Досліджено хімічний стан і структуру поверхні макропор залежно від режимів електрохімічного процесу. Мікропористі шари на стінках макропор вміщують оксиди й органічні сполуки подібно до плоских мікропористих шарів. Зазначено, що структури макропористого кремнію, виготовлені за напруг 1-го піку вольтамперної характеристики, вміщують додаткові гібридні піки.

Індекс рубрикатора НБУВ: Л253.2

Рубрики:

Кремній

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Л253.2-1 + В375.3

Рубрики:

Кремній

Шифр НБУВ: Ж29109 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Л253.2-1с

Рубрики:

Кремній

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Проанализированы достоинства, недостатки и возможности использования в Украине новых технологий изготовления дешевого кремния для солнечной энергетики. Установлено, что в условиях Украины можно производить поликристаллический кремний (ПКК) для солнечных элементов (СЭ) методом карботермического восстановления кварцитов с последующей очисткой методами многозонной перекристаллизации или различными плазменными методами. Показана перспективность применения ПКК в тонкопленочных технологиях производства СЭ.

Проведено розрахунок зонної моделі нанокристалічного кремнію. Проаналізовано особливості накопичення електричного заряду кластерами алюмінію, вплив термообробки на магніторезистивні властивості швидкозагартованих стопів на основі системи Fe - Cu - Si - B. Описано методи синтезу, властивості магнітних наночастинок медико-біологічного призначення, парофазні методи одержання наноструктур. Визначено відмінності анізотропних оптико-механічних ефектів у фоточутливих полімерах та аморфних халькогенідних матеріалах, реакції у нанодротах за точкового контакту у системі метал - кремній, механізм генерації "гарячих точок" у фронтах детонаційних хвиль в конденсованих енергетичних матеріалах.

Проведен расчёт зонной модели нанокристаллического кремния. Проанализированы особенности накопления электрического заряда кластерами алюминия, влияние термообработки на магниторезистивные свойства быстрозакаленных стопов на основе системы Fe - Cu - Si - B. Описаны методы синтеза, свойства магнитных наночастиц медико-биологического назначения, парофазные методы получения наноструктур. Определены отличия анизотропных оптико-механических эффектов в фоточувствительных полимерах и аморфных халькогенидных материалах, реакции в нанопроволоках при точечном контакте в системе металл - кремний, механизм генерации "гарячих точек" в фронтах детонационных волн в конденсированных энергетических материалах.

Освещены свойства кремния, физико-химические взаимодействия в системе кремний - кислород, полиморфизм кремнезема и характеристики кварца и кварцитов. Изложены физико-химические свойства SiC и технология получения карбида кремния. Рассмотрены вопросы термодинамического моделирования равновесия фаз в системах Si - O - C и Si - O - C - H. Изучены свойства углеродистых восстановителей для производства кремния. Проанализированы особенности электротермических рудовосстановительных комплексов для выплавки кремния, свойства печных шлаков и колошниковой кремнеземистой пыли выплавки кремния. Приведены аппаратурно-технологические схемы производства кристаллического кремния, определены материальный и энергетический балансы выплавки кремния. Рассмотрены технологические схемы и процессы получения хлорсиланов, поли- и мультикристаллического кремния для электроники и фотоэлектрических преобразователей, а также процессы очистки кварцевого сырья и электротермического кремния.

Індекс рубрикатора НБУВ: Л253.2 + Г562.139

Рубрики:

Кремній

Шифр НБУВ: Ж69121 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рассмотрено влияние условий выращивания кремниевых основ на образование на их поверхности эпитаксиального слоя. Исключение образования на поверхности кремниевых основ эпитаксиальной пленки предложено путем проведения процесса плавки в газовой среде при давлении выше атмосферного.

Індекс рубрикатора НБУВ: Л253.2 + З849-047

Рубрики:

Кремній

Радіоприймальні пристрої (радіоприймачі)

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

В Институте газа НАН Украины создана установка для нанесения пироуглерода на частицы кварцевого песка. Процесс осуществляется в аппарате с электротермическим псевдоожиженным слоем с помощью метода пиролиза метана. Капсулированный пироуглеродом кварцевый песок планируется использовать для получения высокочистого кремния методом карботермического восстановления. Применение псевдоожиженного слоя в процессах осаждения пироуглерода позволяет обеспечить более высокую скорость наращивания покрытий и их однородность. Толщина полученного слоя чистого пироуглерода может изменяться за счет регулирования температуры, гидродинамики и продолжительности процесса. Дополнительным преимуществом предложенного процесса является побочное получение метано-водородных смесей и даже чистого водорода, выход которого увеличивается с повышением температуры. Представлены схема реактора и принципиальная технологическая схема полупромышленной установки. Приведены результаты термодинамических расчетов процесса пиролиза метана, хроматографический анализ газа до и после прохождения реактора.

Однією з значних переваг псевдозріджених систем є висока інтенсивність переносу тепла від шару до поверхні теплообміну (або в зворотному напрямі), що надає можливість застосовувати апарати з псевдозрідженим шаром у процесах, де необхідна висока інтенсивність теплообміну між реагентами. Створена в Інституті газу НАН України установка для одержання капсульованого піровуглецем кварцового піску використовує реактор з електротермічним псевдозрідженим шаром. Капсульований піровуглецем кварцовий пісок використовують для дослідження технології карботермічного відновлення з метою одержання високочистого кремнію. Визначення теплових характеристик реактора дозволяє оцінити теплообмін та ефективність роботи реактора.

