![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Віртуальна довідка ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Тематичний інтернет-навігатор ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Наукова електронна бібліотека ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання
![Mozilla Firefox](../../ico/mf.png) |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Формат представлення знайдених документів: | повний | стислий |
Пошуковий запит: (<.>U=Л253.2$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 27
Представлено документи з 1 до 20
|
| |
| | | | |
1. |
Карачевцева Л. А. Исследование локальных химических состояний в структурах макропористого кремния / Л. А. Карачевцева, О. А. Литвиненко, Е. И. Стронская // Теорет. и эксперим. химия. - 2003. - 39, № 2. - С. 77-81. - Библиогр.: 9 назв. - рус.Досліджено хімічний стан і структуру поверхні макропор залежно від режимів електрохімічного процесу. Мікропористі шари на стінках макропор вміщують оксиди й органічні сполуки подібно до плоских мікропористих шарів. Зазначено, що структури макропористого кремнію, виготовлені за напруг 1-го піку вольтамперної характеристики, вміщують додаткові гібридні піки. Ключ. слова: макропористый кремний, электрохимическое травление, локальные химические состояния Індекс рубрикатора НБУВ: Л253.2 + 345.5
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж29112 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
2. |
Novykov M. M. On the possible intensification of disintegration of a solid solution of oxygen under ultrasonic treatment of specimens of silicon = Про можливу інтенсифікацію розпаду твердого розчину кисню при ультразвуковій обробці зразків кремнію / M. M. Novykov, B. D. Patsai // Укр. фіз. журн. - 2005. - 50, № 5. - С. 497-500. - Библиогр.: 11 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: Л253.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
3. |
Мазур А. В. Влияние температуры на коэффициент термического расширения монокристалла кремния / А. В. Мазур, Л. П. Степанова // Фіз.-хім. механіка матеріалів. - 2005. - 41, № 4. - С. 86-92. - Библиогр.: 19 назв. - рус. Індекс рубрикатора НБУВ: Л253.2-1 + В375.3
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж29109 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
4. |
Литовченко В. Г. Вплив дефектів на структуру кисневих преципітатів в кристалах кремнію / В. Г. Литовченко, І. П. Лісовський, В. П. Кладько, С. О. Злобін, М. В. Муравська, А. А. Єфремов, М. В. Слободян // Укр. фіз. журн. - 2007. - 52, № 10. - С. 959-967. - Бібліогр.: 19 назв. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: Л253.2-1с
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
5. |
Швец Е. Я. Технологии поликристаллического кремния для солнечных элементов / Е. Я. Швец // Металлург. и горноруд. пром-сть. - 2007. - № 1. - С. 28-32. - Библиогр.: 7 назв. - рус.Проанализированы достоинства, недостатки и возможности использования в Украине новых технологий изготовления дешевого кремния для солнечной энергетики. Установлено, что в условиях Украины можно производить поликристаллический кремний (ПКК) для солнечных элементов (СЭ) методом карботермического восстановления кварцитов с последующей очисткой методами многозонной перекристаллизации или различными плазменными методами. Показана перспективность применения ПКК в тонкопленочных технологиях производства СЭ. Індекс рубрикатора НБУВ: Л253.2 + З264.54
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж28347 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
6. |
Сучасне матеріалознавство: матеріали та технології : матеріали Всеукр. конф. молодих вчен., 12 - 14 листоп. 2008 р., Київ / ред.: А. П. Шпак; Ін-т металофізики ім. Г.В.Курдюмова НАН України. - К., 2009. - 306 с. - (Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: зб. наук. пр.; Т. 7, вип. 4). - укp. - рус.Проведено розрахунок зонної моделі нанокристалічного кремнію. Проаналізовано особливості накопичення електричного заряду кластерами алюмінію, вплив термообробки на магніторезистивні властивості швидкозагартованих стопів на основі системи Fe - Cu - Si - B. Описано методи синтезу, властивості магнітних наночастинок медико-біологічного призначення, парофазні методи одержання наноструктур. Визначено відмінності анізотропних оптико-механічних ефектів у фоточутливих полімерах та аморфних халькогенідних матеріалах, реакції у нанодротах за точкового контакту у системі метал - кремній, механізм генерації "гарячих точок" у фронтах детонаційних хвиль в конденсованих енергетичних матеріалах. Проведен расчёт зонной модели нанокристаллического кремния. Проанализированы особенности накопления электрического заряда кластерами алюминия, влияние термообработки на магниторезистивные свойства быстрозакаленных стопов на основе системы Fe - Cu - Si - B. Описаны методы синтеза, свойства магнитных наночастиц медико-биологического назначения, парофазные методы получения наноструктур. Определены отличия анизотропных оптико-механических эффектов в фоточувствительных полимерах и аморфных халькогенидных материалах, реакции в нанопроволоках при точечном контакте в системе металл - кремний, механизм генерации "гарячих точек" в фронтах детонационных волн в конденсированных энергетических материалах. Індекс рубрикатора НБУВ: Ж620 + Л253.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
