Пошуковий запит: (<.>A=Вайнберг В$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 10
Представлено документи з 1 до 10
|
1. | Ж60673 Алейников А. Б. Тепловое сопротивление германиевых термометров сопротивления в диапазоне температур 0,4 - 4,2 K [Текст]: Вып. 39 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.132-135
|
2. | Ж14063 Вайнберг В. В. Энергетические характеристики примеси бора в гетероструктурах <$E bold {{roman Si "/" roman S} sub 1-x {roman Ge} sub x> при селективном легировании в центре и на краю квантовых ям [Текст] 33: 10 // Физика низ. температур.-С.1143-1146
|
3. | Ж72631 Вайнберг В. В. Особенности магнитотранспорта в гетероструктурах с селективно легированными квантовыми ямами [] // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології, 2014. т.Т. 12,N Вип. 1.-С.19-28
|
4. | Ж14063 Вайнберг В. В. Влияние узких внутренних барьеров на низкотемпературную латеральную проводимость в квантовых ямах [] // Физика низких температур, 2014. т.Т. 40,N № 6.-С.685-691
|
5. | РА412182 Вайнберг В. В. Явища переносу в напівпровідникових селективно легованих гетероструктурах з різним типом квантових ям [Текст] : автореф. дис. ... д-ра фіз.-мат. наук : 01.04.07 / Вайнберг Віктор Володимирович ; НАН України, Ін-т фізики
|
6. | Ж14063 Вайнберг В. В. Магнитосопротивление композиционных углеродных сенсоров в сильных электрических полях в диапазоне температур жидкого гелия [] // Физика низких температур, 2017. т.Т. 43,N № 3.-С.451-455
|
7. | Ж14063 Вайнберг В. В. Влияние структуры на низкотемпературную электрическую проводимость углеродных нанокомпозитных температурных сенсоров [] // Фізика низ. температур, 2019. т.Т. 45,N № 10.-С.1294-1299
|
8. | Ж14063 Винославский М. Н. Влияние ширины барьера между двойными связанными квантовыми ямами GaAs/InGaAs/GaAs на биполярный транспорт и терагерцевое излучение горячими носителями в латеральном электрическом поле [] // Фізика низ. температур, 2020. т.Т. 46,N № 6.-С.755-761
|
9. | Ж14063 Вайнберг В. В. Влияние структуры на низкотемпературную электрическую проводимость углеродных нанокомпозитных температурных сенсоров [] // Фізика низ. температур, 2019. т.Т. 45,N № 10.-С.1294-1299
|
10. | Ж14063 Винославский М. Н. Влияние ширины барьера между двойными связанными квантовыми ямами GaAs/InGaAs/GaAs на биполярный транспорт и терагерцевое излучение горячими носителями в латеральном электрическом поле [] // Фізика низ. температур, 2020. т.Т. 46,N № 6.-С.755-761
|