Пошуковий запит: (<.>A=КРУКОВСЬК$<.>+<.>A=АНАТОЛІЙ$<.>+<.>A=МИКОЛАЙОВИЧ$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 52
Представлено документи з 1 до 20
|
| |
1. | ВА606445 Козаков В. М.Нац. авіац. ун-т. Основи етичних знань [Текст] : Конспект лекцій
|
2. | Ж26618 Литовченко П. Г. Деградація <$Ebold { roman Al sub x roman Ga sub {1~-~x } }>As/GaAs гетеростуктур у <$Egamma>-полі <$Eroman bold {Co sup 60 }> [Текст] 4: 3 // Фізика і хімія твердого тіла.-С.474-480
|
3. | Ж14162 Розинський Д. Й. Енергоощадна технологія електротеплозабезпечення в ЖКГ і АПК України [Текст] 29: 4 // Пром. теплотехника.-С.96-107
|
4. | Ж29409/А Заячук Д. М. Керування концентрацією носіїв заряду в епітаксійних шарах AlGaAs для лазерних структур, вирощуваних методом низькотемпературної рідинно-фазної епітаксії [Текст]: 532 // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка". Електроніка.-С.24-28
|
5. | Ж26618 Круковський С. І. Механізм очистки епітаксійних шарів GaAs, InGaAsP під впливом комплексного легування розплавів рідкісноземельними елементами та алюмінієм в технології РФЕ [Текст] 7: 4 // Фізика і хімія твердого тіла.-С.751-762
|
6. | Ж26618 Заячук Д. М. Особливості одержання лазерних структур GaAs/AlGaAs методом РФЕ під впливом Yb [Текст] 6: 4 // Фізика і хімія твердого тіла.-С.661-665
|
7. | Ж29409/А Мрихін І. О. Світловипромінювальна гетероструктура InP/InGaAsP з віддаленим від гетерограниці плавним p - n-переходом [Текст]: 592 // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка". Електроніка.-С.80-87
|
8. | Ж29409/А Заячук Д. М. Формування буферних шарів GaAs для нарощування квантових точок методом низькотемпературної рідинно-фазної епітаксії [Текст]: 646 // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка". Електроніка.-С.71-76
|
9. | РА346621 Круковський С. І.Нац. ун-т "Львів. політехніка". Комплексно леговані структури на основі <$Eroman bold {A sub 3 B sub 5 }> [Текст] : Автореф. дис... д-ра техн. наук.- URL: /ard/2006/
|
10. | РА339932 Круковський О. П.НАН України. Ін-т геотехн. механіки ім. М.С.Полякова. Обгрунтування параметрів та умов застосування анкерного кріплення на вугільних шахтах [Текст] : Автореф. дис... канд. техн. наук : 05.15.09.- URL: /ard/2005/
|
11. | РА352908 Круковський М. Ю.НАН України. Ін-т пробл. мат. машин і систем. Побудова системи електронного документообігу на основі формальних моделей [Текст] : автореф. дис... канд. техн. наук.- URL: /ard/2007/
|
12. | РА346046 Круковський А. М.Миколаїв. держ. аграр. ун-т. Розвиток соціальної інфраструктури села в умовах аграрних трансформацій [Текст] : Автореф. дис... канд. екон. наук.- URL: /ard/2006/
|
13. | РА346483 Круковська В. В.НАН України. Ін-т геотехн. механіки ім. М.С.Полякова. Розробка методу розрахунку параметрів процесу фільтрації метану з урахуванням напружено-деформованого стану вуглепородного масиву, що підробляється [Текст] : Автореф. дис... канд. техн. наук.- URL: /ard/2006/
|
14. | РА352959 Круковська І. М.Житомир. держ. ун-т ім. І.Франка. Становлення і розвиток медичної освіти на Волині (ХІХ - 30-ті роки ХХ ст.) [Текст] : автореф. дис... канд. пед. наук.- URL: /ard/2007/
|
15. | ВА739188 Круковська І. М. Медична освіта на Волині (ХІХ - 30-ті рр. ХХ ст.) [Текст] : монографія
|
16. | РА384469 Круковська О. В.Полтав. держ. аграр. акад. Розвиток та підвищення ефективності ветеринарного обслуговування у тваринництві [Текст] : автореф. дис. ... канд. екон. наук : 08.00.03.- URL: /ard/2011/
|
17. | Ж29409/А Ваків М. М. Дослідження фазових рівноваг в системі Bi - InSb [Текст]: 708 // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка". Електроніка.-С.105-109
|
18. | Ж29409/А Ваків М. М. Експериментальне дослідження фазових рівноваг в системі Bi - InAs [Текст]: 681 // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка". Електроніка.-С.89-91
|
19. | Ж26618 Круковський С. І. Епітаксійні шари GaAs, отримані газофазною хлоридною епітаксією з використанням галієвого джерела, легованого ітербієм [Текст] 10: 3 // Фізика і хімія твердого тіла.-С.594-597
|
20. | Ж29409/А Ваків М. М. Низькотемпературна рідинно-фазна епітаксія p-Si шарів у складі p - i - n Si високовольтних структур [Текст]: 708 // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка". Електроніка.-С.50-54
|
| |