креминь // Электрон. моделирование. - 1999. - 21, № 2. - С. 55-59. - Библиогр.: 7 назв. - рус.Описано автоматизований вимірювач параметрів напівпровідникових приладів, виконаний на основі персонального комп'ютера типу ІВМ РС/АТ. Результати вимірювань використовуються при формуванні бібліотек математичних моделей напівпровідникових виробів (біполярних та польових транзисторів, діодів, стабілітронів) для програм схемотехнічного моделювання типу PSpice. Числові значення параметрів моделей визначаються за допомогою оригінального програмного забезпечення. Ключ. слова: PSpice, идентификация параметров, вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики Індекс рубрикатора НБУВ: З852-01
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14163 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
2. |
Аверина Л. И. Анализ нелинейных характеристик усилителя на полевом транзисторе с учетом паразитных сопротивлений / Л. И. Аверина, А. М. Бобрешов // Изв. вузов. Радиоэлектроника. - 2000. - 43, № 9-10, [ч. 1]. - С. 78-80. - Библиогр.: 2 назв. - рус. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.395-046
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж27665/рад.эл. Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
3. |
Каневский В. И. Анализ частотных и тепловых свойств диода Ганна с многокольцевым катодом / В. И. Каневский, В. Е. Чайка // Изв. вузов. Радиоэлектроника. - 1999. - 42, № 1. - С. 38-45. - Библиогр.: 11 назв. - рус.Проведен анализ тепловых и частотных свойств диода Ганна с многокольцевым катодом. Показано, что расширение частотного диапазона диода Ганна, увеличение эффективности и входной непрерывной мощности, подводимой по питанию, возможно в случае выполнения области катода в виде концентрических колец, инжектирующих ток в активную область прибора, разделенных областями, ограничивающими инжекцию тока. Исследованы тепловые свойства диода. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж27665/рад.эл. Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
4. |
Никонова З. А. Аналогия между системами живых организмов и закономерностями работы технических устройств СВЧ диапазона / З. А. Никонова, О. Ю. Небеснюк, Е. В. Друзева // Радіоелектроніка. Інформатика. Управління. - 1999. - № 2. - С. 31-33. - Библиогр.: 3 назв. - рус.Наведено принципи побудови багатостійкої логічної схеми на НВЧ мікроелектронних структурах, яка моделює КХЧ керуючу систему живої клітини. Індекс рубрикатора НБУВ: ЕО*550*718.1,025 + З852.5
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16683 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
5. |
Томашевский А. В. Влияние параметров МОП-структуры на крутизну высокочастотной вольт-фарадной характеристики / А. В. Томашевский, Г. В. Снежной, К. А. Чернявский // Радіоелектроніка. Інформатика. Управління. - 1999. - № 2. - С. 45-47. - Библиогр.: 2 назв. - рус.Запропоновано модель, що описує вплив параметрів МОН-структури на крутизну вольт-фарадної характеристики. Результати роботи використано у проектуванні напівпровідникових приладів. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3-01
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16683 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
6. |
Конакова Р. В. Влияние радиации на вольт-амперные характеристики арсенид-галлиевых полевых транзисторов с барьером Шоттки / Р. В. Конакова, В. В. Миленин, Е. А. Соловьев, В. А. Статов, М. А. Стовповой, А. Е. Ренгевич, Г. Т. Тариелашвили // Изв. вузов. Радиоэлектроника. - 1999. - 42, № 4. - С. 73-76. - Библиогр.: 6 назв. - рус. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.39
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж27665/рад.эл. Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
7. |
