Віртуальна довідка Тематичний інтернет-навігатор Наукова електронна бібліотека Автореферати дисертацій Реферативна база даних Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання
|
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Формат представлення знайдених документів: | повний | стислий |
Пошуковий запит: (<.>A=Винославский М$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 2
Представлено документи з 1 до 2
|
| | | | |
1. |
Винославский М. Н. Влияние ширины барьера между двойными связанными квантовыми ямами GaAs/InGaAs/GaAs на биполярный транспорт и терагерцевое излучение горячими носителями в латеральном электрическом поле / М. Н. Винославский, П. А. Белевский, В. Н. Порошин, В. В. Вайнберг, Н. В. Байдусь // Фізика низ. температур. - 2020. - 46, № 6. - С. 755-761. - Библиогр.: 24 назв. - рус.Встановлено, що в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs з асиметричними подвійними тунельно-зв'язаними квантовими ямами за умов біполярної латеральної провідності польові залежності струму й інтегральної інтенсивності внутрізонної терагерцевої електролюмінесценції якісно відрізняються для різних товщин бар'єру між ямами. У випадку товстих (~ 50 ангстрем) бар'єрів за полів, менших полів нестійкостей ганівського типу, спостерігаються високочастотні коливання струму, а інтенсивність випромінювання монотонно зростає зі збільшенням поля у всьому дослідженому діапазоні полів (до 3 кВ/см). Для малої товщини (~ 30 ангстрем) бар'єрів осциляції струму практично відсутні, а інтенсивність випромінювання сильно зростає з полем за напруженостей більших ніж 1,5 - 2 кВ/см. Зростання інтенсивності випромінювання пояснюється додаванням до непрямих внутрішньопідзонних переходів прямих переходів електронів і дірок між підзонами розмірного квантування. Показано, що спостережені відмінності можуть бути пояснені різним відношенням часу міжзонної випромінювальної рекомбінації неосновних носіїв струму (дірок) у вузьких ямах та часу їх тунелювання в широкі ями, який залежить від товщини бар'єрів між ямами. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.1 + В379.27
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
2. |
Винославский М. Н. Влияние ширины барьера между двойными связанными квантовыми ямами GaAs/InGaAs/GaAs на биполярный транспорт и терагерцевое излучение горячими носителями в латеральном электрическом поле / М. Н. Винославский, П. А. Белевский, В. Н. Порошин, В. В. Вайнберг, Н. В. Байдусь // Фізика низ. температур. - 2020. - 46, № 6. - С. 755-761. - Библиогр.: 24 назв. - рус.Встановлено, що в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs з асиметричними подвійними тунельно-зв'язаними квантовими ямами за умов біполярної латеральної провідності польові залежності струму й інтегральної інтенсивності внутрізонної терагерцевої електролюмінесценції якісно відрізняються для різних товщин бар'єру між ямами. У випадку товстих (~ 50 ангстрем) бар'єрів за полів, менших полів нестійкостей ганівського типу, спостерігаються високочастотні коливання струму, а інтенсивність випромінювання монотонно зростає зі збільшенням поля у всьому дослідженому діапазоні полів (до 3 кВ/см). Для малої товщини (~ 30 ангстрем) бар'єрів осциляції струму практично відсутні, а інтенсивність випромінювання сильно зростає з полем за напруженостей більших ніж 1,5 - 2 кВ/см. Зростання інтенсивності випромінювання пояснюється додаванням до непрямих внутрішньопідзонних переходів прямих переходів електронів і дірок між підзонами розмірного квантування. Показано, що спостережені відмінності можуть бути пояснені різним відношенням часу міжзонної випромінювальної рекомбінації неосновних носіїв струму (дірок) у вузьких ямах та часу їх тунелювання в широкі ями, який залежить від товщини бар'єрів між ямами. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.1 + В379.27
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
|
|