Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
Пошуковий запит: (<.>A=Galiy P$<.>) | ||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 14 Представлено документи з 1 до 14 |
||||
| 1. | Galiy P. Auger electron spectroscopy analysis of adsorbed gas condensated on the clevage crystal surfaces of indium and gallium chalcogenides = Оже-електронна спектроскопія адсорбованих газових конденсатів на поверхнях сколювання кристалів халькогенідів індію та галію / P. Galiy // Фіз. зб. - Л., 1998. - Т. 3. - С. 104-112. - Библиогр.: 13 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж68777 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 2. | Galiy P. V. Role of the thermoactivated and tunnel electron relaxations of radiation defects in initiation of isothermal exoemission current = Роль термоактивованих та тунельних електронних релаксацій радіаційних дефектів у виникненні струму ізотермічної екзоемісії / P. V. Galiy, M. I. Losyk, O. Ya. Mel'nyk // Укр. фіз. журн. - 2005. - 50, № 5. - С. 469-476. - Библиогр.: 17 назв. - англ. Наведено результати дослідження ізотермічної екзоелектронної емісії (ЕЕЕ), зумовленої термоактивованими та тунельними електронними релаксаціями комплементарних пар радіаційних дефектів, утворюваних іонізуючим радіаційним опроміненням, і яка відбувається в процесі опромінення лужно-галоїдних кристалів, а також відразу після його припинення, супроводжуючи релаксацію збудженої поверхні. Розраховано величини температурно-залежної та температурно-незалежної компонент струму ізотермічної ЕЕЕ та характеристичні часи їх загасання. Порівняно внески термоактивованих і тунельних рекомбінацій у результуючий струм ізотермічної ЕЕЕ та встановлено, що для часів загасання, сумірних з характеристичними, температурно-залежна компонента струму, зумовлена термоактивованими релаксаціями комплементарних пар радіаційних дефектів, є переважаючою. Індекс рубрикатора НБУВ: В377.13 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 3. | Galiy P. V. Quantitative spectroscopy of the electron-induced processes on the surface of wide-band-gap insulating materials = Кількісна спектроскопія електронно-стимульованих процесів на поверхні широкозонних діелектричних матеріалів / P. V. Galiy, O. P. Poplavskyi, S. I. Vashkevych, S. Yu. Kryvenko // Укр. фіз. журн. - 2006. - 51, № 6. - С. 580-586. - Библиогр.: 20 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 4. | Galiy P. V. Radiation defects accumulation in cesium iodide scintillation crystals under intensive electron beam irradiation / P. V. Galiy // Functional Materials. - 1999. - 6, № 1. - С. 47-54. - Бібліогр.: 19 назв. - англ. Методами термостимульованої електронної емісії, оже-електронної спектроскопії і оптичної абсорбційної спектрофотометрії досліджені закономірності радіаційного дефектоутворення, накопичення дефектів і радіолізу кристалів CsI при опроміненні електронами середніх енергій у широкому діапазоні потужностей і доз опромінення. Оцінено критичні потужності і поглинуті дози електронного опромінення, які зумовлюють утворення і накопичення радіаційних дефектів в об'ємі кристалів і порушення стехіометрії поверхні. Встановлено дози електронного опромінення, при яких відбувається радіоліз CsI з виділенням цезію в металічну фазу, у чому спостерігається деяка квазіперіодичність від дози опромінення. Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6 + В381.531 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 5. | Galiy P. V. X-ray photoelectron spectroscopy of the interface phase on cleavage surfaces of the layered semiconductor InV4DSeV3D crystals / P. V. Galiy, A. V. Musyanovych // Functional Materials. - 2005. - 12, № 3. - С. 467-475. - Бібліогр.: 19 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 6. | Galiy P. V. Structural and energy changes at the cleavage surfaces of InVB4DSeVB3D layered crystals under interface formation / P. V. Galiy, T. M. Nenchuk, Ya. B. Losovyj, Ya. M. Fiyala // Functional Materials. - 2008. - 15, № 1. - С. 68-73. - Бібліогр.: 14 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 7. | Galiy P. V. Investigation of (100) InVB4DSeVB3D crystal surface nanorelief / P. V. Galiy, A. Ciszewski, O. R. Dveriy, Ya. B. Losovyj, P. Mazur, T. M. Nenchuk, S. Zuber, Ya. M. Fiyala // Functional Materials. - 2009. - 16, № 3. - С. 279-285. - Бібліогр.: 11 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 8. | Galiy P. V. Indium induced nanostructures on InVB4DSeVB3D(100) surface studied by