Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
Пошуковий запит: (<.>A=Evtukh A$<.>) | ||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 21 Представлено документи з 1 до 20 |
||||
| ||||
| 1. | Evtukh A. A. Fowler - Nordheim tunneling in structures with ultrathin dielectrics = Тунелювання Фаулера - Нордгейма в структурах з надтонкими діелектриками / A. A. Evtukh, V. G. Litovchenko, A. Yu. Kizyak, D. V. Fedin // Укр. фіз. журн. - 2001. - 46, № 9. - С. 985-990. - Библиогр.: 9 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 2. | Evtukh A. A. Investigation of electron and hole tunneling through thin silicon dioxide films = Дослідження тунелювання електронів і дірок крізь тонкі плівки двохокису кремнію / A. A. Evtukh // Укр. фіз. журн. - 2001. - 46, № 10. - С. 1087-1093. - Библиогр.: 14 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 3. | Evtukh A. A. Investigation of electron field emission from polycrystalline silicon films = Дослідження електронної польової емісії з плівок полікристалічного кремнію / A. A. Evtukh // Укр. фіз. журн. - 2000. - 45, № 7. - С. 834-840. - Библиогр.: 15 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 4. | Evtukh A. A. Parameters of ultrathin dielectric films under high electric fields = Параметри надтонких діелектричних плівок у сильних електричних полях / A. A. Evtukh // Укр. фіз. журн. - 1999. - 44, № 5. - С. 606-611. - Библиогр.: 11 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 5. | Evtukh A. A. Study of the structure of ultrathin silicon dioxide films = Дослідження структури надтонких плівок двоокису кремнію / A. A. Evtukh, I. P. Lisovskii, V. G. Litovchenko, A. Yu. Kizjak, Yu. M. Pedchenko, L. I. Samotovka // Укр. фіз. журн. - 2006. - 51, № 3. - С. 296-304. - Библиогр.: 62 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 6. | Evtukh A. A. Electron field emmision from laser produced silicon tip array / A. A. Evtukh, E. B. Kaganovich, V. G. Litovchenko, Yu. M. Litvin, D. V. Fedin, E. G. Manoilov, S. V. Svechnikov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 4. - С. 474-478. - Бібліогр.: 16 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 7. | Litovchenko V. G. Increase of planar homogeneity of multi-silicon structures by gettering treatments / V. G. Litovchenko, A. A. Efremov, A. A. Evtukh, Y. V. Rassamakin, M. I. Klyui, V. P. Kostylov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2001. - 4, № 2. - С. 82-84. - Бібліогр.: 1 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 8. | Evtukh A. A. Electron field emission from $E bold {{roman SiO} sub x} films / A. A. Evtukh, I. Z. Indutnyy, I. P. Lisovskyy, Yu. M. Litvin, V. G. Litovchenko, P. M. Lytvyn, D. O. Mazunov, Yu. V. Rassamakin, P. E. Shepeliavyi // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - 6, № 1. - С. 32-36. - Бібліогр.: 16 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 9. | Evtukh A. A. Investigations of impurity gettering in multicrystalline silicon / A. A. Evtukh, V. G. Litovchenko, A. S. Oberemok, V. G. Popov, Yu. V. Rassamakin, B. N. Romanyuk, S. G. Volkov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2001. - 4, № 4. - С. 278-282. - Бібліогр.: 13 назв. - англ. Методами мас-спектрометрії нейтральних атомів з пошаровим аналізом і спектроскопії поверхневої фотоерс (який дозволяє визначити дифузійну довжину нерівноважних носіїв заряду) досліджено процеси гетерування рекомбінаційно-активних домішок у мультикристалічному кремнії. Досліджено гетери, утворені шаром кремнію з розвинутою поверхнею, а також комбіновані гетери (згаданий шар покривався тонкою плівкою алюмінію). Показано, що ефективність гетерування залежить від температури відпалу та характеру товщинного розподілу алюмінію, який, у свою чергу, залежить від режимів одержання структурно-розвинутого шару кремнію. Обговорено моделі гетерування, які дозволяють пояснити одержані результати. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222в734.5 Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 10. | Begun E. V. Charge characteristics of the MOS structures with oxide films containing Si nanocrystals / E. V. Begun, O. L. Bratus', A. A. Evtukh, E. B. Kaganovich, E. G. Manoilov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2007. - 10, № 2. - С. 46-50. - Бібліогр.: 10 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 11. | Bratus' O. Charge storage characteristics of gold nanoparticles embedded in alumina matrix / O. Bratus', A. Evtukh, E. Kaganovich, A. Kizjak, I. Kizjak, E. Manoilov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2009. - 12, № 1. - С. 53-56. - Бібліогр.: 