Пошуковий запит: (<.>A=Гайдар Г$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 59
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. | ВА599507 Баранський П. І. Фізичні властивості кристалів кремнію та германію в полях ефективного зовнішнього впливу [Текст]
|
| 2. | ВС43630 Баранський П. І. Неоднорідності напівпровідників і актуальні задачі міждефектної взаємодії в радіаційній фізиці і нанотехнології [Текст] : Мононгр.
|
| 3. | Ж14846 Баранський П. І. Мікрогравітація і надвисокий вакуум - специфічні компоненти технологічного середовища і нові можливості напівпровідникової технології [Текст] 8: 4 // Косм. наука і технологія.-С.96-99
|
| 4. | Ж23042 Баранський П. І. Напівпровідникове матеріалознавство: досягнення, принципові і технологічні проблеми, перспективи [Текст]: 2 // Термоелектрика.-С.4-15
|
| 5. | Ж23042 Баранський П. І. Мікроаналіз внутрішньої структури квантових точок у зв'язку з оцінками Z термоелектроперетворювачів, створюваних на основі тривимірних надграток [Текст]: 4 // Термоелектрика.-С.55-60
|
| 6. | Ж26988 Варенцов М. Д. Відпал кластерів дефектів у зразках Si та <$E bold roman {Si symbol ... Ge symbol ъ}>, вирощених методом Чохральського [Текст] 52: 4 // Укр. фіз. журн.-С.372-377
|
| 7. | Ж60673 Баранський П. І. Електрично малоактивні домішки і проблема надвисокої чистоти напівпровідникових матеріалів Si і Ge: (Огляд) [Текст]: Вып. 40 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.34-46
|
| 8. | Ж69184/Фіз.-мат. Баранський П. І. Структурна досконалість бездислокаційних нелегованих об'ємних монокристалів Si, призначених для підкладинок при епітаксійному вирощуванні напівпровідникових наноструктур [Текст] Т.39 // Наук. зап. НаУКМА. Сер. Фіз.-мат. науки.-С.58-63
|
| 9. | Ж23042 Баранський П. І. На шляху від міфів до реалій в освоєнні високоефективних термоелектроперетворювачів, створюваних на основі використання досягнень нанофізики і нанотехнологій [Текст]: 2 // Термоелектрика.-С.46-54
|
| 10. | Ж25640 Долголенко А. П. Скорость введения дефектов в зависимости от дозы облучения p-Si быстрыми нейтронами реактора [Текст]: 2 // Ядер. фізика та енергетика.-С.89-96
|
| 11. | Ж25640 Долголенко А. П. Термический отжиг кластеров и точечных дефектов в n-Si (Cz), облученном быстрыми нейтронами реактора [Текст]: 2 // Ядер. фізика та енергетика.-С.73-80
|
| 12. | Ж26988 Гайдар Г. П. Термічний відпал радіаційних дефектів в n-Si, опроміненому швидкими нейтронами реактора [Текст] 53: 7 // Укр. фіз. журн.-С.691-696
|
| 13. | Ж23042 Баранський П. І. Стан і перспективи наноструктурних термоелектричних матеріалів [Текст]: 1 // Термоелектрика.-С.56-59
|
| 14. | РА313327 Гайдар Г. П.НАН України. Ін-т фізики напівпровідників. Особливості анізотропії розсіяння електронів у кристалах Si і Ge n-типу, що виникають під впливом направленої пружної деформації, термовідпалів і ядерної радіації [Текст] : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07.- URL: /ard/2001/
|
| 15. | Ж23042 Гайдар Г. П. Від нанокластерів до наноструктурованих матеріалів [Текст]: 4 // Термоелектрика.-С.12-27
|
| 16. | Ж26618 Баранський П. І. Радіаційна і термічна стійкість тонких шарів, гетеросистем і наноструктур, створюваних на основі елементарних напівпровідників і напівпровідникових сполук [Текст] 11: 3 // Фізика і хімія твердого тіла.-С.703-711
|
| 17. | Ж60673 Баранський П. І. Радіаційна і термічна стійкість тонких шарів, гетеросистем і наноструктур, створюваних на основі елементарних напівпровідників і напівпровідникових сполук [Текст]: Вып. 45 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.69-75
|
| 18. | Ж23042 Баранський П. І. Деякі термоелектричні особливості звичайних і трансмутаційно легованих кристалів кремнію [Текст]: 1 // Термоелектрика.-С.5-12
|
| 19. | Ж24835 Гайдар Г. П. На шляху до створення термоелектроперетворювачів на основі нанооб'єктів типу квантових точок, нанодротів і надграток [Текст] 3: 1 // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології.-С.20-35
|
| 20. | Ж23042 Баранський П. І. Анізотропія термоерс захоплення електронів фононами в n-Ge [Текст] / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар: 2 // Термоелектрика.-С.29-38
|
| | |
Простий пошук
Віртуальна довідка