scanning tunneling microscopy / P. V. Galiy, T. M. Nenchuk, A. Ciszewski, P. Mazur, S. Zuber, Ya. M. Buzhuk // Functional Materials. - 2013. - 20, № 1. - С. 37-43. - Бібліогр.: 17 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 9. | Galiy P. Scanning tunnelling microscopy/spectroscopy and low-energy electron diffraction investigations of GaTe layered crystal cleavage surface = Исследование методами сканирующей туннельной микроскопии/спектроскопии и дифракции медленных электронов поверхностей сколов слоистых кристаллов GaTe / P. Galiy, T. Nenchuk, A. Ciszewski, P. Mazur, S. Zuber, I. Yarovets // Металлофизика и новейшие технологии. - 2015. - 37, № 6. - С. 789-801. - Бібліогр.: 9 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 10. | Galiy P. V. Nisubx/subInSe (0001) metal - semiconductor heteronanosystem study = Исследование гетеронаносистем металл - полупроводник Nisubx/subInSe (0001) / P. V. Galiy, T. M. Nenchuk, A. Ciszewski, P. Mazur, I. R. Yarovets', O. R. Dveriy // Металлофизика и новейшие технологии. - 2017. - 39, № 7. - С. 995-1004. - Бібліогр.: 9 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 11. | Galiy P. V. Structural aspect of formation of a nanosystem of In/Insub4/subSesub3/sub (100) = Структурний аспект формування наносистеми In/Insub4/subSesub3/sub (100) / P. V. Galiy, P. Mazur, A. Ciszewski, T. M. Nenchuk, I. R. Yarovets', O. R. Dveriy // Metallophysics and Advanced Technologies. - 2018. - 40, № 10. - С. 1349-1358. - Бібліогр.: 10 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 12. | Galiy P. V. Indium deposited nanosystem formation on InSe (0001) surface applied as template = Формирование напылённых индиевых наносистем с использованием поверхностей (0001) InSe в качестве шаблона / P. V. Galiy, T. M. Nenchuk, A. Ciszewski, P. Mazur, Ya. M. Buzhuk, Z. M. Lubun, O. R. Dveriy // Metallophysics and Advanced Technologies. - 2019. - 41, № 10. - С. 1395-1405. - Бібліогр.: 15 назв. - англ. Поверхность двумерного слоистого полупроводникового кристалла InSe использовалась в качестве матрицы для направленной сборки наноструктур индия. Исследование формирования наносистемы In/(0001)InSe проводилось с использованием данных сканирующей туннельной микроскопии. Индий термически напыляли на структурно совершенные поверхности скалывания кристаллов InSe, полученные в экспериментальных условиях сверхвысокого вакуума. Удалось добиться формирования точечных наноразмерных структур треугольной формы в результате процесса вторичного смачивания поверхности твёрдого тела вследствие её нагрева выше температуры плавления индия. Кроме того, пространственное расположение таких наноструктур обуславливается гексагональной симметрией поверхностной решётки InSe. Індекс рубрикатора НБУВ: К391.912 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 13. | Galiy P. V. Indium deposited nanosystem formation on InSe (0001) surface applied as template = Формирование напылённых индиевых наносистем с использованием поверхностей (0001) InSe в качестве шаблона / P. V. Galiy, T. M. Nenchuk, A. Ciszewski, P. Mazur, Ya. M. Buzhuk, Z. M. Lubun, O. R. Dveriy // Metallophysics and Advanced Technologies. - 2019. - 41, № 10. - С. 1395-1405. - Бібліогр.: 15 назв. - англ. Поверхность двумерного слоистого полупроводникового кристалла InSe использовалась в качестве матрицы для направленной сборки наноструктур индия. Исследование формирования наносистемы In/(0001)InSe проводилось с использованием данных сканирующей туннельной микроскопии. Индий термически напыляли на структурно совершенные поверхности скалывания кристаллов InSe, полученные в экспериментальных условиях сверхвысокого вакуума. Удалось добиться формирования точечных наноразмерных структур треугольной формы в результате процесса вторичного смачивания поверхности твёрдого тела вследствие её нагрева выше температуры плавления индия. Кроме того, пространственное расположение таких наноструктур обуславливается гексагональной симметрией поверхностной решётки InSe. Індекс рубрикатора НБУВ: К391.912 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 14. | Galiy P. V. Solid-state dewetting formation of In/InTe nanosystem = Формування наносистеми In/InTe методом вторинного твердотільного змочування / P. V. Galiy, T. M. Nenchuk, A. Ciszewski, P. Mazur, O. V. Tsvetkova, V. I. Dzyuba, T. R. Makar // J. of Nano- and Electronic Physics. - 2021. - 13, № 4. - С. 04032-1-04032-5. - Бібліогр.: 24 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського