![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Віртуальна довідка ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Тематичний інтернет-навігатор ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Наукова електронна бібліотека ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання
![Mozilla Firefox](../../ico/mf.png) |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Формат представлення знайдених документів: | повний | стислий |
Пошуковий запит: (<.>U=З854.22$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 141
Представлено документи з 1 до 20
|
| |
| | | | |
1. |
Bogoboyashchiy V. V. Effect of annealing on activation of native acceptors in narrow-gap ip/i-HgCdTe crystals = Вплив відпалу на активацію власних акцепторів у кристалах вузькозонного ip/i-HgCdTe / V. V. Bogoboyashchiy // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 1. - С. 62-69. - Библиогр.: 14 назв. - англ. Ключ. слова: власний акцептор, енергiя iонiзацiї, термiчна обробка. Індекс рубрикатора НБУВ: З854.22 + В379.274
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
2. |
Антонова В. А. К вопросу о новых конструктивно-технологических решениях при создании высокоэффективных кремниевых фотоприемников большой площади / В. А. Антонова, В. Н. Борщев, А. М. Листратенко, Н. И. Слипченко // Радиотехника / Харьк. гос. техн. ун-т радиоэлектрон. - 1998. - Вып. 109. - С. 131-138. - Библиогр.: 16 назв. - рус. Індекс рубрикатора НБУВ: З854.22
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж29221 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
3. |
Горбань А. П. Оптимизация параметров кремниевых солнечных элементов с insup+/sup - p - psup+/sup; /i-структурой. Теоретические соотношения / А. П. Горбань, В. П. Костылев, А. В. Саченко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 1999. - Вып. 34. - С. 119-128. - Библиогр.: 17 назв. - рус. Індекс рубрикатора НБУВ: З854.225
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
4. |
Войцеховский А. В. Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/$Eroman bold {SiO sub 2 "/"Si sub 3 N sub 4 } / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, Н. А. Кульчицкий // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2005. - № 4. - С. 35-38. - Библиогр.: 4 назв. - рус. Ключ. слова: МДП-структуры, HgCdTe, вольт-фарадные характеристики, варизонные слои. Індекс рубрикатора НБУВ: З854.22 + З843.6
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
5. |
Рюхтин В. В. Особенности разработки термостабилизированных германиевых фотодиодов / В. В. Рюхтин, Ю. Г. Добровольский // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2004. - № 6. - С. 4548. - Библиогр.: 6 назв. - рус.Рассмотрены особенности конструирования германиевых лавинных и нелавинных пороговых фотодиодов для комплектации тестеров оптического излучения волоконно-оптических линий систем связи. Показано, что применение эпитаксиальных структур и термоэлектрического охлаждения позволяет в 2 - 3 раза увеличить токовую монохроматическую чувствительность лавинных фотодиодов и на порядок понизить темновой ток обычных германиевых фотодиодов. Features of designing germanium avalanche and not avalanche threshold photodiodes for a complete set of testers of optical radiation of optical fiber lines of systems of connection are considered. It is shown, that application epytacsial structures and thermoelectric cooling allows in 2-3 times to increase monochromatic sensitivity of avalanche photodiodes and it is essential to lower a return current usual germanium photodiodes. Ключ. слова: фотодиод, лавинный фотодиод, германий, чувствительность, охлаждение, термостабилизация. Індекс рубрикатора НБУВ: З854.22
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
6. |
Рева В. П. Проектирование схемы считывания для матриц ИК-фотодиодов среднего диапазона длин волн / В. П. Рева, Ф. Ф. Сизов // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2004. - № 6. - С. 56-60. - Библиогр.: 10 назв. - рус. Індекс рубрикатора НБУВ: З854.22
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
7. |