Камалов А. Б. Влияние СВЧ излучения на характеристики GaAs полевых транзисторов с затвором Шоттки / А. Б. Камалов, Р. В. Конакова, В. В. Миленин, А. Е. Ренгевич, Е. А. Соловьев // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2000. - Вып. 35. - С. 145-149. - Библиогр.: 10 назв. - рус.Представлены результаты экспериментального исследования влияния СВЧ излучения на деградационные процессы в арсенидгаллиевых полевых транзисторах с затвором Шоттки (ПТШ). Показано, что арсенидгаллиевые ПТШ изменяют свои параметры после кратковременного СВЧ облучения частотой 2,45 Гц в свободном пространстве при фиксированной выходной мощности. При этом основные изменения происходят в затворе транзистора. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.395
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
8. |
Нікітенко О. М. Вплив додаткових конструкційних параметрів на характеристики резонаторної системи приладів НВЧ / О. М. Нікітенко // Радиотехника / Харьк. гос. техн. ун-т радиоэлектрон. - 1999. - Вып. 112. - С. 75-76. - Бібліогр.: 13 назв. - укp.Наведено результати теоретичних досліджень впливу додаткових конструкційних параметрів на важливі характеристики резонаторної системи: зсув частот коливань, розділення між модами коливань, вплив на вищі смуги пропускання. Базуючись на графічному матеріалі, можна визначати вищезгадані характеристики та за їх допомогою отримувати резонаторну систему таких приладів. Представлены результаты теоретических исследований влияния дополнительных конструкционных параметров на важные характеристики резонаторной системы: сдвиг колебаний, разделение между видами колебаний, влияние на высшие полосы пропускания. Основываясь на графическом материале, можно определить вышеупомянутые характеристики и с их помощью оптимизировать резонаторную систему таких приборов. Influence of complementary design parameters on microwave devices resonant system performances often arise. Results of theoretical research into the influence of the complementary desing parameters on such important resonant system performances as frequency shift, mode separation are presented. Based on a graphical material one can define the above mentioned characteristics and optimize such device resonant system using the characteristics. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.5
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж29221 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
9. |
Іващук А. В. Вплив морфології омічних контактів на надвисокочастотні параметри польових транзисторів / А. В. Іващук, В. І. Тимофєєв // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2000. - Вып. 35. - С. 157-161. - Бібліогр.: 10 назв. - укp.Наведено результати теоретичних і експериментальних досліджень впливу морфології омічних контактів (ОК) на надвисокочастотні (НВЧ) параметри GaAs польових транзисторів з бар'єром Шотткі (ПТШ). Доведено, що основні НВЧ параметри ПТШ залежать від морфології ОК. Показано, що запропонована секційна модель ПТШ для врахування неоднорідностей дає можливість із високим ступенем достовірності в широкому температурному діапазоні вирахувати коефіцієнт підсилення за потужністю і шумовою температурою ПТШ, що підтверджено експериментальними результатами. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.395-01
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
10. |
Графоаналітичний аналіз каскадів підсилення на біполярних транзисторах : Метод. вказівки / уклад.: І. А. Бучковський; Чернів. держ. ун-т ім. Ю.Федьковича. - Чернівці, 2001. - 56 c. - Бібліогр.: 14 назв. - укp.Наведено результати графоаналітичного аналізу типових каскадів підсилення на біполярних транзисторах. Запропоновано приклади застосування графоаналітичного методу під час аналізу однотранзисторних каскадів підсилення. Висвітлено особливості графоаналітичного аналізу двотранзисторних каскадів підсилення. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3 я73
Рубрики:
Шифр НБУВ: ВА605929 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
11. |
Усатенко В. Г. Измерения гармоник как избирательная фильтрация вариационных признаков макроскопических характеристик нелинейных объектов в параметрической области / В. Г. Усатенко // Пробл. упр. и информатики. - 1998. - № 3. - С. 100-109. - Библиогр.: 7 назв. - рус.Показано, що аналіз гармонік сигналу-відгуку, які генеруються нелінійними об'єктами при дії гармонічного тест-сигналу з постійною складовою, що регулюється, можна розглядати як процес вибіркової фільтрації варіаційних ознак макроскопічних характеристик таких об'єктів, наприклад, вольтамперних характеристик. Знайдено вагові функції та частотні характеристики такого процесу. З'ясовано, що необхідно узгоджувати частотні характеристики процесу зі спектром інформативних варіаційних ознак макроскопічних характеристик об'єктів. Ключ. слова: Індекс рубрикатора НБУВ: З852-082