7 назв. - англ. The processes of charge accumulation in the nonvolatile memory metal-oxide-silicon capacitors with gold nanoparticles floating gate formed by the pulsed laser deposition method are investigated. The regularities of formation of alumina films with gold nanoparticles are the result of their deposition from the back flow of low-energy particles from the erosion torch. With removing from the torch axis, sizes of gold particles and the film thickness decreased. When recording the capacitance-voltage curves, the capture of a negative charge was observed. It was shown that the concentration of gold nanoparticles in alumina matrix and the thickness of nanocomposite films remarkably influenced on the stored charge. The observed flat band voltage shift was in the range 1 to 14 V. To explain the peculiarities of charge storage in the composite films, the electron transport through them was investigated. Індекс рубрикатора НБУВ: В371.236 Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 12. | Solntsev V. S. Influence of HVB2DS and HVB2D adsorption on characteristics of MIS structures with Si porous layers / V. S. Solntsev, V. G. Litovchenko, T. I. Gorbanyuk, A. A. Evtukh // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2008. - 11, № 4. - С. 381-384. - Бібліогр.: 24 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 13. | Bratus' O. L. Structural properties of nanocomposite SiOVB2D(Si) films obtained by ion-plasma sputtering and thermal annealing / O. L. Bratus', A. A. Evtukh, O. S. Lytvyn, M. V. Voitovych, V. O. Yukhymchuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2011. - 14, № 2. - С. 247-255. - Бібліогр.: 24 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 14. | Evtukh A. A. Emission properties of the silicon nanocomposite structures / A. A. Evtukh, E. B. Kaganovich, V. G. Litovchenko, Yu. M. Litvin, E. G. Manoilov // Functional Materials. - 1999. - 6, № 3. - С. 448-452. - Бібліогр.: 20 назв. - англ. Використано новий метод формування кремнієвих вістрів з нанокомпозитною структурою, який базується на лазерній модифікації кремнію. Вивчалась електронна польова емісія у вакуумі з отриманих лазерним опроміненням нанокомпозитних структур на основі кремнію в залежності від умов їх формування. Значення емісійних параметрів електронів у поєднанні з нелітографічним способом виготовлення роблять кремнієві нанокомпозитні вістря прийнятии для практичного значення. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 15. | Gavrylyuk O. O. Study of the distribution of temperature profiles in nonstoichiometric SiOVBxD films at laser annealing / O. O. Gavrylyuk, O. Yu. Semchuk, O. V. Steblova, A. A. Evtukh, L. L. Fedorenko // Укр. фіз. журн.. - 2014. - 59, № 7. - С. 712-718. - Бібліогр.: 18 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 16. | Steblova O. V. Transformation of SiOVBxD films into nanocomposite SiOVB2D(Si) films under thermal and laser annealing / O. V. Steblova, A. A. Evtukh, O. L. Bratus', L. L. Fedorenko, M. V. Voitovych, O. S. Lytvyn, O. O. Gavrylyuk, O. Yu. Semchuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2014. - 17, № 3. - С. 295-300. - Бібліогр.: 24 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 17. | Parphenyuk P. V. Lowering the density of dislocations in heteroepitaxial III-nitride layers: Effect of sapphire substrate treatment (review) / P. V. Parphenyuk, A. A. Evtukh // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2016. - 19, № 1. - С. 1-8. - Бібліогр.: 78 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 18. | Bratus O. L. Electron transport through nanocomposite SiOsub2/sub(Si) films containing Si nanocrystals / O. L. Bratus, A. A. Evtukh, O. V. Steblova, V. M. Prokopchuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2016. - 19, № 1. - С. 9-13. - Бібліогр.: 11 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 19. | Steblova O. V. Nanostructuring the SiOsubx/sub layers by using laser-induced self-organization / O. V. Steblova, L. L. Fedorenko, A. A. Evtukh // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2017. - 20, № 2. - С. 179-184. - Бібліогр.: 27 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 20. | Evtukh A. Conductive nanorods in DLC films caused by carbon transformation = Провідні наностержні в АПВ плівках, зумовлені трансформацією вуглецю / A. Evtukh, V. Litovchenko, M. Strikha, A. Kurchak, O. Yilmazoglu, H. Hartnagel // Укр. фіз. журн.. - 2017. - 62, № 6. - С. 523-529. - Бібліогр.: 18 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| ||||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського