Пошуковий запит: (<.>A=Венгер Е$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 40
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. | Ж60673 Ширшов Ю. М. Биосенсор на основе планарного поляризационного волновода [Текст] / Ю. М. Ширшов, С. В. Свечников [et al.]: 33 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.44-51
|
| 2. | Ж26988 Булах Б. М. Дослідження фоточутливих структур поруватий кремній/монокремній методом температурних залежностей фото-едс [Текст] 45: 9 // Укр. фіз. журн.-С.1083-1086
|
| 3. | Ж60673 Богуславская Н. Н. Измерение электрофизических параметров тонких слоев карбида кремния методом спектроскопии ИК отражения [Текст]: Вып. 35 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.161-176
|
| 4. | Ж60673 Венгер Е. Ф. Исследование термоупругого двулучепреломления в твердых телах с применением модуляции поляризации [Текст]: 33 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.122-126
|
| 5. | ВА606302 Бушок Г. Ф.НАН Украины. Ин-т физики полупроводников. Винниц. гос. пед. ун-т им. М.Коцюбинского. Методика преподавания общей физики в высшей школе [Текст]
|
| 6. | Ж60673 Ширшов Ю. М. Оптимизация конструкции планарно-поляризационного интерферометра [Текст]: Вып. 34 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.170-177
|
| 7. | Ж14159 Васин А. В. Влияние остаточной атмосферы на формирование структуры пленок a-SiC при осаждении с помощью магнетронного распыления [Текст]: 3(119) // Сверхтвердые материалы.-С.18-25
|
| 8. | Ж60673 Венгер Е. Ф. Влияние отжига на электронные свойства реальной и сульфидированной поверхностей арсенида галлия [Текст]: 33 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.27-37
|
| 9. | Ж60673 Венгер Е. Ф. Влияние слоя оксида цинка на дисперсию и пространственное распределение полей поверхностных поляритонов сапфира в системе ZnO/Al2O3 [Текст]: Вып. 34 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.148-156
|
| 10. | ВА594687 Венгер Е. Ф.НАН Украины. Ин-т физики полупроводников. Межфазные взаимодействия и механизмы деградации в структурах металл - InP и металл - GaAs [Текст]
|
| 11. | Ж60673 Венгер Е. Ф. Пространственное распределение полей поверхностных поляритонов в системе окись цинка - сапфир [Текст]: 33 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.190-199
|
| 12. | Ж60673 Венгер Е. Ф. Численное моделирование влияния толщины покровного слоя и адсорбции молекул на угол распространения в планарном поляризационном интерферометре [Текст]: Вып. 34 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.142-148
|
| 13. | Ж60673 Венгер Е. Ф. Электронные свойства покрытой пленками CaF2 - SiO2 поверхности германия [Текст]: Вып. 34 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.30-36
|
| 14. | Ж20806 Заболотный Д. И. Новые возможности дистанционной инфракрасной термографии в оториноларингологии [Текст]: 5 // Журн. вуш., нос. і горл. хвороб.-С.2-5
|
| 15. | ВС44298 Венгер Е. Ф.Ин-т физики полупроводников им. В.Е.Лашкарева НАН Украины. Фотостимулированные процессы в халькогенидных стеклообразных полупроводниках и их практическое применение [Текст] : моногр.
|
| 16. | Ж60673 Корбутяк Д. В. Детекторы <$E bold X >- и <$E bold gamma >-излучений на основе монокристаллов CdTe и CdZnTe (Обзор) [Текст]: Вып. 36 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.5-34
|
| 17. | Ж16550 Костюкевич С. А. Исследование процесса мастеринга компакт-дисков на неорганических фоторезистах [Текст] / С. А. Костюкевич, П. Е. Шепелявый [и др.] 3: 4 // Реєстрація, зберігання і оброб. даних.-С.5-11
|
| 18. | Ж60673 Венгер Е. Ф. Сингулярні поверхневі поляритони монокристалів ZnO [Текст]: Вып. 38 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.71-77
|
| 19. | Ж60673 Венгер Е. Ф. Электронные состояния на границе раздела Si - SiO2: (обзор) [Текст]: Вып. 38 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.134-158
|
| 20. | Ж60673 Венгер Е. Ф. Эффект старения граничных электронных свойств кремния в гетеропереходах нано-/монокремний [Текст]: Вып. 36 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.49-56
|
| | |
Простий пошук
Віртуальна довідка