Індекс рубрикатора НБУВ: В371

Рубрики:

Теорії твердого тіла

Шифр НБУВ: ДС44860 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В371

Рубрики:

Теорії твердого тіла

Шифр НБУВ: ДС44860 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В371

Рубрики:

Теорії твердого тіла

Шифр НБУВ: ДС44860 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В371

Рубрики:

Теорії твердого тіла

Шифр НБУВ: ДС44860 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В38я44

Шифр НБУВ: В346485 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З368.4-7с108

Рубрики:

Теплові труби

Шифр НБУВ: Ж14309 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Приведены конструкции и параметры унифицированных редукторов и мотор-редукторов. Представлены созданные универсальные геометрические модели данных изделий и их основных частей, отражающие современную компьютерную технологию проектирования. Предложены конструкции оригинальных редукторов, используемых в приводе машин.

Рассмотрены особенности построения оптических систем тепловизионных устройств с пироэлектрическими приемниками излучения. Показано, что для достижения минимального значения температурного контраста необходимо увеличить площадь объектива передающей камеры и его спектральное пропускание.

Індекс рубрикатора НБУВ: Р458.2

Рубрики:

Ортопедія і протезування

Шифр НБУВ: Ж26813 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Вивчено репаративний остеогенез після направленого перелому у собак. Установлено, що структурна організація процесів в оперованій кістці якісно та кількісно змінюється, причому зростає об'єм кісткової тканини в інтермедіарному просторі за наявності активного формування ендостальної мозолі та незначних за об'ємом і періостальних нашарувань, які зазнають швидкої осефиксації.

Індекс рубрикатора НБУВ: Р458.285.1

Рубрики:

Деформації і функціональні порушення кульшового суглоба і стегна

Шифр НБУВ: Ж26813 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Н820.1

Рубрики:

Загальні проблеми планування і забудови міст

Шифр НБУВ: Ж69861 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рассмотрены тенденции пространственной урбанизации приморских территорий и ее различные формы. Определена факторная зависимость формирования планировочной структуры приморских городов и агломераций от природно-климатических, исторических и социально-экономических предпосылок их развития. Изложены методические положения программы формирования приморских общественных центров как элементов планировочной структуры приморских городов и агломераций. Освещены особенности архитектурно-планировочной организации приморских агломераций в условиях Ливана и других стран.

Розроблено методику моделювання поведінки систем у просторі приростів параметрів, за допомогою якої можна розв'язати задачу визначення області зміни первинних параметрів, за якої зберігається властивість стійкості нелійних нестаціонарних систем. Одержано модель нелінійного процесу дефекосатурації, для якої знайдено розв'язок в аналітичному вигляді та за невеликих обчислювальних затрат розраховано реакції об'єкта у разі різних завад, досліджено динаміку багатостадійного технологічного процесу очистки дифузійного соку у всій допустимій області зміни параметрів. Одержано математичну модель процесу фільтрації соку на технологічному обладнанні періодичної дії, яка дозволяє виконувати аналітичні розрахунки системи керування. Запропоновано спосіб послідовного оцінювання параметрів складних технологічних процесів, що значно зменшує кількість обчислень та підвищує їх точність, а також спосіб автоматичного керування дефекосатурацією, який дозволяє досягти високої якості виділення нецукрів з дифузійного соку за значних коливань температури у технологічних апаратах під дією зовнішніх збурень. Розроблено спосіб автоматичного управління фільтрами періодичної дії, який забезпечує повну регенерацію фільтрів за значних коливань щільності та складу суспензій.

Індекс рубрикатора НБУВ: Ж619-1

Рубрики:

Одержання плівок

Шифр НБУВ: Ж14159 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Діагностовано щільність регенерату з використанням методу спіральної комп'ютерної томографії у хворих з переломами кісток та їх наслідками, які лікувались за допомогою апаратів зовнішньої фіксації. Обстежено 6 хворих. Відзначено високу діагностичну цінність спіральної комп'ютерної томографії та можливість точного кількісного визначення щільності регенерату, незважаючи на наявність металевих апаратів зовнішньої фіксації.

Розглянуто особливості організації та управління містобудівним проектуванням в Шотландії, структуру Регіональних і районних містобудівних рад, а також цілі та задачі роботи Управління містобудування Единбурга.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Описаны исследования характеристик кремниевых диффузионных резисторов при протекании через них импульсов тока с плотностью вплоть до разрушающей. Исследованы переходные процессы при включении резисторов. Полученные результаты позволили объяснить характерные особенности различных участков вольт-амперных характеристик. Предложена физическая модель, описывающая закономерности, происходящие в кремниевых резисторах.

Silicon diffusion resistor characteristics are described at current pulses flowing with current densities up to destructive. The transitional processes at resistor turning on were discovered. The results obtained allowed us to explain the characteristic features of the I-V curve different sections. The physical model explaining the regularities in the silicon resistors was suggested.

Исследованы колебания напряжения и тока в полевых транзисторах, изготовленных по технологии "кремний-на-изоляторе". Показано, что изменением условий питания транзистора можно в широких пределах (0,1 - 1 МГц) изменять частоту колебаний, а также их характер - от квазигармонических до релаксационных, т. е. использовать такой транзистор в роли генератора колебаний напряжения. Установлено, что эти колебания обусловлены физическими процессами, которые происходят непосредственно в транзисторе. Приведено качественное описание этих процессов.

Oscillation of voltage and current in SOI transistors was investigated in the presented article. It was shown that both the oscillation frequency in the wide range (0,1-1 MHz) and the oscillation nature from quasi-harmonic to relaxation oscillation could be changed by transistor power supply variation. It was proved that the oscillation discussed occurs through the physical processes directly related to transistor. Qualitative description of these processes is shown in this paper.