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26990 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
12. |
Ильченко М. Е. Интегральные устройства СВЧ телекоммуникационных систем / М. Е. Ильченко, А. А. Липатов, Н. А. Могильченко, Т. Н. Нарытник, А. В. Савельев, Ю. И. Якименко. - К. : Техніка, 1998. - 110 c. - Библиогр.: 51 назв. - рус.Викладено принципи дії, узагальнені характеристики і параметри напівпровідникових (монолітних) і гібридно-інтегральних схем, а також модулів НВЧ різного призначення. Розглянуто їх позитивні якості та недоліки; особливості конструкції, що впливають на експлуатаційні характеристики; вказані основні елементи та компоненти; наведені значення параметрів ІС різного призначення; вказані напрями їх удосконалення. Індекс рубрикатора НБУВ: З970.3-043 + З852.5
Рубрики:
Шифр НБУВ: ВА585566 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
13. |
Матвеев С. А. Исследование влияния динамических потерь в транзисторах на КПД и оптимальную нагрузку инвертора с индуктивно-емкостным преобразователем / С. А. Матвеев // Техн. електродинаміка. - 1998. - № 5. - С. 24-28. - Библиогр.: 4 назв. - рус.Досліджено вплив динамічних втрат у транзисторах на ККД та оптимальне навантаження транзисторного інвертора з індуктивно-ємнісним перетворювачем і визначено ступінь цього впливу. Індекс рубрикатора НБУВ: З264.532 + З852.3
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14164 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
14. |
Смуглий В. И. Исследование фотокинетических явлений в полупроводниках на СВЧ / В. И. Смуглий, И. В. Сухоруков // Радиотехника / Харьк. гос. техн. ун-т радиоэлектрон. - 1999. - Вып. 111. - С. 50-53. - Библиогр.: 6 назв. - рус.Розглянуто умови формування НВЧ сигналів фотопровідності високоомних напівпровідників у процесі імпульсної та гармонічної фотомодуляцій провідності, які виділяються за допомогою складового циліндричного РВП з Н012 видом коливань. Досліджено особливості вимірювання параметрів напівпровідників за високих рівнів фотозбудження. Доведено, що у більшості випадків фазовий метод вимірювання часу життя в напівпровідниках забезпечує високий ступінь адекватності досліджень. Рассмотрены условия формирования СВЧ сигналов фотопроводимости высокоомных полупроводников при импульсной и гармонической фотомодуляции проводимости, выделяемых с помощью составного цилиндрического РИП с Н012 видом колебаний. Исследованы особенности измерения параметров полупроводников при высоких уровнях фотовозбуждения. Доказано, что в большинстве случаев фазовый метод измерения времени жизни в полупроводниках обеспечивает высокую степень адекватности исследований. Conditions of hidht-ohmic semiconductior photoconductivity microwave signals formation with the pulse and harmonic photomodulation of conductivity, these signals being extract ed with oscillation mode composite cylindrical resonator, are considered. Recularities of seviconductors parameters measurement at high levels of photo excitation are studied. It is shown that the plase method of life-time measurement in semiconductors offer a high degree of the research adequacy in most cases. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.5-01
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж29221 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
15. |
Карушкин Н. Ф. Источники мощности миллиметрового диапазона на лавинно-пролетных диодах с распределенными параметрами / Н. Ф. Карушкин // Изв. вузов. Радиоэлектроника . - 1999. - 42, № 7. - С. 47-54. - Библиогр.: 4 назв. - рус.Предложены твердотельные источники мощности с применением кольцевых лавинно-пролетных диодов с распределенными параметрами. Показана возможность значительного увеличения средней выходной СВЧ-мощности без использования алмазного теплоотвода. Конструкция диода позволяет создавать высокоэффективные сумматоры мощности и когерентные передающие устройства на их основе в диапазоне миллиметровых волн. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.5
