Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
у знайденому
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повний стислий
 Знайдено в інших БД:Автореферати дисертацій (7)Книжкові видання та компакт-диски (63)Журнали та продовжувані видання (10)
Пошуковий запит: (<.>A=КРУКОВСЬК$<.>+<.>A=АНАТОЛІЙ$<.>+<.>A=МИКОЛАЙОВИЧ$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 52
Представлено документи з 1 до 20
...
1.ВА606445 Козаков В. М.Нац. авіац. ун-т. Основи етичних знань [Текст] : Конспект лекцій
2.Ж26618 Литовченко П. Г. Деградація <$Ebold { roman Al sub x roman Ga sub {1~-~x } }>As/GaAs гетеростуктур у <$Egamma>-полі <$Eroman bold {Co sup 60 }> [Текст] 4: 3 // Фізика і хімія твердого тіла.-С.474-480
3.Ж14162 Розинський Д. Й. Енергоощадна технологія електротеплозабезпечення в ЖКГ і АПК України [Текст] 29: 4 // Пром. теплотехника.-С.96-107
4.Ж29409/А Заячук Д. М. Керування концентрацією носіїв заряду в епітаксійних шарах AlGaAs для лазерних структур, вирощуваних методом низькотемпературної рідинно-фазної епітаксії [Текст]: 532 // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка". Електроніка.-С.24-28
5.Ж26618 Круковський С. І. Механізм очистки епітаксійних шарів GaAs, InGaAsP під впливом комплексного легування розплавів рідкісноземельними елементами та алюмінієм в технології РФЕ [Текст] 7: 4 // Фізика і хімія твердого тіла.-С.751-762
6.Ж26618 Заячук Д. М. Особливості одержання лазерних структур GaAs/AlGaAs методом РФЕ під впливом Yb [Текст] 6: 4 // Фізика і хімія твердого тіла.-С.661-665
7.Ж29409/А Мрихін І. О. Світловипромінювальна гетероструктура InP/InGaAsP з віддаленим від гетерограниці плавним p - n-переходом [Текст]: 592 // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка". Електроніка.-С.80-87
8.Ж29409/А Заячук Д. М. Формування буферних шарів GaAs для нарощування квантових точок методом низькотемпературної рідинно-фазної епітаксії [Текст]: 646 // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка". Електроніка.-С.71-76
9.РА346621 Круковський С. І.Нац. ун-т "Львів. політехніка". Комплексно леговані структури на основі <$Eroman bold {A sub 3 B sub 5 }> [Текст] : Автореф. дис... д-ра техн. наук.- URL: /ard/2006/
10.РА339932 Круковський О. П.НАН України. Ін-т геотехн. механіки ім. М.С.Полякова. Обгрунтування параметрів та умов застосування анкерного кріплення на вугільних шахтах [Текст] : Автореф. дис... канд. техн. наук : 05.15.09.- URL: /ard/2005/
11.РА352908 Круковський М. Ю.НАН України. Ін-т пробл. мат. машин і систем. Побудова системи електронного документообігу на основі формальних моделей [Текст] : автореф. дис... канд. техн. наук.- URL: /ard/2007/
12.РА346046 Круковський А. М.Миколаїв. держ. аграр. ун-т. Розвиток соціальної інфраструктури села в умовах аграрних трансформацій [Текст] : Автореф. дис... канд. екон. наук.- URL: /ard/2006/
13.РА346483 Круковська В. В.НАН України. Ін-т геотехн. механіки ім. М.С.Полякова. Розробка методу розрахунку параметрів процесу фільтрації метану з урахуванням напружено-деформованого стану вуглепородного масиву, що підробляється [Текст] : Автореф. дис... канд. техн. наук.- URL: /ard/2006/
14.РА352959 Круковська І. М.Житомир. держ. ун-т ім. І.Франка. Становлення і розвиток медичної освіти на Волині (ХІХ - 30-ті роки ХХ ст.) [Текст] : автореф. дис... канд. пед. наук.- URL: /ard/2007/
15.ВА739188 Круковська І. М. Медична освіта на Волині (ХІХ - 30-ті рр. ХХ ст.) [Текст] : монографія
16.РА384469 Круковська О. В.Полтав. держ. аграр. акад. Розвиток та підвищення ефективності ветеринарного обслуговування у тваринництві [Текст] : автореф. дис. ... канд. екон. наук : 08.00.03.- URL: /ard/2011/
17.Ж29409/А Ваків М. М. Дослідження фазових рівноваг в системі Bi - InSb [Текст]: 708 // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка". Електроніка.-С.105-109
18.Ж29409/А Ваків М. М. Експериментальне дослідження фазових рівноваг в системі Bi - InAs [Текст]: 681 // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка". Електроніка.-С.89-91
19.Ж26618 Круковський С. І. Епітаксійні шари GaAs, отримані газофазною хлоридною епітаксією з використанням галієвого джерела, легованого ітербієм [Текст] 10: 3 // Фізика і хімія твердого тіла.-С.594-597
20.Ж29409/А Ваків М. М. Низькотемпературна рідинно-фазна епітаксія p-Si шарів у складі p - i - n Si високовольтних структур [Текст]: 708 // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка". Електроніка.-С.50-54
...
 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського