Індекс рубрикатора НБУВ: В372.31 в732.8

Рубрики:

Дефекти

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.313

Рубрики:

Дислокації

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.21 + В379.24

Рубрики:

Наноструктури

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено фізико-хімічні властивості високодисперсних систем на основі металічних (кадмій, телур) і напівпровідникових матеріалів (кадмій телурид), одержаних за допомогою плазмоелектрохімічного методу. Показано, що одержані системи складаються з частинок різного розміру, а в окремих випадках існують у двох поліморфних модифікаціях.

Розглянуто сучасні методи структурної діагностики напівпровідникових кристалів багатошарових гетероструктур. Викладено основи теорії розсіяння рентгенівських променів. Подано інформацію про методи багатовісьової багатокристальної дифрактометрії та їх можливості на прикладах конкретних герероструктур. На прикладі картографування оберненого простору з використанням дозволених і квазізаборонених рефлексів визначено структурні параметри епітаксійних плівок GaN, зокрема кут повороту мозаїчних блоків і густини крайових дислокацій. Наведено приклади використання методів рентгенівської топографії в досліджені напівпровідникових матеріалів.

Систематизированы и обобщены результаты анализа особенностей технологии объемных нитридгаллиевых слоев на сапфировых и карбидкремниевых подложках, а также физико-технологических, модельных и теоретических исследований омических контактов к нитриду галлия. Впервые подробно рассмотрены температурные зависимости удельного контактного сопротивления омических контактов с высокой плотностью дислокаций в приконтактной области нитрида галлия.

Методами рентгеновской рефлектометрии и дифрактометрии исследованы пленки Au и por-Au, полученные методом импульсного лазерного осаждения. Определены их основные структурные параметры: плотность (пористость), толщина, шероховатость. Показано, что дополнительные измерения параметра решетки пленок золота позволяют более корректно определить величину их пористости.

Індекс рубрикатора НБУВ: К234.102.6 + К663.030.022 + В371.236

Рубрики:

Тонкі шари (плівки) золота та його сплавів

Металізація металів у вакуумі

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розроблено технологію синтезу нанокристалів (НК) CdS:Cu і CdS:Zn у полімерних матрицях; проведено комплексні дослідження спектрів оптичного поглинання, фотолюмінесценції та рентгеноструктурного аналізу НК CdS залежно від концентрації введених домішок Cu і Zn у межах (1 - 10) %. Встановлено, що домішка Cu зосереджується на поверхні НК, пасивуючи дефекти вакансійного типу, які є поверхневими випромінювальними центрами. Домішка цинку, навпаки, проникає в об'єм НК CdS, створюючи додаткові поверхневі дефекти - центри випромінювальної рекомбінації. Внаслідок цього постійна кристалічної гратки НК CdS зменшується від d = 0,585 нм (для нелегованих НК CdS) до d = 0,581 нм (для легованих цинком НК CdS до рівня NZn = 10 %).

Созданы физические основы и, в результате, новый комбинированный метод рентгеноакустической неразрушающей количественной и впервые многопараметрической диагностики микродефектов нескольких типов в монокристаллах. Разработанная для этой цели теоретическая модель использует открытое авторами явление уникальной чувствительности к характеристикам дефектов как полной интегральной интенсивности динамической дифракции, так и характера ее зависимостей от дифракционных условий, в частности, зависимостей от амплитуды ультразвуковых колебаний. При этом чувствительность и информативность этих зависимостей существенно усиливаются целенаправленным комбинированием измерений в различных других условиях дифракции. Такая возможность принципиально отсутствует при кинематическом рассеянии.

Розглянуто нанокластери Ge, вирощені за допомогою методу молекулярно-променевої епітаксії на хімічно окисненій поверхні Si(001) за температури 700 градусів за Цельсієм. За дифракцією рентгенівських променів і спектроскопією фотопровідності вперше виявлено, що нанокластери мають кристалічну структуру з об'ємоцентрованою тетрагональною граткою, яка має край власного поглинання поблизу 0,48 еВ за 50 K. Нанесення Si на поверхню з нанокластерами Ge призводить до реконструкції поверхні та формування полікристалічного покриття з кубічною граткою, а об'єм нанокластерів стає твердим розчином SiGe із тетрагональною граткою. Край власного поглинання завдяки перемішуванню Si - Ge зазнав зсуву до 0,73 еВ. Обгрунтовано можливий механізм росту нанокластерів.

