Performance requirements to and the design of a radiation monitoring system (RMS) for the LHCb Inner Tracker (CERN) have been presented. The physical principle of operation and some constructional details of metal foil detectors developed at the Institute for Nuclear Research of the National Academy of Sciences of Ukraine and used in the RMS manufacture have been described. The results of a testing demonstrate that the parameters of the RMS correspond to the requirements of the LHCb experiment.

Представлено результати тестування мікропіксельного детектора TimePix як детектора іонів низької енергії у фокальній площині лазерного мас-спектрометра. Досліджено два випадки: гібридний мікропіксельний і металевий мікропіксельний (голий зчитуючий чіп з металевою сіткою, що покращує накопичення заряду) детектори. В обох випадках вивчено однорідність відгуку пікселів щодо маси іонів, енергії та реєстрації положення. Одержані результати дозволяють використовувати обидві моделі детекторів для створення "електронної фокальної площини" мас-спектрометра з перевагами одержання даних вимірювань у режимі реального часу.

Індекс рубрикатора НБУВ: В381

Рубрики:

Експериментальні методи та апаратура фізики атомного ядра і елементарних частинок

Шифр НБУВ: Ж25640 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24 + В379.227

Рубрики:

Оптичні властивості напівпровідників

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24

Рубрики:

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224

Рубрики:

Склоподібні напівпровідники

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Considered in this paper is the model that combines appearance of defects responsible for self-activated (SA) emission in ZnS with its piezoelectric properties. Being based on analysis of the luminescence spectrum, the authors demonstrate the influence of mechanical destruction, impact of ultrasound, microwave radiation and pulsed magnetic field on the emission efficiency for centers of luminescence connected with intrinsic defects in ZnS:Mn prepared using the method of self-propagating high-temperature synthesis. It has been shown that downsizing the ZnS:Mn crystals prepared according to the above method as well as more discrete differentiation of phases present in this material due to development and growth of inner boundaries and surface under external actions leads to quenched SA-photoluminescence with lambda ~ 400 - 525 nm.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24

Рубрики:

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.24

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379 + В345.4

Рубрики:

Електролюмінесценція

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

We propose a phenomenological model that explains the changes in the optical spectra of the structures wide gap semiconductor - oxide film, which takes place as a result of short-term microwave treatment. To explain the specific athermal microwave exposure, proposed was an integrated approach that is a combination of several processes that are described by various models. Interaction of processes caused by the resonant interaction of microwave radiation with the intrinsic oscillations of dislocations, which can lead to dislocation motion, has been considered. The length of dislocations, for which the condition of the resonant interaction is fulfilled, has been estimated. It has been shown that the combination of the considered processes can lead to appearance of additional centers of light absorption or scattering, which is manifested in the spectra of optical absorption and photoluminescence of the structures wide-gap semiconductor - oxide film.

Використовуючи моделювання за допомогою методу Монте-Карло, оцінено дизайн та ефективність коліматорів для цілей фракціонованої міні-пучкової адронної радіаційної терапії. Розрахунки здійснено для іонних пучків водню, вуглецю та кисню за енергій, придатних для медичного застосування. Мікропіксельні металеві та гібридні детектори випробувано для вимірювання розподілу інтенсивності заряджених частинок у багатопучкових структурах, сформованих щілинними або матричними коліматорами, використовуючи низькоенергетичний протонний пучок тандем-генератора ІЯД НАН України (Київ). Одержані результати показали прийнятне функціонування розроблених коліматорів, а також металевих і гібридних мікропіксельних детекторів для вимірювання та візуалізації в реальному часі розподілу інтенсивності протонів в міні-пучкових структурах.

Індекс рубрикатора НБУВ: В345

Рубрики:

Люмінесценція

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В345.3

Рубрики:

Фотолюмінесценція

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

The influence of magnesium impurities on luminescent properties of ZnS:Cu,Mg using obtained by self-propagating high-temperature synthesis (SHS) has been investigated. Special attention was paid to changes of photoluminescence spectra caused by relaxation processes in ZnS:Cu,Mg-SHS. It was shown that introduction of magnesium into ZnS:Cu-SHS leads to a change in symmetry of ZnS crystal lattice. It leads to relaxation quenching the photoluminescence bands caused by presence of copper impurities in ZnS.

Performed in this work are the researches of the influence of microwave irradiation (2,45 GHz, 24 GHz) on spectra of low-temperature (T = 2 K) photoluminescence (PL) in single crystals CdTe:Cl. Transformation of impurity-defect centers in CdTe:Cl responsible for PL within the spectral range 1,3 to 1,5 eV under microwave irradiation was analyzed. The parameter of electron-phonon interaction (Huang-Rhys factor) for the donor-acceptor PL band, which depends on the time of microwave irradiation, has been calculated.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.24

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Effect of doping the method on luminescent characteristics of dispersed ZnS doped with Ag has been studied in this work. The analysis of ratio of the intensity of photoluminescence bands related with the centres caused by Ag impurity and the intrinsic defects has led to the conclusion that formation of dispersed ZnS:Ag prepared using the self-propagating high-temperature synthesis (SHS) has several advantages: doping occurs directly in the process of material synthesis, possibility of simultaneous preparation of two fractions with different particle sizes, in ZnS:Ag-SHS with particle sizes greater than 20 nm there is a lower concentration of defects as compared to that in ZnS:Ag obtained using the thermal doping method.