Марончук И. Е. Получение кремния электродным восстановлением продуктов пиролиза рисовой лузги / И. Е. Марончук, Б. П. Масенко, М. В. Повстяной, В. А. Завадский, О. В. Соловьев // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2003. - № 1. - С. 42-42. - Библиогр.: 5 назв. - рус.Проведен сравнительный анализ химических свойств лузги риса, выращиваемого в Украине и в некоторых других странах. Предложена схема получения кремния "солнечного" класса из рисовой лузги для производства фотоэлектрических преобразователей (ФЭП), включающая следующие этапы: отмывка лузги, пиролитическое разложение органических соединений, выщелачивание, пиролиз для получения диоксида кремния, изготовление электродов состава SiO2-C (или металл), электродуговое восстановление кремния, очистка кристаллизацией. The comparative analysis of chemical properties of rice peel, growing in Ukraine and in some foreign countries is carried out. The circuit of reception of silicon of a "solar class" from rice peel for manufacture of photo-electric converters (PEC), including the following stages is offered: washing, burning of organic compounds, using alkali, burning for SiO2 reception, manufacturing of "SiO2-C (or metal)" electrodes, restoration in electric arc, clearing of silicon by crystallization. Precomputations of manufacture volume of silicon from rice peel in Ukraine show that it can make up to 700-1000 tons per year. This volume can supply manufacturing of photo-electric modules with capacity up to 100 МWatt per year. Індекс рубрикатора НБУВ: З854.225-06
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
8. |
Викулин И. М. Усиление тока в инжекционных фотодиодах с полевым электродом / И. М. Викулин, Ш. Д. Курмашев, Р. Г. Сидорец, Ю. Г. Туманов // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2003. - № 4. - С. 46-49. - Библиогр.: 6 назв. - рус.Изложен физический механизм внутреннего усиления фототока в p-n-переходе с длинной базой, на боковой поверхности которой создан полевой МДП-электрод. Установлено, что совместное действие нескольких механизмов усиления увеличивает чувствительность инжекционного фотодиода. The physical mechanism of inside amplification at the p-n-junction with long base, on the lateral surface of which the field-effect MOS-contact was made, was considered. The joint action of several mechanisms of amplification the sensitivity of injection photodiodes is increase. Індекс рубрикатора НБУВ: З854.22
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
9. |
Ковалюк З. Д. Фотодиоды на основе моноселенидов индия и галлия / З. Д. Ковалюк, В. П. Махний, А. И. Янчук // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2003. - № 2. - С. 42-44. - Библиогр.: 6 назв. - рус.Проанализированы электрические и фотоэлектрические свойства выпрямляющих структур различного типа (поверхностно-барьерные диоды, p-n-гомопереходы и гетеропереходы) на базе моноселенидов галлия и индия. Обсуждены влияние параметров базовых материалов на основные технические характеристики и параметры диодов, а также возможные пути их улучшения. The forming mechanisms of dark and light properties straightening structures with different type based on the indium and gallium monoselenides were considered. Індекс рубрикатора НБУВ: З854.22-03
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
10. |
Кириченко М. В. Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах / М. В. Кириченко, Р. В. Зайцев, Н. В. Дейнеко, В. Р. Копач, В. А. Антонова, А. М. Листратенко // Радиофизика и электроника. - 2007. - 12, № 1. - С. 255-262. - Библиогр.: 16 назв. - рус. Ключ. слова: фотопреобразователь, монокристаллы Si, конструкция, технология, параметры Індекс рубрикатора НБУВ: З854.225-01
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж69398 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
11. |
Шуба Л. П. Исследование возможности разработки высокоэффективных кремниевых фотопреобразователей с базовой IBp - i - nD структурой / Л. П. Шуба, М. В. Кириченко, В. Р. Копач, В. А. Антонова, А. М. Листратенко // Радиофизика и электроника. - 2007. - 12, № 1. - С. 263-267. - Библиогр.: 5 назв. - рус. Ключ. слова: фотоэлектрические преобразователи, p-i-n структура, КПД Індекс рубрикатора НБУВ: З854.225-01
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж69398 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
12. |
Ёдгорова Д. М. Исследование примесного фотоэффекта в двухбарьерных p - n - m-структурах / Д. М. Ёдгорова, Ф. М. Ашрапов // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2006. - № 3. - С. 40-47. - Библиогр.: 28 назв. - рус. Ключ. слова: двухбарьерная структура, примесная фоточувствительность, туннельно-инжекционный, генерационно-инжекционный, показатель степени Індекс рубрикатора НБУВ: З854.22
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
13. |
