Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24

Рубрики:

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

За допомогою проекційної рентгенівської топографії та оптичної мікроскопії на проходження і відбиття досліджено структурні дефекти в об'ємних кристалах (булях) карбіду кремнію, вирощених сублімаційним методом Лелі. Було виявлено лінійні дислокації, дислокаційні петлі, проникнення сторонніх фаз, трубчасті пори (мікротрубки) та блоки. Проаналізовано причини виникнення більшості дефектів у SiC-булях. Дослідження показали, що модифікований метод Лелі дає можливість одержувати достатньо досконалі об'ємні кристали карбіду кремнію з низькою щільністю дислокацій та мікротрубок.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.24

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

З використанням атомної силової мікроскопії та спектроскопії КРС встановлено залежності щільності, об'єму та форми Ge-наноострівців від товщини епітаксійного германієвого шару та температури кремнієвої підкладки. Підтверджено зв'язок бімодального розподілу острівців за розмірами з двома їх можливими рівноважними формами. Показано, що склад острівців є змішаним за рахунок дифузії атомів Si з кремнієвої підкладки і цей процес значно посилюється зі збільшенням температури росту.

Проведено комплексне дослідження самоіндукованих SiGe-наноострівців на кремнієвій підкладці, сформованих за різних температур молекулярно-променевої епітаксії. У результаті досліджень з допомогою атомно-силової мікроскопії встановлено залежності щільності, об'єму та форми наноострівців від температури епітаксії. З використанням спектроскопії комбінаційно розсіюваного світла та високороздільної рентгенівської дифрактометрії визначено усереднені величини пружних деформацій та компонентного складу острівців залежно від температури їх зростання. Показано, що під час збільшення температури епітаксії значно зростає дифузія Si в острівці і, як наслідок, розширюється область стабільності пірамідальних острівців з різними об'ємами.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.3 + В379.2

Рубрики:

Фізика діелектриків

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Изучены оптические свойства наночастиц CdSe, полученных в водных растворах и пленках полимеров при взаимодействии хлорида кадмия и селеносульфата натрия, охарактеризованы основные параметры реакционной смеси, позволяющие варьировать ширину их запрещенной зоны. Выполнен анализ спектров поглощения, фотолюминесценции, комбинационного рассеяния и нестационарного обесцвечивания наночастиц CdSe различного размера. Показано, что в условиях импульсного облучения наночастицы CdSe способны накапливать избыточные электроны и индуцировать редокс-превращения компонентов раствора - кислорода, метилвиологена и сульфит-ионов.

Виконано експериментальні та теоретичні дослідження водних колоїдних розчинів нанокристалів CdTe, поверхня яких пасивована тіогліколевою кислотою. Продемонстровано можливість пасивації телюрових граней нанокристала CdTe молекулами води. Побудовано енергетичну діаграму нанокристалів з врахуванням поверхневих станів, що виникають внаслідок пасивації поверхні. Вперше виявлено низькоенергетичний зсув максимуму фотолюмінесценції нанокристалів CdTe в околі фазового переходу рідина - лід, який пояснюється зростанням поверхневого заряду і пов'язаного з ним електричного поля при замерзанні розчину. Запропоновано модель, яка дозволяє якісно пояснити цей ефект.

Індекс рубрикатора НБУВ: Г122.425-24 + В345

Рубрики:

Сполуки кадмію з іншими елементами

Люмінесценція

Шифр НБУВ: Ж29112 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Г612.4 + Г614

Рубрики:

Оптичні властивості колоїдних систем

Методи здобування і очистки колоїдних систем

Шифр НБУВ: Ж29112 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Д450.033

Рубрики:

Скарнові (контактово-метасоматичні) родовища корисних копалин

Шифр НБУВ: Ж14388 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Г583.2 + Л623.4-106

Рубрики:

Адсорбція

Арилметанові (дифенілметанові та трифенілметанові) барвники

Шифр НБУВ: Ж100480 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24

Рубрики:

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Д453.3-2 с2

Рубрики:

Вугілля

Шифр НБУВ: Ж22412/а Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рассмотрены оптические явления в световодах и быстрорасширяющиеся области их применения. Стимулом стремительного развития опто-волоконных систем явилась оптическая связь, позволившая в миллиарды раз увеличить объем информации, передаваемой по одной волоконной линии по сравнению с обычной электропроводной линией. Приведены результаты технологии изготовления ультрачистого оптического стекла, рассмотрен прогресс в создании лазерных источников излучения и скоростных систем регистрации оптических сигналов.

15 січня виповнилося 100 років від дня народження знаного українського вченого в галузі оптики і спектроскопії, талановитого наставника молодих науковців, двічі лауреата Державної премії України в галузі науки і техніки (1981, 1986), заслуженого діяча науки і техніки України (1991), лауреата Золотої медалі ім. В. І. Вернадського НАН України (2010), доктора фізико-математичних наук (1961), професора, академіка НАН України (1982) Михайла Павловича Лисиці.