Пошуковий запит: (<.>A=Круковский С$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 16
Представлено документи з 1 до 16
|
| 1. | Ж14479 Круковский С. И. Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs - InGaAs - AlGaAs [Текст]: 6 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.23-26
|
| 2. | Ж14479 Вакив Н. М. Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs [Текст]: 3 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.40-45
|
| 3. | Ж14479 Вакив Н. М. Датчики Холла на основе структур GaAs, полученных низкотемпературной ЖФЭ из расплавов Bi [Текст]: 3 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.34-37
|
| 4. | Ж14479 Николаенко Ю. Е. Получение тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии [Текст]: 3 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.27-29
|
| 5. | Ж14479 Круковский С. И. Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии [Текст]: 6 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.30-32
|
| 6. | Ж14479 Струхляк Н. Я. Светоизлучающие диоды белого света: состояние и основные тенденции развития [Текст]: 3 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.3-11
|
| 7. | Ж14479 Круковский С. И. Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами [Текст]: 2 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.47-51
|
| 8. | Ж14162 Круковский П. Г. Анализ погрешностей измерения кремниевого датчика температуры [Текст] 24: 2-3 // Пром. теплотехника.-С.154-159
|
| 9. | Ж28347 Шевченко М. П. Формирование свойств канатной проволоки в процессе эксплуатации армоканатов [Текст]: 5 // Металлург. и горноруд. пром-сть.-С.48-49
|
| 10. | Ж14479 Вакив Н. М. Свойства двойных гетеропереходов <$Ebold roman p sup +>-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии [Текст] / Н. М. Вакив, С. И. Круковский [et al.]: 2 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.27-30
|
| 11. | Ж14479 Вакив Н. М. Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p{\up\fs8 +}-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии [] // Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2014,N № 2/3.-С.61-66
|
| 12. | Ж14479 Вакив Н. М. Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p-i-n-структур методом ЖФЭ [] // Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2013,N № 6.-С.41-45
|
| 13. | ДС41753сл Круковский С. И. Тонкие и субмикронные слои на основе Ca As, полученные из растворов в расплаве висмута [Текст] : Дис...канд.техн.наук:01.04.10 / Круковский Семен Иванович ; Херсонский индустриальный ин-т
|
| 14. | ДС41753сл Круковский С. И. Тонкие и субмикронные слои на основе Ca As, полученные из растворов в расплаве висмута [Текст] : Дис...канд.техн.наук:01.04.10 / Круковский Семен Иванович ; Херсонский индустриальный ин-т
|
| 15. | ДС41753сл Круковский С. И. Тонкие и субмикронные слои на основе Ca As, полученные из растворов в расплаве висмута [Текст] : Дис...канд.техн.наук:01.04.10 / Круковский Семен Иванович ; Херсонский индустриальный ин-т
|
| 16. | ДС41753сл Круковский С. И. Тонкие и субмикронные слои на основе Ca As, полученные из растворов в расплаве висмута [Текст] : Дис...канд.техн.наук:01.04.10 / Круковский Семен Иванович ; Херсонский индустриальный ин-т
|
Простий пошук
Віртуальна довідка