Пошуковий запит: (<.>A=Глинчук К$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 12
Представлено документи з 1 до 12
|
| 1. | Ж60673 Глинчук К. Д. Анализ экситонной люминесценции полуизолирующих специально нелегированных кристаллов арсенида галлия [Текст]: Вып. 35 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.176-189
|
| 2. | Ж60673 Глинчук К. Д. Изменение положения максимума и полуширины низкотемпературной (77 К) краевой полосы люминесценции при вариации концентрации фоновых легкоионизируемых примесей С и Si в нелегированных полуизолирующих кристаллах GaAs [Текст]: 33 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.58-63
|
| 3. | Ж60673 Глинчук К. Д. Стимулированное углеродом увеличение концентрации дивакансий галлия в полуизолирующих нелегированных кристаллах арсенида галлия [Текст]: Вып. 34 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.166-169
|
| 4. | Ж60673 Глинчук К. Д. Анализ формы полосы люминесценции, обусловленной переходами свободных электронов на атомы углерода в полуизолирующих нелегированных кристаллах GaAs [Текст]: Вып. 35 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.95-109
|
| 5. | Ж60673 Глинчук К. Д. Влияние термообработки на люминесценцию полуизолирующих нелегированных кристаллов GaAs [Текст]: Вып. 35 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.37-48
|
| 6. | Ж60673 Глинчук К. Д. Определение концентрации углерода в полуизолирующих нелегированных кристаллах GaAs из анализа низкотемпературной (77 К) фотолюминесценции [Текст]: 33 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.204-212
|
| 7. | Ж60673 Глинчук К. Д. Анализ зависимостей интенсивностей обусловленных углеродом полос люминесценции в GaAs от температуры и интенсивности возбуждения [Текст]: Вып. 34 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.42-56
|
| 8. | Ж60673 Глинчук К. Д. Анализ зависимостей интенсивностей краевых полос люминесценции в CdTe и GaAs от интенсивности возбуждения [Текст]: Вып. 37 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.120-135
|
| 9. | Ж60673 Глинчук К. Д. Особенности определения концентраций мелких акцепторов и доноров в прямозонных полупроводниках из анализа низкотемпературных спектров краевой люминесценции [Текст]: Вып. 37 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.72-90
|
| 10. | Ж60673 Глинчук К. Д. Влияние легирования различными примесями на спектрометрические характеристики кристаллов <$E bold {{roman Cd} sub 1-x {roman Zn} sub x roman Te}> (x = 0,1), используемых для изготовления детекторов ядерного излучения [Текст]: Вып. 42 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.65-71
|
| 11. | Ж60673 Глинчук К. Д. О люминесцентном методе оценки качества кристаллов <$E bold {{roman Cd} sub 1-x {roman Zn} sub x roman Te}>, используемых для создания эффективных детекторов ядерного излучения [Текст]: Вып. 43 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.44-48
|
| 12. | Ж26988 Глинчук К. Д. Вплив <$E bold gamma>-опромінення на фотолюмінесценцію кристалів <$E bold {{roman Cd} sub 1-x {roman Zn} sub x roman Te}> [Текст] 55: 7 // Укр. фіз. журн.-С.777-783
|
Простий пошук
Віртуальна довідка