Зазначено, що високочистий кремній є найголовнішою складовою сонячної енергетики, висока вартість якого призводить до низької економічної ефективності виробництва електроенергії цією галуззю. Тому пошук альтернативних способів одержання цього елемента сьогодні є актуальною проблемою. Інститут газу НАН України розробив реактор для проведення процесу капсулювання кварцового піску піровуглецем шляхом піролізу суміші вуглеводневих газів на основі пропану. Одержаний у цьому реакторі капсульований піровуглецем кварцовий пісок використовуватиметься для дослідження карботермічного відновлення з метою одержання високочистого кремнію. Наведено теоретичні основи процесу піролізу газоподібних вуглеводнів, аналіз існуючих реакторів, схему та принцип роботи розробленого реактора, розрахунок витрат газів, які використовуватимуться під час проведення дослідів.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.251.4,021 + Л253.2 + З843.312

Рубрики:

Кристалізація

Кремній

Кремній та його сполуки

Шифр НБУВ: ВА775740 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Выполнен анализ параметров управления процессом водородного восстановления трихлорсилана в "Siemens-реакторе". Предложен новый способ определения управляемого параметра, что устраняет увеличение абсолютной ошибки его измерения по мере ведения процесса.

За допомогою моделей феноменологічної термодинаміки з параметрами взаємодії, що визначено на основі експериментальних даних із фазових рівноваг за високих тисків і температур, розраховано ізобаричні перерізи діаграми стану системи кремній - вуглець за тисків до 8 ГПа.

Релаксацію розподілу надлишкових неосновних носіїв заряду в структурі макропористого кремнію (МПК) розраховано за допомогою методу кінцевих різниць. Початковий розподіл надлишкових неосновних носіїв заряду має 2 максимуми, після генерації носіїв заряду електромагнітної хвилею 0,95 мкм із малою глибиною поглинання. Перший максимум функції початкового розподілу знаходиться в макропористому шарі (МПШ), другий - в монокристалічній підкладці (МКП). Поверхнева рекомбінація призводить до дифузії надлишкових носіїв заряду до центрів рекомбінації і створює неоднорідність їх розподілу. Виявлено швидке зменшення максимуму функції розподілу надлишкового носіїв заряду в МПШ і поблизу межі між МПШ і МКП. Виявлено повільне зниження функції розподілу в МКП. Швидкість зміни концентрації надлишкових неосновних носіїв заряду з часом зменшується в шарі МПК через високу рекомбінацію і збільшується за рахунок дифузії носіїв заряду до поверхні кремнієвої підкладки. Після генерації фотоносіїв електромагнітною хвилею 0,95 мкм із малою глибиною поглинання, швидкість зміни концентрації надлишкових неосновних носіїв заряду з часом зменшується в шарі МПК через високу рекомбінацію і збільшується за рахунок їх дифузії до поверхні кремнієвої підкладки. Після однорідної генерації носіїв заряду електромагнітною хвилею 1,05 мкм з великою глибиною поглинання формується один максимум розподілу надлишкових неосновних носіїв заряду. Водночас швидкість зміни концентрації надлишкових неосновних носіїв заряду з часом зменшується у всій структурі.

Індекс рубрикатора НБУВ: Л253.2 + В374

Рубрики:

Кремній

Оптичні властивості твердих тіл. Оптичні властивості кристалів (кристалооптика)

Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Представлено дифузійну модель релаксації фотопровідності та простий вираз, який визначає час релаксації фотопровідності у макропористому кремнії. Модель релаксації фотопровідності у макропористому кремнії враховує неоднорідність генерації нерівноважних носіїв заряду в зразку, проникнення світла в макропори та освітлення монокристалічної підкладки крізь дно макропор. Релаксація фотопровідності у макропористому кремнії визначається рекомбінацією нерівноважних носіїв заряду на поверхні макропор та обмежується дифузією носіїв заряду з підкладки до рекомбінаційних поверхонь. Час релаксації фотопровідності у макропористому кремнії з підкладкою та без неї знайдено з нестаціонарного рівняння дифузії неосновних носіїв заряду. Розв'язок нестаціонарного рівняння дифузії, записаного для макропористого шару та монокристалічної підкладки, доповнюються граничними умовами на поверхнях зразка макропористого кремнію та на межі між макропористим шаром та монокристалічною підкладкою. Час релаксації фотопровідності у макропористому кремнії залежить від таких величин, як об'ємний час життя неосновних носіїв заряду, коефіцієнт дифузії носіїв заряду, товщина підкладки, середній діаметр макропор, середня відстань між центрами макропор, швидкість поверхневої рекомбінації, об'ємна частка макропор. Час релаксації фотопровідності у макропористому кремнії розраховано та наведено на рисунку у залежності від глибини макропор. Показано, що релаксації фотопровідності у макропористому кремнії з наскрізними порами аналогічна релаксації фотопровідності у монокристалічному кремнії. Але в цьому випадку час релаксації фотопровідності у макропористому кремнії відповідає меншому часу релаксації фотопровідності у монокристалічному кремнії так, як відбувається додаткова рекомбінація нерівноважних носіїв заряду на поверхні макропор.

Індекс рубрикатора НБУВ: Л253.2-106 + В379.42

Рубрики:

Кремній

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