Віртуальна довідка Тематичний інтернет-навігатор Наукова електронна бібліотека Автореферати дисертацій Реферативна база даних Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання
|
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Формат представлення знайдених документів: | повний | стислий |
Пошуковий запит: (<.>TJ=Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 40
Представлено документи з 1 до 20
|
| |
| | | | |
1. |
Demidenko A. A. Amplification of localized acoustic waves by the electron drift in a quantum well = Підсилення конфайних акустичних хвиль електронами, що дрейфують в квантовій ямі / A. A. Demidenko, V. A. Kochelap // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 1. - С. 11-24. - Библиогр.: 32 назв. - англ.Одержано рішення рівняння теорії пружності у вигляді локалізованих хвиль поблизу шару, в якому є електрони, а пружні властивості відрізняються від пружних властивостей оточуючого середовища. Для товщин шару, малих порівняно з довжиною хвилі звуку, одержано аналітичне рішення рівняння дисперсії. Для електронів в середині шару побудовано електронні стани для випадку, коли поздовжній рух квазікласичний, а поперечний квантується (квантова яма). Одержано рішення кінетичного рівняння Больцмана для двовимірних електронів при наявності поздовжнього електричного поля. Розв'язано одержану замкнену систему рівнянь при електрон-фононній взаємодії через деформаційний потенціал, одержано дисперсійне рівняння для змішаних локалізованих акусто-зарядних хвиль. Проаналізовано умови підсилення акустичної хвилі дрейфом електронів для квантової та класичної ями. В останньому випадку поперечний рух електронів розглядається як квазікласичний. Проведено порівняння з підсиленням об'ємних хвиль. Ключ. слова: локалізація акустичних хвиль, підсилення акустичних хвиль, дрейф електронів. Індекс рубрикатора НБУВ: В371.32
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
2. |
Khizhnyak A. Characteristics of thermal lens induced in active rod of cw Nd:YAG laser = Характеристики теплової лінзи, що наводиться в активному елементі Nd:AIГ лазера при неперервній накачці / A. Khizhnyak, G. Galich, M. Lopiitchouk // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 1. - С. 147-152. - Библиогр.: 8 назв. - англ.Для дослідження структури теплової лінзи, що наводиться в активному стержні Nd:АIГ-лазера при неперервній накачці, було використано інтерферометр Маха-Цендера і електронну спекл інтерферометричну систему. Показано, що аберації теплової лінзи малі, відіграють роль збурень і призводять до виходу в генерацію всіх тих поперечних мод, підсилення яких в резонаторі переважає втрати. Показано, що при зміні рівня накачки відбувається зміщення оптичної осі лінзи та поворот її головних площин. Ключ. слова: лазер, термiчна лiнза, iнтерферометр Індекс рубрикатора НБУВ: В343.14 + З86-53-01
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
3. |
Shevchenko V. B. Evidence for photochemical transformations in porous silicon = Свідчення про фотохімічні перетворення в поруватому кремнії / V. B. Shevchenko, V. A. Makara, O. V. Vakulenko, O. I. Dacenko, O. V. Rudenko // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 2. - С. 50-53. - Библиогр.: 17 назв. - англ.В роботі досліджувалася динаміка зміни інтенсивності фотолюмінесценції (ІФЛ) зразків поруватого кремнію (ПК), які під час їх старіння на повітрі зазнають дії лазерного опромінення (337 нм, 3.7 мВт). З'ясувалося, що під впливом УФ-опромінення ІФЛ швидко зростає і через кілька годин досягає "плато". Подальше опромінення призводить до спадання інтенсивності, що пояснюється ефектом втоми люмінесценції. В той же час для зразка, що не опромінювався, ІФЛ майже не змінюється за час експерименту. Виявилося, що на етапі початкового монотонного наростання ІФЛ після короткочасного (1-2 хвилини) припинення освітлення зразка лазером на кривій еволюції ІФЛ спостерігається аномалія у вигляді невеликого сплеску вниз, тоді як на ділянках монотонного спадання кривої ІФЛ ця аномалія являє собою сплеск угору. У випадку довготривалого (десятки годин) припинення освітлення аномалія була однотипною для всіх ділянок кривої ІФЛ. Описані результати пояснюються впливом двох конкурентних факторів: втоми люмінесценції та формування під дією світла нестабільних (молекулярних) хімічних зв'язків, які можуть перетворюватися на стабільні атомні. Ключ. слова: porous silicon, nanostructure, laser irradiation, luminescence fatigue Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24 + Г116.7
