Розглянуто літературні дані стосовно графенової структури, в тому числі, легованої, основних методів виготовлення й оброблення та фізичних властивостей, які уможливлюють використання цього функціонального наноматеріалу. Теоретично описано впорядковані розподіли атомів заміщення по вузлах двовимірної щільникової гратниці за різних складів і температур. Визначено області значень енергетичних параметрів міжатомних взаємодій, що сприяли низькотемпературній стабільності надструктур на графеновій основі. Навіть короткосяжні міжатомні взаємодії забезпечили б стабільність одних надструктур, проте лише далекосяжні взаємодії стабілізували б інші надструктури. Конкуренція внутрішньо- і міжпідгратницевих міжатомних взаємодій та домінування в ній (за енергією) останніх уможливили б часову немонотонність релаксації атомного порядку.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.312

Рубрики:

Вакансії і домішки

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено джерела та жанрово-тематичну специфіку книги "Алфавит собранный, ри[ф]мами сложенный..." свт. Іоана Максимовича. Простежено індивідуальні особливості функціонування феноменів мучеництва та чуда в агіографічній поезії доби бароко. Зазначено, що своєрідність опрацювання аскетичної теми в агіографічних віршах книги свт. Іоана Максимовича полягає в поєднанні аскетичних програм східних Отців, ісихастського вчення про молитву розуму з ігнатіянськими концепціями духовного вдосконалення. Проаналізовано образ святого, представлений у поетичній книзі свт. Іоана Максимовича як відображення барокової антропології.

Досліджено електротранспортні властивості графену з різними типами точкових дефектів: атомами заміщення (на прикладі атомів Нітрогену), вакансіями або адсорбованими атомами (на прикладі атомів Калію). Розроблено програмний пакет, який дзволяє вивчати електронні властивості й електропровідність допованого графену в межах методології Кубо - Грінвуда для ділянок, які містять мільйони вузлів. Проаналізовано вплив різних типів точкових дефектів (дефекти заміщення або адатоми) на електротранспортні характеристики графену. Показано, що допування графену атомами заміщення у різних просторових конфігураціях (піридино- та графітоподібний типи заміщення) істотно видозмінюють його електропровідність як кількісно, так і якісно. Виявлено, що за переходу від їх випадкового до корельованого (впорядкованого) просторового розподілу відбувається підвищення електропровідності в декілька (десятки) разів, що є наслідком домінування короткосяжного розсіяння над далекосяжним за наявності близького або далекого порядків у просторовому розподілі точкових дефектів у графені. Показано, що впорядковане розташування атомів заміщення або адатомів, які адсорбовані безпосередньо над вузлами гратниці графену, призводить до порушення симетрії графенової гратниці та викликає відкриття забороненої зони, ширина якої лінійно залежить від концентрації цих дефектів.

Виявлено, що зі зміною випадкового на корельований або впорядкований просторові розподіли адатомів над графеновим шаром відбувається підвищення графенової електропровідності в декілька (десятки) разів. За випадкового розподілу адатомів, притягальних щодо вільних носіїв заряду, вони проявляють себе як далекочинні розсіювальні центри, а коротко дія їх як притягальних розсіювальних центрів домінує за їх близького чи далекого порядків. Показано, що у разі впорядкованого розташування домішкових атомів (наприклад, К) безпосередньо над вузлами графенової гратниці-адсорбенту відкривається заборонена зона в її енергетичному спектрі електронів, яка розширюється з підвищенням концентрації таких адатомів.