Індекс рубрикатора НБУВ: В371.211 + В378.73 + З85-03

Рубрики:

Консолідовані наноструктури <Тіла тверді >

Магнітні властивості металів

Електроніка

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.21

Рубрики:

Наноструктури

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: К232.302.6 + К234.302.6

Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: К202.6

Рубрики:

Тонкі шари (плівки) металів і сплавів

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Наведено експериментальні результати щодо електропровідності та магніторезистивних властивостей шаруватих структур на основі Fe та SiO, одержаних за допомогою методу пошарового електронно-променевого осадження у вакуумі. Показано, що величина питомого опору залежить від ефективної товщини шарів Fe, що зумовлено розмірними ефектами у плівкових матеріалах. Магніторезистивний ефект для свіжосконденсованих і відпалених шаруватих структур має анізотропний характер, а його величина не перевищує 0,1 % за кімнатної температури.

Присвячено комплексному дослідженню фізичних властивостей приладових структур сформованих на основі тонких плівок Ru і Со та взаємозв'язку особливостей структурно-фазового стану та розмірних ефектів в електрофізичних і магніторезистивних властивостях як одношарових плівок Ru та Со, так і плівкових систем на їх основі, отриманих методами магнетронного та електронно-променевого осадження. Додатково пояснюються фізичні процеси, що виникають у разі заліковування дефектів в одношарових плівках під час термічної обробки під час дослідження їх електрофізичних властивостей. Установлено, що для отримання однофазних тонких плівок ГЩП-Ru без слідів оксиду однією з необхідних умов є значення товщини зразка d > 10 нм та додаткова послідуюча термічна обробка до 900 К. За даних умов параметри решітки становлять а = (0,270 ± 0,001) нм та с = (0,430 ± 0,001) нм і є близькими до табличних значень для Ru у масивному стані. Уперше були проведені дослідження електрофізичних властивостей тонких плівок Ru у широкому інтервалі ефективних товщин та температур та розраховані значення енергії активації заліковування дефектів Ет згідно з методикою Венда. Встановлено, що піки на графіках залежностей спектрів дефектів кристалічної гратки відповідають енергіям заліковування дефектів вакансійного типу. Значення Ет лежать у межах (0,4 - 0,9) еВ і є величиною обернено пропорційною товщині зразка d. Показано, що явище протікання процесів термостабілізації у плівках Ru за товщин 10-100 нм призводить до незворотнього зменшення величини питомого опору порівняно із щойносконденсованими зразками у 1,58 - 2,22 разів відповідно. У структурах сформованих на основі Ru і Со було встановлено, що розділення двох магнітних шарів Со прошарком Ru викликає появу між ними непрямої антиферомагнітної взаємодії. Особливістю даних структур є те, що за умови послідуючої термічної обробки до 600 К, фіксується перехід до ізотропного характеру МО, який ґрунтується на реалізації спін-залежного розсіювання електронів провідності. Проведено комплекс досліджень магніторезистивних властивостей спін-клапанних структур сформованих на основі тонких плівок Со і Ru або ж Со і Си, який дав змогу створити температурно-стабільні чутливі елементи датчиків магнітних полів, які виконані у вигляді модифікованої структури. Представлені у роботі моделі можуть слугувати для фіксації зміни величини магнітоопору в діапазоні (0,02 - 1) % та працювати в інтервалі магнітних полів до 500 мТл.