Описано процеси формування діодних структур у монокристалах антимоніду індію. Розглянуто два варіанта конструкції фотодіодних структур: планарний діод та мезаструктура Показано, що вибрані технологічні параметри (доза імплантації берилію, енергія імплантації, режими відпалів) забезпечують формування структур, чутливих до інфрачервоного випромінювання. Запропонована технологія мезаструктур має такі переваги: зворотні струми для планарного діода є значно більшими, діоди з мезаструктурою мають більшу чутливість і значно менші темнові струми.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.31 в732.8

Рубрики:

Дефекти

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Викладено результати дослідження впливу іонної імплантації на структурно-деформаційний стан надграток AlN/GaN, приповерхневих шарів монокристалів InSb і GaN та розробки методик рентгенодифракційного аналізу цих ефектів. Розглянуто підхід до моделювання рентгенодифракційних спектрів в іонно-імплантованих кристалах InSb і GaN та методику відтворення профілів деформації в них. Проведено детальний аналіз неідеальних надграткових структур AlN/GaN з неоднорідностями товщини шарів НГ та з врахуванням впливу дислокацій. Показано, що розраховані з одночасним врахуванням цих порушень структури спектри для AlN/GaN НГ добре пояснюють спостережуване на експериментальних спектрах розширення і асиметрію піків сателітів, особливо для рефлексів вищих порядків. Встановлено, що іонна імплантація – потужний метод для трансформації структурного і деформаційного стану градієнтних шарів і НГ.