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
4. |
Klad'ko V. P. Influence of absorption level on mechanisms of Bragg-diffracted x-ray beam formation in real silicon crystals = Вплив рівня поглинання на механізми формування брег-дифрагованого пучка рентгенівських променів в реальних кристалах кремнію / V. P. Klad'ko, D. O. Grigoriev, L. I. Datsenko, V. F. Machulin, I. V. Prokopenko // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 1. - С. 157-162. - Библиогр.: 19 назв. - англ.Методом чисельного моделювання за формулами динамічної теорії розсіювання випромінювань реальними кристалами та за допомогою розв'язку рівнянь Такагі- Топена вивчені основні закономірності брег-дифракції рентгенівських променів в умовах сильного та слабкого поглинання. Встановлені механізми формування профілів просторового розподілу інтенсивності дифрагованих пучків в залежності від енергії випромінювання та структурної досконалості кристалів. Запропоновані формули для аналітичного опису профілів розподілу інтенсивностей, які враховують динамічні поправки (коефіцієнти екстинкції) для когерентної і некогерентної складових дифрагованої інтенсивності. Ключ. слова: пучки рентгенiвських променiв, брег-дифракцiя, коефiцiєнт вiдбивання , довжини поглинання та екстинкцiї, динамiчна теорiя розсiювання, структурнi дефекти, кластери Індекс рубрикатора НБУВ: В372.212
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
5. |
Zabello E. Influence of temporal parameters of laser irradiation on emission spectra of the evaporated material = Вплив часових характеристик лазерного випромінювання на емісійні спектри випарованого матеріалу / E. Zabello, V. Syaber, A. Khizhnyak // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 1. - С. 142-146. - Библиогр.: 8 назв. - англ.Наведено результати дослідження емісійних спектрів металів, випаровуваних цугом гігантських лазерних імпульсів в повітрі при атмосферному тиску. Показано, що при дії послідовності імпульсів, які слідують з інтервалом близько 10 мкс, область ерозійного факелу, що відповідає випромінюванню атомів випаровуваної речовини, істотно віддаляється від області випромінювання суцільного спектру. В результаті різко зростає чутливість якісного аналізу складу матеріалу. Для кількісного аналізу складу необхідно здійснювати вибір пар спектральних ліній, відмінний від такого для методів дугового чи іскрового емісійного аналізів. Ключ. слова: лазер, емiсiйний спектр, ерозiйний факел Індекс рубрикатора НБУВ: В378.71 + К2-1 с
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
6. |
Kaganovich E. B. Interface electronic properties of heterojunctions based on nanocrystalline silicon = Граничні електронні властивості гетеропереходів на основі нанокристалічного кремнію / E. B. Kaganovich, S. I. Kirillova, E. G. Manoilov, V. E. Primachenko, S. V. Svechnikov // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 2. - С. 11-14. - Библиогр.: 14 назв. - англ.Для вивчення електронних властивостей гетеропереходів Si нанокристалічна (nc-Si) плівка / Si монокристал (c-Si) використано метод температурних залежностей поверхневої фото-ерс. Досліджено два типи зразків, одержаних лазерною абляцією c-Si мішені з осадженням nc-Si плівок на підкладки, віддалені від мішені, та на площину мішені. Розраховано температурні залежності концентрації носіїв заряду, захоплених на пастки межі поділу гетеропереходу, розподіл густини граничних електронних станів за енергією. З'ясовуються зв'язки між умовами одержання гетеропереходів та їх граничними електронними властивостями. Ключ. слова: silicon, nanocomposite, boundary electronic states, surface photovoltage Індекс рубрикатора НБУВ: В379.251
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
7. |
Volodin N. M. Investigation of growth conditions, crystal structure and surface morphology of SmS films fabricated by MOCVD technique = Дослідження умов росту, кристалічної структури та морфології поверхні плівок SmS, виготовлених методом МОГФЕ / N. M. Volodin, L. V. Zavyalova, A. I. Kirillova, I. V. Prokopenko, A. V. Khanova // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 2. - С. 78-83. - Библиогр.: 9 назв. - англ.Отримано полікристалічні плівки SmS MOCVD-методом із застосуванням ряду дітіокарбаматів, які синтезовані різноманітними способами. Досліджено кінетику росту і температурні залежності швидкості росту плівок, які дозволили визначити енергії активації, тип реакції; проведено дослідження структури і морфології поверхні плівок. Визначено технологічні умови, які забезпечують виготовлення однофазних плівок SmS кубічної модифікації з найбільш впорядкованою кристалічною структурою. Ключ. слова: samarium monosulphide, structure, morphology, MOCVD-technique Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