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж27665 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
16. |
Молчанов П. А. Моделирование нелинейных искажений цепей с негатронами / П. А. Молчанов, Е. В. Войцеховская // Электрон. моделирование. - 2000. - 22, № 6. - С. 27-33. - Библиогр.: 6 назв. - рус.На базі нелінійної моделі динамічного транзисторного негатрона проведено аналіз нелінійних спотворень, які виникають за режиму перетворення частоти. Визначено обмеження використання функціональних рядів Вольтерра для розрахунку транзисторних негатронів за нелінійного режиму та за умов стійкої роботи за допомогою інваріантного коефіцієнта стійкості. Ключ. слова: динамический негатрон, режим преобразования, нелинейное искажение, устойчивость Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3-01
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14163 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
17. |
Петерчук С. А. Моделирование процессов в транзисторном инверторе с широтно-импульсной модуляцией / С. А. Петерчук // Пробл. упр. и информатики. - 1999. - № 6. - С. 117-122. - Библиогр.: 5 назв. - рус.Досягнуто покращання властивостей транзисторного інвертора з широтно-імпульсною модуляцією завдяки використанню режиму несиметричної комутації і синтезу оптимального управління транзисторами на основі функцій Ляпунова. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26990 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
18. |
Каневский В. И. Моделирование физических процессов в диодах Ганна с островковыми инжекторами "горячих" электронов / В. И. Каневский, В. Е. Чайка // Изв. вузов. Радиоэлектроника. - 2000. - 43, № 7-8, [ч. 2]. - С. 73-80. - Библиогр.: 9 назв. - рус.Описана модель ячейки периодической структуры диода Ганна с островковыми инжекторами "горячих" электронов. Показано, что эффективность и частотный диапазон диода Ганна с островковыми омическими катодными контактами существенно увеличиваются, если островковые омические контакты заменить на островковые инжекторы "горячих" электронов. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2-01
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж27665/рад. эл. Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
19. |
Осадчук О. В. Мікроелектронні частотні перетворювачі на основі транзисторних структур з від'ємним опором / О. В. Осадчук; Вінниц. держ. техн. ун-т. - Вінниця : УНІВЕРСУМ-Вінниця, 2000. - 303 c. - Бібліогр.: 178 назв. - укp.Охарактеризовано вплив температури, оптичного випромінювання, тиску, магнітного поля на напівпровідники. Проаналізовано роботу генератора коливань у лінійному та нелінійному режимах за умов використання від'ємного опору як основного елемента перетворювачів. Основну увагу приділено вольт-амперним характеристикам, чутливості, функціям перетворення частотних перетворювачів температури, оптичному випромінюванню, магнітній індукції та тиску. Проведено експериментальне дослідження основних параметрів мікроелектронних частотних перетворювачів, а також запропоновано їх оптимальні схеми та структури. Індекс рубрикатора НБУВ: з852.3
Рубрики:
Шифр НБУВ: ВА604738 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
20. |
Левитський С. М. Напівпровідникові прилади : Навч. посіб. для студ. радіофіз. ф-ту / С. М. Левитський; Київ. нац. ун-т ім. Т.Шевченка. - К., 2000. - 108 c. - укp.Досліджено фізичні явища у напівпровідниках і частотні властивості транзистора. Значну увагу приділено напівпровідниковим діодам, частотній залежності коефіцієнта передачі струму, граничним частотам. Визначено особливості маркування та класифікації транзисторів. Проаналізовано деякі особливості виготовлення інтегральних мікросхем. Індекс рубрикатора НБУВ: з852 я73-1 + з844.1 я73-1
Рубрики:
Шифр НБУВ: ВА605048 Пошук видання у каталогах НБУВ
| | |
|
|