Розглянуто нанокластери Ge, вирощені за допомогою методу молекулярно-променевої епітаксії на хімічно окисненій поверхні Si(001) за температури 700 градусів за Цельсієм. За дифракцією рентгенівських променів і спектроскопією фотопровідності вперше виявлено, що нанокластери мають кристалічну структуру з об'ємоцентрованою тетрагональною граткою, яка має край власного поглинання поблизу 0,48 еВ за 50 K. Нанесення Si на поверхню з нанокластерами Ge призводить до реконструкції поверхні та формування полікристалічного покриття з кубічною граткою, а об'єм нанокластерів стає твердим розчином SiGe із тетрагональною граткою. Край власного поглинання завдяки перемішуванню Si - Ge зазнав зсуву до 0,73 еВ. Обгрунтовано можливий механізм росту нанокластерів.