Пошуковий запит: (<.>A=Бончик А$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 4
Представлено документи з 1 до 4
|
| 1. | Ж14479 Бончик А. Ю. Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n - GaAs:Si [Текст]: 3 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.3-4
|
| 2. | Ж14479 Савицкий Г. В Модернизация установки фотонного отжига полупроводниковых пластин "Оникс" [Текст]: 6 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.45-47
|
| 3. | Ж14161 Фодчук И. М. Влияние высокодозового облучения ионами <$Ebold roman N sup +> на кристаллическую структуру <$Ebold roman {Y sub 2,95 La sub 0,05 Fe sub 5 O sub 12 }> [] // Металлофизика и новейшие технологии, 2013. т.Т. 35,N № 7.-С.993-1004
|
| 4. | Ж14161 Фодчук И. М. Рентгеновская дифрактометрия структуры легированных лантаном железо-иттриевых гранатов после ионной имплантации [] // Металлофизика и новейшие технологии, 2013. т.Т. 35,N № 9.-С.1209-1222
|
Простий пошук
Віртуальна довідка