8. |
Boiko I. I. Investigation of the photoelastic effect in Si at high values of the absorptivity = Дослідження ефекту фотопружності в Sі в умовах великих значень показника поглинання / I. I. Boiko, Ye. F. Venger, E. V. Nikitenko, B. K. Serdega // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 2. - С. 54-58. - Библиогр.: 8 назв. - англ.У монокристалах Si теоретично та експериментально досліджено ефект подвійного променезаломлення, зумовлений дією одновісної пружної деформації. Для підвищення чутливості вимірювальної системи в межах фундаментального поглинання використано поляризаційну модуляцію віддзеркаленого випромінювання. Виміряно деформаційні характеристики ефекту. Результати, отримані на довжинах хвиль зондуючого випромінювання в діапазоні прозорості, добре узгоджуються із висновками попередніх досліджень. У діапазоні сильного поглинання виявлено кардинальну зміну вигляду характеристик ефекту та встановлено їх задовільне узгодження із результатами теоретичного розрахунку. Ключ. слова: birefrigence, polarization, modulation, photovoltage, anisotropy , thermal stress Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
9. |
Grigorchuk N. I. Light absorption by d-dimensional organic semiconductors under exciton transitions between broad bands = Поглинання світла D-мірними органічними напівпровідниками за наявністю екситонних переходів між широкими смугами / N. I. Grigorchuk // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 1. - С. 25-30. - Библиогр.: 21 назв. - англ.В рамках дипольного наближення розраховується форма лінії вбирання світла при екситонних переходах між широкими зонами в одно-, дво- і тривимірних органічних напівпровідникових структурах. Враховується загасання екситона на неоднорідностях гратки як параметр, не залежний від частоти. Отримані аналітичні вирази дозволяють аналізувати форму лінії для структур різної просторової розмірності в залежності від різниці ширини зон, параметра загасання і температури. Ключ. слова: низьковимiрнi органiчнi кристали, поглинання свiтла, екситоннi переходи Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
10. |
Malysh N. I. Saturation of optical absorption in CdS single crystals = Насичення оптичного поглинання монокристалів сульфіду кадмію / N. I. Malysh, V. P. Kunets, S. I. Valiukh, Vas. P. Kunets // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 1. - С. 31-34. - Библиогр.: 9 назв. - англ.Досліджено насичення оптичного поглинання сульфіду кадмію в урбаховській ділянці спектра. Показано, що стрибкоподібне зменшення коефіцієнта поглинання пов'язано з перезарядкою мілких акцепторів, а край поглинання при низьких та високих інтенсивностях підкоряється експоненціальній залежності. Запропоновано метод розрахунку нелінійних залежностей пропускання за відомими формулами, який дозволяє мінімізувати величину середньоквадратичного відхилення спостережуваних значень від теоретичних у всьому інтервалі інтенсивностей. Ключ. слова: поглинання, насичення, перезарядка, акцептор Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
11. |
Vakulenko O. V. Varistor-like current-voltage characteristic of porous silicon = Вольт-амперні характеристики варісторного типу в поруватому кремнії / O. V. Vakulenko, S. V. Kondratenko, B. M. Shutov // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 2. - С. 88-89. - Библиогр.: 7 назв. - англ.Досліджено вольт-амперну характеристику (ВАХ) у поруватому кремнії (ПК) при поздовжньому та поперечному напрямку прикладеного електричного поля. Одержана варісторна форма ВАХ. Крім практичного застосування вона цікава і тим, що підтвердила існування в ПК зеренної структури, вплив якої дискутується при аналізі механізму видимої люмінесценції поруватого кремнію. Ключ. слова: varistor, current-voltage characteristic, porous silicon Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271 + З264.7
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
12. |
Kashirina N. I. Bipolarons in anisotropic crystals and low dimensional structures = Біполярони в анізотропних кристалах та низьковимірних середовищах / N. I. Kashirina, E. V. Mozdor, E. A. Pashitskij, V. I. Sheka // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 2. - С. 7-10. - Библиогр.: 13 назв. - англ. Ключ. слова: bipolarons, anisotropic crystals, superconductivity Індекс рубрикатора НБУВ: В372.314
