Пошуковий запит: (<.>A=Круковський С$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 17
Представлено документи з 1 до 17
|
| 1. | Ж26618 Литовченко П. Г. Деградація <$Ebold { roman Al sub x roman Ga sub {1~-~x } }>As/GaAs гетеростуктур у <$Egamma>-полі <$Eroman bold {Co sup 60 }> [Текст] 4: 3 // Фізика і хімія твердого тіла.-С.474-480
|
| 2. | Ж29409/А Заячук Д. М. Керування концентрацією носіїв заряду в епітаксійних шарах AlGaAs для лазерних структур, вирощуваних методом низькотемпературної рідинно-фазної епітаксії [Текст]: 532 // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка". Електроніка.-С.24-28
|
| 3. | Ж26618 Круковський С. І. Механізм очистки епітаксійних шарів GaAs, InGaAsP під впливом комплексного легування розплавів рідкісноземельними елементами та алюмінієм в технології РФЕ [Текст] 7: 4 // Фізика і хімія твердого тіла.-С.751-762
|
| 4. | Ж26618 Заячук Д. М. Особливості одержання лазерних структур GaAs/AlGaAs методом РФЕ під впливом Yb [Текст] 6: 4 // Фізика і хімія твердого тіла.-С.661-665
|
| 5. | Ж29409/А Мрихін І. О. Світловипромінювальна гетероструктура InP/InGaAsP з віддаленим від гетерограниці плавним p - n-переходом [Текст]: 592 // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка". Електроніка.-С.80-87
|
| 6. | Ж29409/А Заячук Д. М. Формування буферних шарів GaAs для нарощування квантових точок методом низькотемпературної рідинно-фазної епітаксії [Текст]: 646 // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка". Електроніка.-С.71-76
|
| 7. | РА346621 Круковський С. І.Нац. ун-т "Львів. політехніка". Комплексно леговані структури на основі <$Eroman bold {A sub 3 B sub 5 }> [Текст] : Автореф. дис... д-ра техн. наук.- URL: /ard/2006/
|
| 8. | Ж29409/А Ваків М. М. Дослідження фазових рівноваг в системі Bi - InSb [Текст]: 708 // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка". Електроніка.-С.105-109
|
| 9. | Ж29409/А Ваків М. М. Експериментальне дослідження фазових рівноваг в системі Bi - InAs [Текст]: 681 // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка". Електроніка.-С.89-91
|
| 10. | Ж26618 Круковський С. І. Епітаксійні шари GaAs, отримані газофазною хлоридною епітаксією з використанням галієвого джерела, легованого ітербієм [Текст] 10: 3 // Фізика і хімія твердого тіла.-С.594-597
|
| 11. | Ж29409/А Ваків М. М. Низькотемпературна рідинно-фазна епітаксія p-Si шарів у складі p - i - n Si високовольтних структур [Текст]: 708 // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка". Електроніка.-С.50-54
|
| 12. | Ж60673 Круковський С. І. Властивості подвійних гетеропереходів <$E bold p sup +>-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів [Текст] / С. І. Круковський, А. В. Сукач [et al.]: Вып. 46 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.74-80
|
| 13. | Ж26618 Круковський С. І. Електричні властивості подвійних гетероструктур InP/InGaAsP [Текст] 12: 4 // Фізика і хімія твердого тіла.-С.1097-1101
|
| 14. | Ж29409/А Ваків М. М. Отримання слабколегованих кремнієм товстих шарів i-GaAs методом рідинно-фазної епітаксії [] // Вісник Національного університету "Львівська політехніка", 2013,N № 764:Електроніка.-С.102-106
|
| 15. | Ж60673 Круковський С. І. Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів <$E bold {p sup + - roman InP "/" n - roman InGaAsP "/" n - roman InP}> [] // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2012,N Вып. 47.-С.64-69
|
| 16. | Ж22412/а Сизов Ф. Ф. Вплив нейтронного опромінення на характеристики світлодіодів <$E bold {{roman Al} sub x {roman Ga} sub 1-x roman As}> [] // Доповіді Національної академії наук України, 2009,N № 5.-С.87-93
|
| 17. | Ж100357 Круковський С. І. Формування варізонної активної області фотоелектричного перетворювача на основі твердих розчинів AlGaAs модуляцією потоку триметилалюмінію в методі МОС-гідридної епітаксії [] // Журнал нано- та електронної фізики, 2018. т.Т. 10,N № 3.-С.03025-1-03025-5
|
Простий пошук
Віртуальна довідка