7. |
Гасик М. И. Электротермия кремния (физиохимия, технология) / М. И. Гасик, М. М. Гасик. - Д. : Нац. металлург. акад. Украины, 2011. - 485 c. - Библиогр.: 509 назв. - рус.Освещены свойства кремния, физико-химические взаимодействия в системе кремний - кислород, полиморфизм кремнезема и характеристики кварца и кварцитов. Изложены физико-химические свойства SiC и технология получения карбида кремния. Рассмотрены вопросы термодинамического моделирования равновесия фаз в системах Si - O - C и Si - O - C - H. Изучены свойства углеродистых восстановителей для производства кремния. Проанализированы особенности электротермических рудовосстановительных комплексов для выплавки кремния, свойства печных шлаков и колошниковой кремнеземистой пыли выплавки кремния. Приведены аппаратурно-технологические схемы производства кристаллического кремния, определены материальный и энергетический балансы выплавки кремния. Рассмотрены технологические схемы и процессы получения хлорсиланов, поли- и мультикристаллического кремния для электроники и фотоэлектрических преобразователей, а также процессы очистки кварцевого сырья и электротермического кремния. Індекс рубрикатора НБУВ: К345.5 + Л253.2 + Л463.3
Рубрики:
Шифр НБУВ: ВС51021 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
8. |
Мельников Б. И. Определение области устойчивого образования золя диоксида кремния при серно-кислотном осаждении / Б. И. Мельников, М. О. Савченко, Р. В. Смотраев // Пр. Одес. політехн. ун-ту. - 2006. - Вип. 1. - С. 237-240. - Библиогр.: 6 назв. - рус. Індекс рубрикатора НБУВ: Л253.2 + Г562.139
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж69121 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
9. |
Реков Ю. В. Оптимизация процесса выращивания кремниевых основ для производства поликристаллического кремния / Ю. В. Реков, И. Ф. Червоный, С. Г. Егоров, О. А. Кисарин, Р. Н. Воляр // Вост.-Европ. журн. передовых технологий. - 2011. - № 3/5. - С. 15-20. - Библиогр.: 13 назв. - рус.Рассмотрено влияние условий выращивания кремниевых основ на образование на их поверхности эпитаксиального слоя. Исключение образования на поверхности кремниевых основ эпитаксиальной пленки предложено путем проведения процесса плавки в газовой среде при давлении выше атмосферного. Індекс рубрикатора НБУВ: Л253.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж24320 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
10. |
Trubitsyn Yu. V. Specificity of high-pure monocrystalline silicon production for various registering and converting devices / Yu. V. Trubitsyn, S. V. Zverev // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 2. - С. 195-199. - Бібліогр.: 6 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: Л253.2 + З849-047
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
11. |
Богомолов В. А. Капсулирование кварцевого песка пироуглеродом в электротермическом псевдоожиженном слое / В. А. Богомолов, А. П. Кожан, Б. И. Бондаренко, А. И. Ховавко, К. В. Семейко // Энерготехнологии и ресурсосбережение. - 2013. - № 5. - С. 33-37. - Библиогр.: 6 назв. - рус.В Институте газа НАН Украины создана установка для нанесения пироуглерода на частицы кварцевого песка. Процесс осуществляется в аппарате с электротермическим псевдоожиженным слоем с помощью метода пиролиза метана. Капсулированный пироуглеродом кварцевый песок планируется использовать для получения высокочистого кремния методом карботермического восстановления. Применение псевдоожиженного слоя в процессах осаждения пироуглерода позволяет обеспечить более высокую скорость наращивания покрытий и их однородность. Толщина полученного слоя чистого пироуглерода может изменяться за счет регулирования температуры, гидродинамики и продолжительности процесса. Дополнительным преимуществом предложенного процесса является побочное получение метано-водородных смесей и даже чистого водорода, выход которого увеличивается с повышением температуры. Представлены схема реактора и принципиальная технологическая схема полупромышленной установки. Приведены результаты термодинамических расчетов процесса пиролиза метана, хроматографический анализ газа до и после прохождения реактора. Індекс рубрикатора НБУВ: Л253.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж28350 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
12. |
Сімейко К. В. Теплові характеристики реактора для одержання капсульованого піровуглецем кварцового піску при проходженні процесу піролізу метану / К. В. Сімейко // Вісн. Сум. держ. ун-ту. Сер. Техн. науки. - 2013. - № 4. - С. 119-123. - Бібліогр.: 5 назв. - укp.Однією з значних переваг псевдозріджених систем є висока інтенсивність переносу тепла від шару до поверхні теплообміну (або в зворотному напрямі), що надає можливість застосовувати апарати з псевдозрідженим шаром у процесах, де необхідна висока інтенсивність теплообміну між реагентами. Створена в Інституті газу НАН України установка для одержання капсульованого піровуглецем кварцового піску використовує реактор з електротермічним псевдозрідженим шаром. Капсульований піровуглецем кварцовий пісок використовують для дослідження технології карботермічного відновлення з метою одержання високочистого кремнію. Визначення теплових характеристик реактора дозволяє оцінити теплообмін та ефективність роботи реактора. Індекс рубрикатора НБУВ: Л253.2-5
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж69231 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
13. |
Сімейко К. В. Теплотехнічні та аеродинамічні характеристики реактора для піролізу вуглеводневих газів / К. В. Сімейко // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка". - 2014. - № 792. - С. 3-8. - Бібліогр.: 15 назв. - укp.Зазначено, що високочистий кремній є найголовнішою складовою сонячної енергетики, висока вартість якого призводить до низької економічної ефективності виробництва електроенергії цією галуззю. Тому пошук альтернативних способів одержання цього елемента сьогодні є актуальною проблемою. Інститут газу НАН України розробив реактор для проведення процесу капсулювання кварцового піску піровуглецем шляхом піролізу суміші вуглеводневих газів на основі пропану. Одержаний у цьому реакторі капсульований піровуглецем кварцовий пісок використовуватиметься для дослідження карботермічного відновлення з метою одержання високочистого кремнію. Наведено теоретичні основи процесу піролізу газоподібних вуглеводнів, аналіз існуючих реакторів, схему та принцип роботи розробленого реактора, розрахунок витрат газів, які використовуватимуться під час проведення дослідів. Індекс рубрикатора НБУВ: Л253.2-5
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
14. |
Критская Т. В. Современные тенденции получения кремния для устройств электроники : монография / Т. В. Критская; Запорож. гос. инженер. акад. - Запорожье : ЗГИА, 2013. - 353 c. - Библиогр.: с. 307-347 - рус. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.251.4,021 + Л253.2 + З843.312
Рубрики:
Шифр НБУВ: ВА775740 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
15. |
Шварцман Л. Я. Оценка способов измерения скорости осаждения кремния, как условия обеспечения адекватности модели для управления Siemens-Реактором / Л. Я. Шварцман, Э. А. Троценко, Е. В. Баженов, П. Е. Баженов // Систем. технології. - 2015. - № 4. - С. 109-120. - Библиогр.: 6 назв. - рус.Выполнен анализ параметров управления процессом водородного восстановления трихлорсилана в "Siemens-реакторе". Предложен новый способ определения управляемого параметра, что устраняет увеличение абсолютной ошибки его измерения по мере ведения процесса. Індекс рубрикатора НБУВ: Л253.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж69472 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
16. |
Туркевич В. З. Термодинамічний розрахунок діаграми стану системи Si - C при тисках до 8 ГПа / В. З. Туркевич, Д. А. Стратійчук, Д. В. Туркевич // Сверхтвердые материалы. - 2016. - № 2. - С. 95-98. - Бібліогр.: 8 назв. - укp.За допомогою моделей феноменологічної термодинаміки з параметрами взаємодії, що визначено на основі експериментальних даних із фазових рівноваг за високих тисків і температур, розраховано ізобаричні перерізи діаграми стану системи кремній - вуглець за тисків до 8 ГПа. Індекс рубрикатора НБУВ: Л253.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14159 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
17. |
Karachevtseva L. A. Relaxation of excess minority carrier distribution in macroporous silicon = Релаксація розподілу надлишкових неосновних носіїв заряду в макропористому кремнію / L. A. Karachevtseva, V. F. Onyshchenko // Хімія, фізика та технологія поверхні. - 2018. - 9, № 2. - С. 158-166. - Бібліогр.: 18 назв. - англ.Релаксацію розподілу надлишкових неосновних носіїв заряду в структурі макропористого кремнію (МПК) розраховано за допомогою методу кінцевих різниць. Початковий розподіл надлишкових неосновних носіїв заряду має 2 максимуми, після генерації носіїв заряду електромагнітної хвилею 0,95 мкм із малою глибиною поглинання. Перший максимум функції початкового розподілу знаходиться в макропористому шарі (МПШ), другий - в монокристалічній підкладці (МКП). Поверхнева рекомбінація призводить до дифузії надлишкових носіїв заряду до центрів рекомбінації і створює неоднорідність їх розподілу. Виявлено швидке зменшення максимуму функції розподілу надлишкового носіїв заряду в МПШ і поблизу межі між МПШ і МКП. Виявлено повільне зниження функції розподілу в МКП. Швидкість зміни концентрації надлишкових неосновних носіїв заряду з часом зменшується в шарі МПК через високу рекомбінацію і збільшується за рахунок дифузії носіїв заряду до поверхні кремнієвої підкладки. Після генерації фотоносіїв електромагнітною хвилею 0,95 мкм із малою глибиною поглинання, швидкість зміни концентрації надлишкових неосновних носіїв заряду з часом зменшується в шарі МПК через високу рекомбінацію і збільшується за рахунок їх дифузії до поверхні кремнієвої підкладки. Після однорідної генерації носіїв заряду електромагнітною хвилею 1,05 мкм з великою глибиною поглинання формується один максимум розподілу надлишкових неосновних носіїв заряду. Водночас швидкість зміни концентрації надлишкових неосновних носіїв заряду з часом зменшується у всій структурі. Індекс рубрикатора НБУВ: Л253.2 + В379.371.6
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж100480 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
18. |
Оленич І. Б. Фотолюмінесцентні й електретні властивості гібридних структур поруватий кремній/[N(CHsub3/sub)sub4/sub]sub2/subМеClsub4/sub (Ме = Zn, Cu) / І. Б. Оленич, С. А. Свелеба, І. М. Куньо, Ю. І. Оленич, А. П. Лучечко // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології : зб. наук. пр. - 2018. - 16, вип. 4. - С. 701-711. - Бібліогр.: 24 назв. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: Л253.2 + В374
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
19. |
Онищенко В. Ф. Релаксація фотопровідності у макропористому кремнії / В. Ф. Онищенко, М. І. Карась // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : сб. науч. тр. - 2018. - Вып. 53. - С. 248-253. - Бібліогр.: 16 назв. - укp.Представлено дифузійну модель релаксації фотопровідності та простий вираз, який визначає час релаксації фотопровідності у макропористому кремнії. Модель релаксації фотопровідності у макропористому кремнії враховує неоднорідність генерації нерівноважних носіїв заряду в зразку, проникнення світла в макропори та освітлення монокристалічної підкладки крізь дно макропор. Релаксація фотопровідності у макропористому кремнії визначається рекомбінацією нерівноважних носіїв заряду на поверхні макропор та обмежується дифузією носіїв заряду з підкладки до рекомбінаційних поверхонь. Час релаксації фотопровідності у макропористому кремнії з підкладкою та без неї знайдено з нестаціонарного рівняння дифузії неосновних носіїв заряду. Розв'язок нестаціонарного рівняння дифузії, записаного для макропористого шару та монокристалічної підкладки, доповнюються граничними умовами на поверхнях зразка макропористого кремнію та на межі між макропористим шаром та монокристалічною підкладкою. Час релаксації фотопровідності у макропористому кремнії залежить від таких величин, як об'ємний час життя неосновних носіїв заряду, коефіцієнт дифузії носіїв заряду, товщина підкладки, середній діаметр макропор, середня відстань між центрами макропор, швидкість поверхневої рекомбінації, об'ємна частка макропор. Час релаксації фотопровідності у макропористому кремнії розраховано та наведено на рисунку у залежності від глибини макропор. Показано, що релаксації фотопровідності у макропористому кремнії з наскрізними порами аналогічна релаксації фотопровідності у монокристалічному кремнії. Але в цьому випадку час релаксації фотопровідності у макропористому кремнії відповідає меншому часу релаксації фотопровідності у монокристалічному кремнії так, як відбувається додаткова рекомбінація нерівноважних носіїв заряду на поверхні макропор. Індекс рубрикатора НБУВ: Л253.2 + В379.42
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
20. |
Карась Н. И. Монополярная фотопроводимость инверсионного слоя и "медленные" поверхностные уровни в структурах макропористого и монокристаллического кремния в условиях сильного поверхностного поглощения света / Н. И. Карась, В. Ф. Онищенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : сб. науч. тр. - 2018. - Вып. 53. - С. 268-272. - Библиогр.: 12 назв. - рус. Індекс рубрикатора НБУВ: Л253.2-106 + В379.42
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ
| | |
|
|