Уникальная чувствительность зависимостей картин многократного брэгговского и диффузного рассеяния от различных условий дифракции к характеристикам дефектов была обнаружена в [1]. Комбинированная обработка необходимых наборов этих зависимостей обеспечивает исключительную информативность диагностики. Показано, что в эксперименте в различных условиях дифракции это проявляется как многообразность динамической картины рассеяния при фиксированной дефектной структуре кристалла. При этом указанная многообразность оказывается индивидуальной для каждого типа дефектов в кристаллах. В результате появляется возможность рассмотрения рентгеновских или нейтронных дифракционных измерений для одного образца с несколькими типами дефектов, полученных в разных условиях динамической дифракции, в качестве независимых экспериментальных данных, что позволяет однозначно решать многопараметрическую обратную задачу рассеяния - восстанавливать параметры одновременно нескольких типов дефектов, присутствующих в кристаллах, по нескольким картинам дифракции. Решение указанной многопараметрической задачи для систем со сложной дефектной структурой путем совместной обработки необходимого набора независимых экспериментальных данных положено в основу нового поколения кристаллографии - многопараметрической диффузно-динамической комбинированной дифрактометрии, которая обосновывается и развивается.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.2

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Исследованы физические методы диагностики в микро- и наноэлектронике: методы рентгеновской дифракционной диагностики полупроводниковых материалов и структур, используемых в производстве СБИС и ряда дискретных полупроводниковых приборов, а также полупроводниковых структур с квантовыми точками, квантовыми ямами, сверхрешетками и др. Рассмотрены методы математического моделирования механизмов токопереноса в контактах металл-полупроводник с высокой плотностью дислокаций в приконтактной области полупроводника. Рассмотрено физико-статистическое моделирование отказов в задачах диагностики полупроводниковых приборов.

Раскрыта физическая природа и разработаны принципы практического применения обнаруженного недавно явления уникальной структурной чувствительности и информативности зависимостей от условий дифракции картины многократного брэгговского и диффузного рассеяния рентгеновских лучей, нейтронов, электронов и других заряженных частиц в монокристаллах с дефектами. Это явление принципиально отсутствует при однократном рассеянии, т.е. в случае кинематической дифракции. Показывается, что эта обнаруженная по существу зависимость от условий дифракции характера влияния дефектов на картину динамического рассеяния проявляется как уникально чувствительная к дефектам многообразность картины при ее экспериментальном наблюдении в различных дифракционных условиях. Утверждается, что это явление обусловлено формированием кристаллом с дефектами в процессе многократного рассеяния самоорганизованных стоячих брэгговского и диффузных волновых полей, управляемых условиями дифракции и зависящих от характеристик дефектов. Формирование такого зонда с атомно-размерной периодичностью и соответствующей уникальной разрешающей способностью обеспечивает сильную зависимость характера последующего многократного взаимодействия кристалла с этим волновым полем от их взаимной локализации, которые (и взаимодействие, и локализация) управляются как условиями дифракции, так и характеристиками дефектов. В результате динамическая картина рассеяния оказывается зависящей от условий дифракции и характеристик дефектов взаимосвязанным образом (в отличие от кинематического случая).

Приведены результаты комплексных исследований кристаллического материала для солнечной энергетики разных производителей, в которых применены следующие методы: рентгеновская дифрактометрия (для изучения типа и концентрации дефектов), масс-спектроскопия (для определения концентрации легирующих и рекомбинационно-активных примесей), инфракрасная спектроскопия (для определения типа и связанного состояния кислорода), спектроскопия поверхностной фотоэдс и других фотоэффектов (для определения характеристик фоточувствительности солнечного материала), а также локальная спектроскопия комбинационного рассеяния (для определения механических напряжений и их пространственного распределения). Установлено, что образцы солнечного кремния разных производителей могут отличаться по фоточувствительности на порядки величин, несмотря на то, что их примесный состав отличается незначительно. Рассмотрены возможные причины, приводящие к деградации времени жизни неравновесных носителей заряда.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227 + В372.134

Рубрики:

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Дифракція рентгенівських променів в кристалах

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

За допомогою методів високороздільчої рентгенівської дифрактометрії виконано кількісну характеризацію складних мікродефектних структур у кристалах кремнію, вирощених за методом Чохральського і опромінених різними дозами високоенергетичних електронів (18 МеВ). На підставі результатів характеризації, що виконувалася з використанням формул статистичної динамічної теорії дифракції рентгенівських променів у недосконалих кристалах з випадково розподіленими мікродефектами декількох типів, визначено дозові залежності концентрацій та середніх розмірів дислокаційних петель і приєднаних до них після опромінення міжвузловинних атомів кремнію.

У процесі аналізу кривих дифракційного відбиття, що виміряне на високорозрізняльному двокристальному рентгеновому дифрактометрі, виконано кількісну характеризацію складних мікродефектних структур у кристалах кремнію, відпалених за різних температур протягом 50 год. На підставі результатів характеризації, що виконано з використанням формул динамічної теорії дифракції рентгенових променів у недосконалих кристалах із випадково розподіленими мікродефектами декількох типів, визначено температурні залежності концентрацій і середніх розмірів преципітатів кисню та дислокаційних петель.