Бутенко В. К. Методика определения эффективной площади фоточувствительного элемента фотодиода / В. К. Бутенко, И. В. Докторович, В. Н. Годованюк, В. В. Рюхтин, В. Г. Юрьев // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2007. - № 3. - С. 38-40. - Библиогр.: 6 назв. - рус.Рассмотрены проблемы, возникающие при определении эффективной площади фоточувствительного элемента (ФЧЭ) фотодиодов по стандартизованной методике. Приведена методика с улучшенными метрологическими характеристиками, основанная на сравнении площадей ФЧЭ специальной диафрагмы. Problems arising when determining effective area of the photodiodes' responsive elements according to a standardized procedure are investigated. A procedure of improved metrological characteristics based upon comparison of effective areas of responsive elements and a special diaphragm is presented. Ключ. слова: фоточувствительный элемент, эффективная площадь, метод сравнения Індекс рубрикатора НБУВ: З854.22
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
14. |
Лукин K. A. Моделирование импульсного фотоумножителя на основе PN-I-PN структуры с лавинными P-N переходами / K. A. Лукин, Х. A. Сердейра, П. П. Максимов // Радиофизика и электроника. - 2007. - 12, № 2. - С. 444-450. - Библиогр.: 17 назв. - рус.Змодельовано імпульсний фотопомножувач на основі лавинної pn-i-pn структури з внутрішнім (лавинно-каскадним) посиленням. Розраховано коефіцієнт посилення, швидкодія і шум лавинного множення. Показано, що фотопомножувачі на основі цих структур мають високий коефіцієнт посилення, низький поріг чутливості за струмом і надійніші в роботі в порівнянні з лавинними фотодіодами. Смоделировано усиление импульса в фотоумножителе на основе pn-i-pn структуры с внутренним (лавинно-каскадным) усилением. Рассчитаны коэффициент усиления, быстродействие и шум лавинного умножения. Показано, что рассматриваемые фотоумножители имеют высокий коэффициент усиления, низкий порог чувствительности по току и более надежны в работе по сравнению с лавинными фотодиодами. An impulsive photomultiplier is designed on the basis of avalanches pn-i-pn structures with the internal (avalanche-cascade) amplification. An amplification coefficient, fast-acting and noise of avalanche multiplication are expected. It is shown that photomultipliers on the basis of pn-i-pn structures have a high amplification coefficient, low threshold of sensitiveness on a current and more reliable in work as compared to avalanches photodiodes. Ключ. слова: фотоумножитель, pn-i-pn структура, ударная ионизация, лавинно-каскадное усиление Індекс рубрикатора НБУВ: З854.22-01
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж69398 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
15. |
Бутенко В. К. Новое поколение преобразователей "ток - напряжение" для измерения фотосигналов / В. К. Бутенко, В. Г. Юрьев, В. Н. Годованюк, И. В. Докторович, С. Г. Федотов // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2008. - № 1. - С. 6-8. - Библиогр.: 8 назв. - рус. Індекс рубрикатора НБУВ: З854.22
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
16. |
Ёдгорова Д. М. Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами / Д. М. Ёдгорова, А.В.Каримов // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2005. - № 5. - С. 27-30. - Библиогр.: 8 назв. - рус.На основе экспериментальных данных вольт-амперной характеристики по зависимости сопротивления от напряжения в двухбарьерных m-рGaAs-nGdS- и модернизированных m-рGaAs-рGaAs-nGdS-структурах проведен расчет перераспределения напряжения между прямо- и обратносмещаемыми переходами. Полученные данные могут быть использованы для оценки частотного диапазона, зависимости фоточувствительности от поля, выявления механизмов фоточувствительности двухбарьерных структур с металлополупроводниковыми переходами. On dependence of resistance on a voltage the account of redistribution of a voltage between directly and back by movable transitions is carried out on the basis of experimental data voltampere of the characteristic two-barrier m-рGaAs-nGdS- and modernized m-рGaAs-рGaAs-nGdS-structures. The received data could be used for a rating frequency of a range, dependence of photosensitivity on a field, to reveal mechanisms of photosensitivity of two-barrier structures with metal-semiconductor by transitions. Ключ. слова: двухбарьерная структура, перераспределение напряжения, слой объемного заряда, гетеропереход, металлополупроводниковый переход. Індекс рубрикатора НБУВ: З854.22
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
17. |
Рева В. П. Сравнительный анализ технологий изготовления кремниевых схем считывания информации с ИК-фотодиодов / В. П. Рева, С. В. Коринец, Л. А. Писаренко, С. Е. Духнин, Н. А. Барсукова // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2007. - № 5. - С. 46-49. - Библиогр.: 16 назв. - рус.Проведен сравнительный анализ преимуществ и недостатков технологий изготовления схем считывания с инфракрасных ИК-фотодиодов - технологии комплементарных МОП-схем и технологии приборов с зарядовой связью на базе n-канальных МОП-структур. Приведены параметры экспериментальных образцов интегральных схем считывания (ИCC) форматом 264, изготовленных по этим технологиям, демонстрирующие возможность изготовления ИСС, работающих при криогенных температурах. The problems of technology of semiconductor manufacturing of integrated readout circuits for infrared detectors are discussed. The comparative analysis of advantages and lacks of different technologies of manufacturing is given: technologies of CMOS devices and technologies of Charge-Coupled Devices (CCD). The parameters of readout circuits for infrared detectors, made on these technologies are resulted. Ключ. слова: схема считывания, транзистор прямой инжекции, ПЗС-технология, КМОП-технология. Індекс рубрикатора НБУВ: З854.22
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
18. |
Политанский Л. Ф. Интегральный оптоэлектронный коммутатор на ДМОП-транзисторах / Л. Ф. Политанский, В. В. Лесинский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2008. - № 6. - С. 23-27. - Библиогр.: 11 назв. - рус.Разработана математическая модель ВАХ оптоэлектронной пары "фотодиоды-ДМОП-транзистор", которая позволяет установить взаимосвязь ее электрических параметров с конструктивными и электрофизическими параметрами фотодиодов и ДМОП-транзисторов. Предложена конструкция интегрального оптоэлектронного коммутатора на ДМОП-транзисторах на структурах "кремний с диэлектрической изоляцией". При этом возможно оптическое управление исполнительными устройствами, включенными как в истоковую, так и в стоковую цепь ключевого транзистора. The characteristics of optoelectronic couples photodiodes-DMOS-transistor are studied in the paper. There was developed a mathematical model of volt-ampere characteristic of the given optoelectronic couple which allows to determine interrelation of its electric parameters with constructive and electrophysical parameters of photodiodes and DMOS-transistors. There was suggested a construction of integral optoelectronic switch, based on DMOS-transistors on the silicon with dielectric insulation structures (SDIS). Possible is the optic control of executive devices, connected both to the source and drain circuits of the switching transistor. Ключ. слова: фотодиод, ДМОП-транзистор, оптоэлектронная пара, оптоэлектронный коммутатор, пороговое , фототок. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3 + З854.22
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
19. |
Добровольский Ю. Г. Симметричный двухкоординатный фотодиод / Ю. Г. Добровольский, В. В. Рюхтин, И. И. Феденчук, В. Г. Юрьев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2008. - № 6. - С. 35-37. - Библиогр.: 4 назв. - рус.Разработан и исследован двухкоординатный фотодиод на продольном фотоэффекте, позволяющий получать с большой точностью симметричные по крутизне и продольному сопротивлению координатные характеристики. Показано, что наилучший вид координатной характеристики наблюдается в случае сканирования оптическим зондом по центральной части фоточувствительного элемента. Рассмотрены пути улучшения параметров фотодиода. The two-coordinate photodiode is developed and explored on the longitudinal photoeffect, which allows to get the coordinate descriptions symmetric on the steepness and longitudinal resistance great exactness. It was shown, that the best type of the coordinate description is observed in the case of scanning by the optical probe on the central part of the photosensitive element. The ways of improvement of steepness and linear of its coordinate description were analyzed. Ключ. слова: фотодиод, фотоэффект, кремний, продольное сопротивление, координаты, линейность, крутизна , световой поток. Індекс рубрикатора НБУВ: З854.22
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
20. |
Горбань А. П. Аналіз впливу радіаційного опромінення протонами на кремнієві сонячні елементи / А. П. Горбань, Н. А. Прима, А. В. Саченко, В. П. Костильов, О. А. Серба, В. В. Черненко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2003. - Вып. 38. - С. 78-86. - Бібліогр.: 4 назв. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: З854.225
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ
| | |
|
|