![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Віртуальна довідка ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Тематичний інтернет-навігатор ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Наукова електронна бібліотека ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання
![Mozilla Firefox](../../ico/mf.png) |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Формат представлення знайдених документів: | повний | стислий |
Пошуковий запит: (<.>A=Okhrimenko O$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 33
Представлено документи з 1 до 20
|
| |
| | | | |
1. |
Pugatch V. M. Radiation monitoring system for LHCb inner tracker = Система радіаційного моніторингу внутрішнього трекера експерименту LHCb / V. M. Pugatch, Y. V. Pylypchenko, O. Yu. Okhrimenko, V. M. Iakovenko, V. O. Kyva, M. S. Borysova, O. S. Kovalchuk, O. V. Mykhaylenko // Укр. фіз. журн. - 2009. - 54, № 4. - С. 418-425. - Библиогр.: 20 назв. - англ.Performance requirements to and the design of a radiation monitoring system (RMS) for the LHCb Inner Tracker (CERN) have been presented. The physical principle of operation and some constructional details of metal foil detectors developed at the Institute for Nuclear Research of the National Academy of Sciences of Ukraine and used in the RMS manufacture have been described. The results of a testing demonstrate that the parameters of the RMS correspond to the requirements of the LHCb experiment. Індекс рубрикатора НБУВ: В381.04
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
2. |
Campbell M. Hybrid micropixel detector at the focal plane of the mass-spectrometer = Гібридний мікропіксельний детектор у фокальній площині мас-спектрометра / M. Campbell, L. Tlustos, D. Maneuski,, Val O Shea , V. Storizhko, V. Eremenko, S. Homenko, A. Shelekhov, V. Pugatch, O. Kovalchuk, A. Chaus, O. Okhrimenko, D. Storozhik // Ядер. фізика та енергетика. - 2009. - 10, № 4. - С. 424-428. - Библиогр.: 10 назв. - англ.Представлено результати тестування мікропіксельного детектора TimePix як детектора іонів низької енергії у фокальній площині лазерного мас-спектрометра. Досліджено два випадки: гібридний мікропіксельний і металевий мікропіксельний (голий зчитуючий чіп з металевою сіткою, що покращує накопичення заряду) детектори. В обох випадках вивчено однорідність відгуку пікселів щодо маси іонів, енергії та реєстрації положення. Одержані результати дозволяють використовувати обидві моделі детекторів для створення "електронної фокальної площини" мас-спектрометра з перевагами одержання даних вимірювань у режимі реального часу. Індекс рубрикатора НБУВ: В381.5
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж25640 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
3. |
Iakovenko V. M. Selected physics measurements for the LHCB experiment and the radiation monitoring system = Деякі фізичні вимірювання в експерименті LHCB та система радіаційного моніторингу / V. M. Iakovenko, O. Yu. Okhrimenko, V. M. Pugatch, S. Barsuk, M. -H. Schune // Ядер. фізика та енергетика. - 2011. - 12, № 3. - С. 225-234. - Библиогр.: 31 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В381
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж25640 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
4. |
Bacherikov Yu. Yu. Effect of microwave radiation on optical transmission spectra in SiOV2D/SiC structures / Yu. Yu. Bacherikov, R. V. Konakova, E. Yu. Kolyadina, A. N. Kocherov, O. B. Okhrimenko, A. M. Svetlichnyi // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2002. - 5, № 4. - С. 391-394. - Бібліогр.: 7 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24 + В379.227
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
5. |
Sapaev B. Spectroscopy of (SiV2D)VI1-xD(ZnS)VIxD solid solutions / B. Sapaev, A. S. Saidov, I. B. Sapaev, Yu. Yu. Bacherikov, R. V. Konakova, O. B. Okhrimenko, I. N. Dmitruk, N. P. Galak // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2005. - 8, № 3. - С. 16-18. - Бібліогр.: 15 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
6. |
Konakova R. V. Modification of properties of the glass - SiVB3DNVB4D - Si - SiOVB2D structure at laser treatment / R. V. Konakova, V. P. Kladko, O. S. Lytvyn, O. B. Okhrimenko, B. G. Konoplev, A. M. Svetlichnyi, V. N. Lissotschenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2009. - 12, № 3. - С. 284-286. - Бібліогр.: 7 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
7. |
