Исследована проблема патогенеза, дифференциальной диагностики и лечения доброкачественных и предраковых гиперпластических процессов эндометрия.

Раскрыты инвариантные характеристики эдукологии как междисциплинарной науки об организации и осуществлении образовательных процессов. Определены предмет, закономерности и принципы эдукологии.

Предложен реагентный способ предотвращения образования новых и постепенного устранения старых солевых отложений (накипи) на внутренних стенках труб и внутренних поверхностях теплообменников горячего водоснабжения тепловых пунктов. Высокий уровень отложений солей возникает при их работе без периодических промывок. Разработано устройство для дозирования реагента и постоянного контроля давления в рабочем трубопроводе. Это устройство предусматривает ограничение максимального времени между вводом очередных доз реагента.

Предложена квантово-механическая модель рабочей зоны алмазного острия сканирующего зондового микроскопа (СЗМ) в виде набора полубесконечных цепочек сферических потенциальных ям заданной глубины и радиуса. На основании предложенной модели выполнен расчёт туннельного тока в системе алмазное острие - поверхность зондового микроскопа. Поскольку топографический режим работы СЗМ, связанный с наномодификацией поверхности, требует наличия существенного взаимодействия зонда с поверхностью образца, при нахождении зависимости туннельного тока от параметров системы острие - образец СЗМ использовался непертурбативный подход. На основании исследования полученного выражения для туннельного тока установлена максимальная аппаратная погрешность измерения туннельного тока, при которой возможно наличие атомарного разрешения в режиме СЗМ-топографии.

Проанализированы осложнения, возникающие при комбинированном и комплексном лечении больных раком шейки матки I стадии. Описаны роль и влияние лучевой терапии на развитие данных осложнений.

На основании анализа зависимости туннельного тока от параметров системы алмазное острие - образец сканирующего туннельного микроскопа оценена разрешающая способность прибора при его работе в режиме сканирования. Установлены параметры сканирования и точность поддержания постоянного значения туннельного тока системой обратной связи прибора, при которых возможно наличие атомарного разрешения в случае единственного канала туннелирования. Предложено альтернативное (к наиболее известным публикациям) объяснение гексагональной структуры поверхности пиролитического графита, наблюдаемой с атомарным разрешением. Обсуждена проблема многоканального туннелирования, связанная с наличием в рабочей зоне алмазного зонда нескольких нановыступов, инициирующих туннелирование и ухудшающих разрешающую способность сканирующего туннельного микроскопа.

Представлены результаты экспериментов по наноцарапанию и наноиндентированию поверхности кремния с использованием сканирующего туннельного микроскопа, оснащенного полупроводниковым алмазным зондом. Обсуждены физические явления в кремнии, возникающие при различных уровнях контактного давления.

Представлена новая методика исследования атомарной структуры поверхности на основе методов сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) и сканирующей туннельной спектроскопии (СТС) с алмазным зондом. В основу методики положена идея сравнения СТМ-изображения изучаемого участка поверхности и его СТС-изображения, полученного при малых туннельных напряжениях. Представленная методика может использоваться при нанотехнологических операциях атомарной сборки логических элементов квантовых компьютеров, элементов наноэлектроники, при создании и изучении однофотонных источников и др.

Приведены результаты исследований структуры монокристаллов алмаза, выращенных с помощью метода температурного градиента, с целью получения образцов с наиболее однородными характеристиками для изготовления зондов для сканирующих зондовых микроскопов заданной аксиальной ориентации и с контролируемым распределением легирующей примеси. Применение подобных зондов в сканирующей туннельной микроскопии уменьшает вероятность возникновения случайных каналов туннелирования с участием поверхностных состояний, связанных с наличием атомов бора в структуре алмаза, и повышает достоверность экспериментальных данных. Результаты исследования поверхности графита (0001) с помощью методов сканирующей туннельной микроскопии демонстрируют высокую стабильность монокристаллических алмазных зондов и возможность достижения с их помощью атомарного разрешения.

Изучены различные типы люминесценции (фотолюминесценция, катодолюминесценция, рентгенолюминесценция) в диапазоне от 360 до 900 нм монокристаллических порошков алмаза с размерами зерна от 125/100 до 250/200, разделенных на различные группы по степени совершенства кристаллической структуры и значениям магнитной восприимчивости. При комнатной температуре во всех группах кристаллов преобладало свечение H3 дефекта алмаза, при температуре жидкого азота в спектрах катодолюминесценции доминировали никелевые центры. С использованием отобранных алмазов и полисилоксанового эластомера Sylgard 184 изготовлены образцы композиционных сцинтилляторов и проведено исследование их радиационной стойкости. Установлена более высокая относительно стандартного YSO:Ce сцинтиллятора радиационная стойкость алмазных композитных сцинтилляторов к облучению быстрыми электронами.