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
13. |
Tomashik Z. F. Dissolution of indium arsenide in nitric solutions of the hydrobromic acid = Розчинення арсеніду індію в азотнокислих розчинах бромистоводневої кислоти / Z. F. Tomashik, S. G. Danylenko, V. N. Tomashik // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 1. - С. 80-83. - Библиогр.: 9 назв. - англ. Ключ. слова: розчинення, травник, арсенiд iндiю, нiтритна кислота, гiдробромна кислота, дифузiйна стадiя, кiнетичнi обмеження Індекс рубрикатора НБУВ: Г563.3
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
14. |
Bogoboyashchiy V. V. Effect of annealing on activation of native acceptors in narrow-gap ip/i-HgCdTe crystals = Вплив відпалу на активацію власних акцепторів у кристалах вузькозонного ip/i-HgCdTe / V. V. Bogoboyashchiy // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 1. - С. 62-69. - Библиогр.: 14 назв. - англ. Ключ. слова: власний акцептор, енергiя iонiзацiї, термiчна обробка. Індекс рубрикатора НБУВ: З854.22 + В379.274
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
15. |
Gorban A. P. Efficiency limit for diffusion silicon solar cells at concentrated illumination = Гранична ефективність для дифузійних кремнієвих сонячних елементів при концентрованому освітленні / A. P. Gorban, V. P. Kostylyov, A. V. Sachenko, A. A. Serba // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 2. - С. 45-49. - Библиогр.: 15 назв. - англ. Ключ. слова: photoconversion efficiency, silicon solar cells, concentrated illumination Індекс рубрикатора НБУВ: З264.545
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
16. |
Dotsenko Yu. P. Electro-physical properties of gamma-exposed crystals of silicon and germanium = Електрофізичні властивості gamma-опромінених кристалів кремнію та германію / Yu. P. Dotsenko // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 1. - С. 47-55. - Библиогр.: 63 назв. - англ. Ключ. слова: радiацiйнi дефекти, gamma-випромiнювання, електронний кремнiй, електронний германiй, радiацiйна стiйкiсть Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
17. |
Korsunskaya N. E. Electron-enhanced reactions responsible for photoluminescence spectrum change in II - VI compounds = Електронно-стимульовані реакції дефектів, які відповідають за зміну спектрів фотолюмінесценції сполук Asub2/subBsub6/sub / N. E. Korsunskaya, I. V. Markevich, B. R. Dzhumaev, L. V. Borkovskaya, M. K. Sheinkman // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 1. - С. 42-46. - Библиогр.: 12 назв. - англ. Ключ. слова: електронно-стимульованi реакцiї, сполуки А_2В_6, рухомi дефекти Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
18. |
Venger Ye. F. Heat tolerance of titanium boride and titanium nitride contacts to gallium arsenide = Термічна стійкість контактів, утворених боридами та нітридами титану на арсеніді галію / Ye. F. Venger, V. V. Milenin, I. B. Ermolovich, R. V. Konakova, D.I. Voitsikhovskiy, I. Hotovy, V. N. Ivanov // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 1. - С. 124-132. - Библиогр.: 8 назв. - англ. Ключ. слова: контакти метал-напiвпровiдник, бориди титану, нiтриди титану, термiчна стабiльнiсть Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
19. |
Stronski A. V. Image formation properties of Assub40/subSsub20/subSesub40/sub thin layers in application for gratings fabrication = Зображуючі властивості тонких шарів Assub40/subSsub20/subSesub40/sub в застосуванні при виготовленні решіток / A. V. Stronski, M. Vlcek, P. E. Shepeliavyi, A. Sklenar, S. A. Kostyukevich // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 1. - С. 111-114. - Библиогр.: 7 назв. - англ. Ключ. слова: шари As_40S_20Se_40, оптичнi властивостi, спектри комбiнацiйного розсiювання, утворення поверхневого рельєфу, дифракцiйнi гратки. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
20. |
Mamikonova V. M. Influence of pulse thermal annealing on photoelectrical properties of locally grown polycrystalline silicon films = Вплив імпульсної термообробки на фотоелектричні властивості локально вирощених плівок полікристалічного кремнію / V. M. Mamikonova, F. D. Kasimov, G. P. Kemerchev // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 1. - С. 70-75. - Библиогр.: 7 назв. - англ. Ключ. слова: полiкристалiчнi кремнiєвi плiвки, фотоелектричнi властивостi, p-n переходи Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
| | |
|
|