Bacherikov Yu. Yu. The factors influencing luminescent properties of ZnS:Mn obtained by the method of one-stage synthesis / Yu. Yu. Bacherikov, A. G. Zhuk, S. V. Optasyuk, O. B. Okhrimenko, K. D. Kardashov, S. V. Kozitskiy // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2012. - 15, № 3. - С. 239-246. - Бібліогр.: 39 назв. - англ.Considered in this paper is the model that combines appearance of defects responsible for self-activated (SA) emission in ZnS with its piezoelectric properties. Being based on analysis of the luminescence spectrum, the authors demonstrate the influence of mechanical destruction, impact of ultrasound, microwave radiation and pulsed magnetic field on the emission efficiency for centers of luminescence connected with intrinsic defects in ZnS:Mn prepared using the method of self-propagating high-temperature synthesis. It has been shown that downsizing the ZnS:Mn crystals prepared according to the above method as well as more discrete differentiation of phases present in this material due to development and growth of inner boundaries and surface under external actions leads to quenched SA-photoluminescence with lambda ~ 400 - 525 nm. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.34 + В379.371.7
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
8. |
Okhrimenko O. B. Variation of optical parameters of multilayer structures with thin silicon layers at laser annealing / O. B. Okhrimenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2014. - 17, № 2. - С. 200-204. - Бібліогр.: 13 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
9. |
Okhrimenko O. B. A model for non-thermal action of microwave radiation on oxide film/semiconductor structures / O. B. Okhrimenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2014. - 17, № 3. - С. 227-231. - Бібліогр.: 26 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.24
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
10. |
Bacherikov Yu. Yu. Electroluminescence powdered ZnS:Cu obtained by one-stage synthesis / Yu. Yu. Bacherikov, A. G. Zhuk, O. B. Okhrimenko, D. L. Kardashov, S. V. Kozitskiy // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2015. - 18, № 3. - С. 309-311. - Бібліогр.: 8 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379 + В345.4
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
11. |
Okhrimenko O. B. Phenomenological model of athermal interaction of microwave radiation with the structures wide-gap semiconductor - oxide film / O. B. Okhrimenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2015. - 18, № 4. - С. 452-455. - Бібліогр.: 13 назв. - англ.We propose a phenomenological model that explains the changes in the optical spectra of the structures wide gap semiconductor - oxide film, which takes place as a result of short-term microwave treatment. To explain the specific athermal microwave exposure, proposed was an integrated approach that is a combination of several processes that are described by various models. Interaction of processes caused by the resonant interaction of microwave radiation with the intrinsic oscillations of dislocations, which can lead to dislocation motion, has been considered. The length of dislocations, for which the condition of the resonant interaction is fulfilled, has been estimated. It has been shown that the combination of the considered processes can lead to appearance of additional centers of light absorption or scattering, which is manifested in the spectra of optical absorption and photoluminescence of the structures wide-gap semiconductor - oxide film. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22 в641
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
12. |
Momot I. Shaping and monitoring of the mini-beam structures for the spatially fractionated hadron radiation therapy = Формування та моніторинг міні-пучкових структур для просторово-фракціонованої радіаційної терапії / I. Momot, O. Kovalchuk, O. Okhrimenko, Y. Prezado, V. Pugatch // Ядер. фізика та енергетика. - 2016. - 17, № 1. - С. 92-97. - Бібліогр.: 21 назв. - англ.Використовуючи моделювання за допомогою методу Монте-Карло, оцінено дизайн та ефективність коліматорів для цілей фракціонованої міні-пучкової адронної радіаційної терапії. Розрахунки здійснено для іонних пучків водню, вуглецю та кисню за енергій, придатних для медичного застосування. Мікропіксельні металеві та гібридні детектори випробувано для вимірювання розподілу інтенсивності заряджених частинок у багатопучкових структурах, сформованих щілинними або матричними коліматорами, використовуючи низькоенергетичний протонний пучок тандем-генератора ІЯД НАН України (Київ). Одержані результати показали прийнятне функціонування розроблених коліматорів, а також металевих і гібридних мікропіксельних детекторів для вимірювання та візуалізації в реальному часі розподілу інтенсивності протонів в міні-пучкових структурах. Індекс рубрикатора НБУВ: Р365
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж25640 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
13. |
Bacherikov Yu. Yu. Effect of heating rate on oxidation process of fine-dispersed ZnS:Mn obtained by SHS / Yu. Yu. Bacherikov, A. G. Zhuk, O. B. Okhrimenko, D. L. Kardashov, S. V. Kozitskiy, V. V. Kidalov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2015. - 18, № 2. - С. 226-229. - Бібліогр.: 25 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В345
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
14. |
Bacherikov Yu. Yu. Influence of the presence of a fluxing agent and its composition on the spectral characteristics of ZnS(Cu) obtained by self-propagating high-temperature synthesis / Yu. Yu. Bacherikov, O. B. Okhrimenko, A. G. Zhuk, R. V. Kurichka, A. V. Gilchuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2016. - 19, № 3. - С. 303-306. - Бібліогр.: 20 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В345.3
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
15. |
Bacherikov Yu. Yu. Luminescent properties of fine-dispersed self-propagating high-temperature synthesized ZnS:Cu,Mg / Yu. Yu. Bacherikov, A. G. Zhuk, R. V. Kurichka, O. B. Okhrimenko, A. V. Gilchuk, O. V. Shcherbyna, M. V. Herkalyuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2017. - 20, № 2. - С. 191-194. - Бібліогр.: 25 назв. - англ.The influence of magnesium impurities on luminescent properties of ZnS:Cu,Mg using obtained by self-propagating high-temperature synthesis (SHS) has been investigated. Special attention was paid to changes of photoluminescence spectra caused by relaxation processes in ZnS:Cu,Mg-SHS. It was shown that introduction of magnesium into ZnS:Cu-SHS leads to a change in symmetry of ZnS crystal lattice. It leads to relaxation quenching the photoluminescence bands caused by presence of copper impurities in ZnS. Індекс рубрикатора НБУВ: В368.3 + В345
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
16. |
Vakhnyak N. D. Transformation of impurity-defect centers in single crystals CdTe:Cl under the influence of microwaves / N. D. Vakhnyak, O. P. Lotsko, S. I. Budzulyak, L. A. Demchyna, D. V. Korbutyak, R. V. Konakova, R. A. Red'ko, O. B. Okhrimenko, N. I. Berezovska // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2017. - 20, № 2. - С. 250-253. - Бібліогр.: 7 назв. - англ.Performed in this work are the researches of the influence of microwave irradiation (2,45 GHz, 24 GHz) on spectra of low-temperature (T = 2 K) photoluminescence (PL) in single crystals CdTe:Cl. Transformation of impurity-defect centers in CdTe:Cl responsible for PL within the spectral range 1,3 to 1,5 eV under microwave irradiation was analyzed. The parameter of electron-phonon interaction (Huang-Rhys factor) for the donor-acceptor PL band, which depends on the time of microwave irradiation, has been calculated. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
17. |
Bacherikov Yu. Yu. Optical properties of thin erbium oxide films formed by rapid thermal annealing on SiC substrates with different structures / Yu. Yu. Bacherikov, R. V. Konakova, O. B. Okhrimenko, N. I. Berezovska, L. M. Kapitanchuk, A. M. Svetlichnyi // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2017. - 20, № 4. - С. 465-469. - Бібліогр.: 27 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.24
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
18. |
Bacherikov Yu. Yu. Comparison of properties inherent to thin titanium oxide films formed by rapid thermal annealing on SiC and porous SiC substrates / Yu. Yu. Bacherikov, N. L. Dmitruk, R. V. Konakova, O. F. Kolomys, O. B. Okhrimenko, V. V. Strelchuk, O. S. Lytvyn, L. M. Kapitanchuk, A. M. Svetlichnyi // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2018. - 21, № 2. - С. 200-205. - Бібліогр.: 24 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
19. |
Bacherikov Yu. Yu. Thin dysprosium oxide films formed by rapid thermal annealing on porous SiC substrates / Yu. Yu. Bacherikov, R. V. Konakova, O. B. Okhrimenko, N. I. Berezovska, O. S. Lytvyn, L. M. Kapitanchuk, A. M. Svetlichnyi // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2018. - 21, № 4. - С. 360-364. - Бібліогр.: 21 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
20. |
Bacherikov Yu. Yu. Effect of the doping method on luminescent properties of ZnS:Ag / Yu. Yu. Bacherikov, A. G. Zhuk, O. B. Okhrimenko, E. Yu. Pecherskaya-Gromadskaya, V. V. Kidalov, S. V. Optasyuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2019. - 22, № 3. - С. 361-365. - Бібліогр.: 24 назв. - англ.Effect of doping the method on luminescent characteristics of dispersed ZnS doped with Ag has been studied in this work. The analysis of ratio of the intensity of photoluminescence bands related with the centres caused by Ag impurity and the intrinsic defects has led to the conclusion that formation of dispersed ZnS:Ag prepared using the self-propagating high-temperature synthesis (SHS) has several advantages: doping occurs directly in the process of material synthesis, possibility of simultaneous preparation of two fractions with different particle sizes, in ZnS:Ag-SHS with particle sizes greater than 20 nm there is a lower concentration of defects as compared to that in ZnS:Ag obtained using the thermal doping method. Індекс рубрикатора НБУВ: В345.3 + В379.222
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
| | |
|
|